第001節(jié)輔線1硬件知識(shí)_內(nèi)存接口概念

首先來分析下操作GPIO控制器和操作UART控制器兩者的區(qū)別。

如圖是S3C2440是個(gè)片上系統(tǒng)，有GPIO控制器（接有GPIO管腳）,有串口控制器 (接有TXD RXD引腳)。

配置GPIO控制器相應(yīng)的寄存器，即可讓引腳輸出高低電平；配置UART控制器相應(yīng)的寄存器，即可讓引腳輸出波形。前者相對(duì)簡(jiǎn)單，類似門電路，后者相對(duì)復(fù)雜，屬于協(xié)議類接口。類似的協(xié)議類接口還有iic、iis、spi等。 

對(duì)于CPU是不管什么接口的，它只寫相應(yīng)的寄存器，由控制器根據(jù)寄存器的配置去控制具體的引腳。

那么CPU是如何訪問各個(gè)不同的寄存器的呢？

CPU只管發(fā)出一個(gè)地址，內(nèi)存控制器根據(jù)該地址選擇不同的模塊，然后從模塊中得到數(shù)據(jù)或者發(fā)送數(shù)據(jù)到模塊中。

前面的GPIO/門電路接口、協(xié)議類接口，都不會(huì)把地址輸出到外部，接下來的內(nèi)存類接口，會(huì)把地址輸出到外部，比如Nor Flash、網(wǎng)卡、SDRAM。

如圖，SDRAM、DM9000網(wǎng)卡、Nor Flash都接在JZ2440的數(shù)據(jù)總線和地址總線上，CPU把數(shù)據(jù)和地址發(fā)送出去，然后內(nèi)存控制器根據(jù)片選信號(hào)選擇相應(yīng)的設(shè)備接收地址和數(shù)據(jù)信號(hào)，互不干擾。

片選信號(hào)和地址的關(guān)系怎么確定？

這個(gè)是由2440芯片特性決定的。

當(dāng)選擇Nor Flash啟動(dòng)時(shí)，CPU發(fā)出的指令的地址范圍處于0x0000000 - 0x06000000，內(nèi)存控制器就會(huì)使nGCS0處于低電平（片選引腳被選中），Nor Flash被選中。

當(dāng)CPU發(fā)出的指令的地址范圍處于0x20000000 - 0x26000000，內(nèi)存控制器就會(huì)使nGCS4處于低電平（片選引腳被選中），網(wǎng)卡被選中。

當(dāng)CPU發(fā)出的指令的地址范圍處于0x30000000 - 0x36000000，內(nèi)存控制器就會(huì)使nGCS6處于低電平（片選引腳被選中），SDRAM被選中。 

內(nèi)存控制器根據(jù)不同的地址地址范圍，發(fā)出不同的片選引腳，只有被片選引腳選中的芯片才能正常工作，不被選中的芯片就像不存在一樣，不工作。

GPIO/門電路接口、協(xié)議類接口、內(nèi)存類接口都屬于CPU的統(tǒng)一編址。對(duì)于Nand Flash，在原理圖上它的地址線并沒有連接到CPU，因此它不參與CPU的統(tǒng)一編址。但它的數(shù)據(jù)線也接到了數(shù)據(jù)總線上，為了防止干擾，它也有一個(gè)片選信號(hào)(CE)。當(dāng)CPU訪問Nand Flash時(shí)，Nand Flash控制器才會(huì)片選Nand Flash，讓其接收數(shù)據(jù)總線上的數(shù)據(jù)。

再來看下Nor Flash的空間，0x00000000 * 0x06000000，為128M，即每一個(gè)片選信號(hào)可以選擇的空間是128M=2^27，也就需要A0、A1……A26，共27根地址線。CPU發(fā)出的32位地址線，內(nèi)存控制器根據(jù)地址范圍，片選上相應(yīng)的bank，并將地址轉(zhuǎn)化為27位。

第002節(jié)輔線1硬件知識(shí)_不同位寬設(shè)備的連接

參考2440芯片手冊(cè)，可以看到內(nèi)存接口與8-bit ROM連接時(shí)，2440的A0與外部芯片的A0相連。

當(dāng)與兩個(gè)8-bit ROM拼接成的一個(gè)16-bit ROM連接時(shí)，2440的A1與外部芯片的A0相連。

當(dāng)與四個(gè)8-bit ROM拼接成的一個(gè)32-bit ROM連接時(shí)，2440的A2與外部芯片的A0相連。

當(dāng)與一個(gè)16-bit ROM連接時(shí)，2440的A1與外部芯片的A0相連。

可以看出外接芯片的位寬有變化時(shí)，地址線的接法也會(huì)有變化。那這個(gè)變化有什么規(guī)律呢？

假設(shè)CUP執(zhí)行：

MOV R0， #3 @去地址為3的內(nèi)存上 

LDRB R1, [R0] @ 從內(nèi)存為3的地址上，讀出一個(gè)字節(jié)

