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Wolfspeed的功率模塊如何變革三相工業低電壓電機驅動器

發布者:RadiantDusk最新更新時間:2025-03-04 來源: elecfans關鍵字:Wolfspeed  功率模塊  電機驅動器 手機看文章 掃描二維碼
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Wolfspeed的功率模塊如何變革三相工業低電壓電機驅動

根據最保守的估計,電機占全球工業用電量的50%以上,占全球用電量的45%。哪怕只是提高一點點工業電機驅動系統的效率,都將極大地影響全球能源消耗,并減少對環境的影響。為了解決全球范圍內的能源消耗問題,越來越嚴格的能效標準不斷涌現,這給電力電子設計人員帶來了新的挑戰。


Wolfspeed的碳化硅(Silicon Carbide, SiC)為提高工業電機驅動器的效率,提供了出色的解決方案,只需用碳化硅替換傳統IGBT,即可實現2.4%甚至更高的效率增益。利用碳化硅進行進一步的重新設計,可以實現驅動器和電機的集成,從而創建更小、更輕的嵌入式工業驅動器。


在本文中,我們將探討Wolfspeed的WolfPACK 功率模塊如何將損耗降低高達50%,同時實現更小、更輕、熱穩定性更高的嵌入式25 kW三相工業低電壓電機驅動器。


使用SiC通過更小的散熱器

實現更高的效率

典型的電機驅動系統由一個AC-DC(有源前端)級和一個DC-AC(逆變器)級所組成。在具有45 kHz開關頻率的六開關有源前端(AFE)的25kW電機驅動系統中,對比20kHz硅開關作為基準測試時,設計人員可以將前端級的效率提高1.3%。當Wolfspeed的30 A額定功率模塊與100 A額定硅-IGBT模塊(兩者均以8 kHz開關)進行保守的基準比較時,逆變器也可以實現類似的改進。這兩項變化共同帶來令人印象深刻的2.6%效率提升,整個系統損耗減少50%,并幫助集成式電機達到IE4效率標準,原始系統則僅達到IE3標準。

采用碳化硅的逆變器最值得關注的改進之一,則是顯著減少系統產生的熱量,使設計人員能夠使用更小的散熱器,并設計整體更小、更輕的工業電機驅動系統。

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圖 1:25 kW逆變器,Fsw = 8 kHz,SiC MOSFET

散熱器減小 77%:0.31 L(1.6℃/W)與 1.37 L(0.73℃/W)

如上圖表明,在具有0.8 L散熱器的25 kW逆變器中,使用Wolfspeed的碳化硅六管集成WolfPACK 模塊與傳統硅IGBT模塊相比,效率有所提高。隨著功率水平的增加,50 A和100 A額定硅IGBT的結溫升高,導致它們失效,而Wolfspeed的32 A碳化硅MOSFET則保持穩定,并遠低于失效溫度閾值。

值得注意的是,上述效率提升不僅出現在峰值負載下,也出現在部分負載下。在某些部分負載下,效率提升更高,非常適合這些機器的典型負載曲線。此外,正在測試的碳化硅器件是額定電流較低的部件,最大負載時的結溫為105℃,創造了重要的緩沖裕量以最大幅度地提高了允許的系統能力限制,而50 A IGBT模塊則明顯超出了限制,并且100 A IGBT則稍微超出最大的負載限制。這里的“限制”被定義為150℃,這個最大結溫是基于功率模塊應用系統中允許的常規要求。

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圖 2:25 kW逆變器,Fsw = 8 kHz,較大的硅IGBT散熱器:1.37 L(0.7℃/W),較小的SiC散熱器0.8 L(0.99℃/W)

為了確保系統可行、正常運行和優化,我們使用不同的散熱器,將IGBT散熱器尺寸從0.8 L增大到1.37 L,并將碳化硅散熱器尺寸減小61%,確保提高其結溫以減少裕量。與IGBT相比,碳化硅解決方案的散熱器尺寸減小了77%,盡管進行了這些修改,50 A IGBT仍然明顯高于150℃的溫度限制,但我們的32 A部件和100 A IGBT最終處于129℃左右的相同結溫。另外值得注意的是,碳化硅逆變器的效率提高了1.1%。總之,在三相供電的25 kW系統中使用更精簡且更優化的碳化硅散熱器,整體效率提高了2.4%,損耗減少了600 W,同時最初是IE3標準的集成電機仍然可達到IE4效率標準。

無需額外成本即可將全系統損耗

減少高達50%

碳化硅在工業低電壓電機驅動的系統級呈現出巨大的價值,雖然碳化硅器件的前期成本可能超過傳統硅IGBT,但更高的開關頻率和更低的損耗,意味著對無源器件和散熱器的投資更少。

對于25 kW系統來說,這種優化的系統可節省高達605 W,考慮到每年運行8200小時的不同負載曲線,根據截至2023年11月中國的電費計算,每年可節省1,297.8人民幣,并在未來15年積累節省約19,000人民幣。用碳化硅器件取代IGBT的前期成本可能會更高,但當我們考慮整個系統成本時,碳化硅的較高成本可以通過無源器件的減少來抵消,并同時將工業電機驅動端系統的效率提升到新的水平。

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圖 3:25 kW逆變器,FSW = 16 kHz,SiC MOSFET

散熱器減小41%:0.80 L(0.99℃/W)對比1.37 L(0.73℃/W)

在圖3中,我們進一步支持碳化硅如何在更高的開關頻率下實現卓越的性能。在這里,我們將開關頻率從8 kHz提高到16 kHz,并使用比同類IGBT散熱器小41%的散熱器。借助Wolfspeed的碳化硅FM3六管集成功率模塊,我們的效率仍然高于或接近99%,并且在峰值負載時接近150℃的溫度限制。對于50 A和100 A IGBT,由于開關損耗增加,我們分別在10 kW和15 kW左右開始出現熱失效。為了使這些更高額定電流的IGBT與Wolfspeed的FM3碳化硅模塊一樣有效地運行,設計人員需要使用更大的散熱器或更高額定電流的部件。有趣的是,碳化硅在16kHz下的逆變器效率仍然高于IGBT在8kHz下的逆變器效率。


結語

總之,用碳化硅替代傳統的硅IGBT,可以在25 kW工業低電壓電機驅動系統中實現高達2.6%的整體效率提升。在整個負載曲線中,可以在更高功率水平下實現高效率改進,從而節省大量能源。由于無源組件和散熱器更小,碳化硅還提供了更高的功率密度,并帶來整體系統成本和尺寸的優化。此外,SiC器件的高結溫可能性、改進的散熱,以及較低的損耗,使設計人員能夠構建更緊湊的系統,從而輕松集成驅動器和電機。


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