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2018年06月03日 | FSMC驅動TFTLCD原理,時序和寄存器介紹

發布者:智慧啟迪 來源: eefocus關鍵字:FSMC  驅動TFTLCD  時序  寄存器 手機看文章 掃描二維碼
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一,FSMC簡介

FSMC:靈活的靜態存儲控制器
能夠與同步或異步存儲器和16位PC存儲器卡連接
STM32的FSMC接口支持包括SRAM、NAND FLASH、NOR FLASH和PSRAM等存儲器
STM32 407和103是不支持SD RAM的,429,439支持SD RAM操作12345

TFTLCD信號,RS、D0~D15、WR、RD、CS、RST和BL等

其中真正操作LCD時用到的就只有:
    數據&命令:RS
    數據線:D0~D15
    寫信號:WR
    讀信號:RD
    片選信號:CS1234567

操作時序和SRAM控制類似,唯一不同是TFTLCD有RS信號,但是沒有地址信號

TFTLCD通過RS信號來決定傳送是數據還是命令,可以理解為一個地址信號 
將RS接到FSMC地址線A10(A0-A25隨意),TFTLCD就被當做一個SRAM使用 
這樣TFTLCD成為只有一個地址的SRAM設備,從而實現FSMC驅動TFTLCD


LCD時序,我們知道,LCD的讀寫耗時是不同的.寫快讀慢 
這里采用模式A,針對不同的速度,做不同的設置

模式A讀時序:

FSMC-模式A讀時序

模式A寫時序:

FSMC-模式A寫時序

ILI9341時序-讀寫高低電平最小持續時間:

ILI9341時序

根據ILI9341時序讀寫高低電平最小持續時間來配置模式A的讀寫時序


六,FSMC相關寄存器介紹

對于NOR FLASH/PSRAM控制器-存儲塊1,可通過FSMC_BCRx、FSMC_BTRx和FSMC_BWTRx寄存器設置(其中x=1~4,對應4個區)。 
通過這3個寄存器,可以設置FSMC訪問外部存儲器的時序參數,拓寬了可選用的外部存儲器的速度范圍。

1,SRAM/NOR閃存片選控制寄存器(FSMC_BCRx)

FSMC_BCRx

EXTMOD:
     擴展模式使能位,控制是否允許讀寫不同的時序,需設置為1
WREN:
     寫使能位。我們要向TFTLCD寫數據,需設置為1
MWID[1:0]:
     存儲器數據總線寬度。00,表示8位數據模式;01表示16位數據模式;10和11保留。
     我們的TFTLCD是16位數據線,需設置WMID[1:0]=01。
MTYP[1:0]:
     存儲器類型。00表示SRAM、ROM;01表示PSRAM;10表示NOR FLASH;11保留。
     我們把LCD當成SRAM用,需設置MTYP[1:0]=00。
MBKEN:
     存儲塊使能位。需設置為112345678910111213

2,SRAM/NOR閃存片選時序寄存器(FSMC_BTRx)-讀時序控制

FSMC_BTRx

ACCMOD[1:0]:
     訪問模式。00:模式A;01:模式B;10:模式C;11:模式D。
     我們使用模式A,需設置為00
DATAST[7:0]:
     數據保持時間,等于: DATAST(+1)個HCLK時鐘周期,DATAST最大為255。
     對于ILI9341相當于RD低電平持續時間,最大355ns
     對于STM32F1,一個HCLK=13.8ns (1/72M),設置為15,相當于16個HCLK=220.8,加上STM32F1的FSMC性能較低一些,配置為15即可
     對于STM32F4,一個HCLK=6ns(1/168M) ,設置為60(360)。
ADDSET[3:0]:
     地址建立時間。表示:ADDSET+1個HCLK周期,ADDSET最大為15。
     對ILI9341來說,這里相當于RD高電平持續時間,為90ns。
     STM32F1的FSMC性能較低,即便設置為0,RD也有190ns高電平,所以設置為1
     STM32F1設置為15



注意:
     如果未設置EXTMOD位,則讀寫共用FSMC_BTRx時序寄存器12345678910111213141516171819

3,SRAM/NOR閃存寫時序寄存器(FSMC_BWTRx)-寫時序控制

FSMC_BWTRx

ACCMOD[1:0]:
     訪問模式。00:模式A;01:模式B;10:模式C;11:模式D。
DATAST[7:0]:
     數據保持時間,等于: DATAST(+1)個HCLK時鐘周期,DATAST最大為255。
     對ILI9341來說,其實就是WR低電平持續時間,為15ns,不過ILI9320等則需要50ns。
     考慮兼容性,對STM32F1一個HCLK=13.8ns (1/72M),設置為3(4*13.8=55.2);
     對STM32F4,一個HCLK=6ns(1/168M) ,設置為9(9*6=54)。
ADDSET[3:0]:
     地址建立時間。表示:ADDSET+1個HCLK周期,ADDSET最大值為1111 = 15。
     對ILI9341來說,這里相當于WR高電平持續時間,為15ns。
     考慮兼容ILI9320,STM32F1即便設置為1,WR也有100ns高電平,所以設置為1。
     而對STM32F4,則設置為8(9*6=54)12345678910111213

七,寄存器組合說明

ST官方庫寄存器定義中并沒有FSMC_BCRx、FSMC_BTRx、FSMC_BWTRx等單獨寄存器 
而是將他們進行了一些組合。規律如下:

FSMC_BCRx和FSMC_BTRx,組合成BTCR[8]寄存器組,他們的對應關系如下:

BTCR[0]對應FSMC_BCR1,BTCR[1]對應FSMC_BTR1
BTCR[2]對應FSMC_BCR2,BTCR[3]對應FSMC_BTR2
BTCR[4]對應FSMC_BCR3,BTCR[5]對應FSMC_BTR3
BTCR[6]對應FSMC_BCR4,BTCR[7]對應FSMC_BTR412345

FSMC_BWTRx則組合成BWTR[7],他們的對應關系如下:

BWTR[0]對應FSMC_BWTR1,
BWTR[2]對應FSMC_BWTR2,
BWTR[4]對應FSMC_BWTR3,
BWTR[6]對應FSMC_BWTR4,
BWTR[1]、BWTR[3]和BWTR[5]保留


關鍵字:FSMC  驅動TFTLCD  時序  寄存器 引用地址:FSMC驅動TFTLCD原理,時序和寄存器介紹

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