如圖有8bitROM、16bitROM、32bitROM。

8個(gè)bit組成一個(gè)字節(jié)，字節(jié)是計(jì)算機(jī)的最小的存儲(chǔ)單位，因此我們讀取數(shù)據(jù)肯定都是8bit的倍數(shù)。 

* 對(duì)于8bitROM ，8bit是一次讀寫的最小單位，即0地址是第一個(gè)8bit，1地址是第二個(gè)8bit;CPU發(fā)出的命令是讀取地址為3上的數(shù)據(jù)，即A0和A1都為1，8bitROM的A0和A1收到的也都是1，于是找到了ROM上地址為3的8bit數(shù)據(jù),包含了我們需要的數(shù)據(jù)。 

* 對(duì)于16bitROM ，16bit是一次讀寫的最小單位，即0地址是第一個(gè)16bit，里面有兩個(gè)8bit數(shù)據(jù);CPU發(fā)出的命令是讀取地址為3上的數(shù)據(jù)，即A0和A1都為1，16bitROM的A0和A1分別收到的是1和0，于是找到了ROM上地址為1的16bit數(shù)據(jù)，包含了我們需要的數(shù)據(jù)，最后內(nèi)存控制器再幫我們挑選出所需的8bit數(shù)據(jù)。 

* 對(duì)于32bitROM ，32bit是一次讀寫的最小單位，即0地址是第一個(gè)32bit，里面有四個(gè)8bit數(shù)據(jù);CPU發(fā)出的命令是讀取地址為3上的數(shù)據(jù)，即A0和A1都為0，32bitROM的A0和A1收到的都是0，于是找到了ROM上地址為0的32bit數(shù)據(jù)，包含了我們需要的數(shù)據(jù)，最后內(nèi)存控制器再幫我們挑選出所需的8bit數(shù)據(jù)。

接到芯片上的引腳用來確定讀取芯片上的哪一個(gè)單元的數(shù)據(jù)，把這個(gè)單元的數(shù)據(jù)返回給內(nèi)存控制器，內(nèi)存控制器會(huì)根據(jù)沒有連接芯片的引腳，來確定返回哪一個(gè)單元的數(shù)據(jù)給CPU,

再舉一個(gè)例子： 

假如傳遞一個(gè)32位的數(shù)據(jù)時(shí)

MOV R0, #4 

LDR R1, [R0] @去地址4，讀取4字節(jié)數(shù)據(jù)

執(zhí)行過程如下：

8bitROM: 當(dāng)CPU發(fā)出地址（000100），內(nèi)存控制器會(huì)把000100,000101,000110,000111處的地址轉(zhuǎn)發(fā)給ROM，ROM會(huì)把得到的地址000100,000101,000110,000111，上的數(shù)據(jù)返回給內(nèi)存控制器，內(nèi)存控制器會(huì)把得到的4個(gè)8bit的數(shù)據(jù)組裝成一個(gè)32位的數(shù)據(jù)返回給CPU。

16bitROM: 當(dāng)CPU發(fā)出地址（000100），內(nèi)存控制器會(huì)把00010，00011處的地址轉(zhuǎn)發(fā)給ROM，ROM會(huì)把得到的地址00010，00011，上的數(shù)據(jù)返回給內(nèi)存控制器，內(nèi)存控制器會(huì)把得到的2個(gè)16bit的數(shù)據(jù)組裝成一個(gè)32位的數(shù)據(jù)返回給CPU。

32bitROM: 當(dāng)CPU發(fā)出地址(000100)，內(nèi)存控制器會(huì)把0001處的地址發(fā)送給ROM，ROM會(huì)把得到的地址0001上的數(shù)據(jù)返回給內(nèi)存控制器，內(nèi)存控制器會(huì)把得到的1個(gè)32bit數(shù)據(jù)返回給CPU。

怎樣確定芯片的訪問地址： 

1.根據(jù)片選信號(hào)確定基地址， 

2.根據(jù)芯片所接地址線確定范圍

實(shí)例： 

Nor Flash 使用的是片選0(nGCS0),基地址為0，用到A20,A19……A1，A0共21條地址線，所以地址范圍為0x00000000 ~ 0x1FFFFF也就是2M的空間大小。 

網(wǎng)卡(Net)使用的是片選4(nGCS4),基地址為0x20000000，用到A2,A0共2根地址線，所以地址范圍為0x20000000 ~ 0x20000005。 

SDRAM使用的是片選6(nGCS6),基地址為0x30000000。

第003節(jié)輔線1硬件知識(shí)_時(shí)序圖分析示例

這節(jié)我們分析一下我們了解時(shí)序圖，信號(hào)之間是怎樣一起工作的，以Nor Flash 為例。

2440和Nor Flash 之間有地址線，數(shù)據(jù)線，還有各種數(shù)據(jù)線連接。

以Nor Flash為例，分析下如何設(shè)置它的時(shí)序。

如圖是S3C2440的Nor Flash控制器的讀時(shí)序圖，里面很多參數(shù)都需要根據(jù)外接芯片的性能進(jìn)行設(shè)置，有的芯片性能好、響應(yīng)時(shí)間快，就可以把參數(shù)時(shí)間設(shè)置小一點(diǎn)，釋放更好的性能。

如圖是Nor Flash芯片的讀時(shí)序。

我們需要做的就是設(shè)置S3C2440的Nor Flash控制器時(shí)序去滿足Nor Flash芯片的時(shí)序。每個(gè)參數(shù)的參考范圍可以通過AC CHARACTERISTICS得到。

結(jié)合Nor Flash芯片的兩張圖，可以得到如下信息:

發(fā)出地址數(shù)據(jù)(Addresses)后，要等待Taa(要求大于等于70ns)時(shí)間，地址數(shù)據(jù)才有效;

發(fā)出片選信號(hào)(CE#)后，要等待Tce(要求大于等于70ns)時(shí)間，片選信號(hào)才有效;

發(fā)出讀信號(hào)(OE#)后要等待Toe(要求大于等于30ns)時(shí)間，讀信號(hào)才有效;

為了簡(jiǎn)單我們把地址數(shù)據(jù)(Addresses)，片選信號(hào)(CE#)，讀信號(hào)(OE#)，同時(shí)發(fā)出，然后讓它們都等待70ns(等待信號(hào)有效)。對(duì)應(yīng)S3C2440的Nor Flash控制器的讀時(shí)序圖，需要讓地址信號(hào)A[24:0]、片選信號(hào)nGCS、讀信號(hào)nOE同時(shí)發(fā)出，保持Tacc大于等于70ns。

查閱S3C2240的參考手冊(cè)，Nor Flash是接在BANKCON0上的，因此只需要設(shè)置BANKCON0即可。

可以看到Tacc上電初始值是111，對(duì)應(yīng)14個(gè)clocks。系統(tǒng)上電采用12MHz的晶振，HCLK=12MHz，Tacc=(1000/12*14)≈1166ns，這個(gè)值很大，幾乎可以滿足所有Nor Flash的要求。

啟動(dòng)后，將HCLK設(shè)置為100MHz，T=1000/100=10ns，Tacc需要大于等于70ns，因此設(shè)置Tacc等于101，8個(gè)clocks即可。

在前面uart實(shí)驗(yàn)的源碼基礎(chǔ)上，新建init.c和init.h兩個(gè)文件。

在init.c里面只需要設(shè)置BANKCON0寄存器即可。

#include "s3c2440_soc.h"

void bank0_tacc_set(int val)

{

    BANKCON0 = val << 8;

}

init.h進(jìn)行函數(shù)聲明。

#ifndef _INIT_H

#define _INIT_H

void bank0_tacc_set(int val);

#endif

最后在主函數(shù)里面，通過串口獲取輸入的值，傳入bank0_tacc_set()函數(shù)里，設(shè)置Tacc，然后再讀取Nor Flash上的閃燈程序。

#include "s3c2440_soc.h"

#include "uart.h"

#include "init.h"

int main(void)

{

    unsigned char c;

    uart0_init();

    puts("Enter the Tacc val: nr");

    while(1)

    {

        c = getchar();

        putchar(c);

        if (c >= '0' && c <= '7')

        {

            bank0_tacc_set(c - '0');

            led_test();

        }

        else

        {

            puts("Error, val should between 0~7nr");

            puts("Enter the Tacc val: nr");

        }

    }

    return 0;

}

實(shí)驗(yàn)效果：

輸入0~4,Tacc小于70ns,無法讀取Nor Flash上數(shù)據(jù)，LED不能閃爍。

輸入4~7，Tacc大于70ns,可以讀取Nor Flash上數(shù)據(jù)，LED不斷閃爍，且值越小越快(區(qū)別不明顯)。

第004節(jié)輔線1硬件知識(shí)_SDRAM的設(shè)置

本節(jié)將講解如何設(shè)置SDRAM，如果想對(duì)內(nèi)存有更多的了解，可以在網(wǎng)上搜索看下這篇文檔“高手進(jìn)階_終極內(nèi)存技術(shù)指南——完整/進(jìn)階版”。

在JZ2440上接有64M的SDRAM，如果想要使用SDRAM，需要對(duì)內(nèi)存控制器做一些設(shè)置。 

在前面第一節(jié)講到，CPU將數(shù)據(jù)或地址發(fā)給內(nèi)存控制器，內(nèi)存控制器再去訪問外部的SDRAM，因此設(shè)置內(nèi)存控制器就說本節(jié)的核心。

如圖是SDRAM存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)邏輯圖：

SDRAM總共有4個(gè)塊(Banks)，可以認(rèn)為每個(gè)塊就是一個(gè)表格，里面的每個(gè)格子表示的是16bit數(shù)據(jù)。

問題1：怎樣訪問里面的某個(gè)格子呢？

首先發(fā)出一個(gè)片選信號(hào)，選中整個(gè)芯片;

發(fā)出Bank地址，選擇是哪一個(gè)Bank(塊，即表格);

發(fā)出行地址;

最后發(fā)出列地址，才能選中是個(gè)格子;

問題2：那么多的信號(hào)有誰發(fā)出呢？

由內(nèi)存控制器發(fā)出，所以我們需要設(shè)置內(nèi)存控制器，CPU只是簡(jiǎn)單的執(zhí)行讀寫內(nèi)存的命令，其他的都交給內(nèi)存控制起來處理。 

例如

LDR R0,=0x30000000 

LDR R1,[R0]

CPU把0x30000000這個(gè)地址發(fā)給內(nèi)存控制器，內(nèi)存控制器根據(jù)這個(gè)地址，判斷屬于哪個(gè)范圍，然后發(fā)出相應(yīng)的片選信號(hào)。

根據(jù)類型(比如SDRAM)拆分成三部分：發(fā)出Bank地址、發(fā)出行地址、發(fā)出列地址。

對(duì)于上面的三個(gè)，怎樣拆分呢？

行地址線有幾條，列地址線有幾條，都要設(shè)置內(nèi)存控制器里面相關(guān)寄存器。

讀數(shù)據(jù)

綜上所述：對(duì)SDRAM的訪問可以分為如下步:

CPU發(fā)出的片選信號(hào)nSCS6有效，它選中SDRAM芯片。

SDRAM中有4個(gè)L-Bank，需要兩根地址信號(hào)來選中其中之一，根據(jù)原理圖，可知使用ADDR24，ADDR25作為L(zhǎng)-Bank的選擇信號(hào)。

對(duì)被選中的芯片進(jìn)行統(tǒng)一的行/列（存儲(chǔ)單元）尋址。

根據(jù)SDRAM芯片的列地址線數(shù)目設(shè)置CPU的相關(guān)寄存器后，CPU就會(huì)從32位的地址中自動(dòng)分出L_Bank片選信號(hào)，行地址信號(hào)，列地址信號(hào)，然后先后發(fā)出行地址信號(hào)，列地址信號(hào)。L_Bank選擇信號(hào)在發(fā)出行地址信號(hào)的同時(shí)發(fā)出，并維持到列地址信號(hào)結(jié)束。

根據(jù)原理圖可知：

地址、列地址共用地線ADDR2—ADDRI4（BANK6位寬為32，ADDRO/I沒有使用），使用nSRAS、nSCAS兩個(gè)信號(hào)來區(qū)分它們。

比如本開發(fā)板中，使用兩根地址線ADDR24、ADDR25作為L(zhǎng)-Bank的選擇信號(hào)：SDRAM芯片K4s5m632的行地址數(shù)為13，列地址數(shù)為9，所以當(dāng)nSRAS信號(hào)有時(shí)，ADDR2—ADDR14上發(fā)出是行地址信號(hào)，它對(duì)應(yīng)32位地址空間的b可23m]：當(dāng)nSCAS信號(hào)有效時(shí)，ADDR2—ADDR10上發(fā)出的是列地址信號(hào)，它對(duì)應(yīng)32位地址空間的bit[0：2]；由于BANK6以32位的寬度外接DRAM，ADDR0、ADDR1恒為0，不參與譯碼。

找到了存儲(chǔ)單元后，被選中的芯片就要進(jìn)行統(tǒng)一的數(shù)據(jù)傳輸了。

開發(fā)板中使用兩片16位的SDRAM芯片并聯(lián)組成32位的位寬，與CPU的32根數(shù)據(jù)線(DATA0—DATA31)相連。 

BANK6的起始地址為0x30000000，所以SDRAM的訪問地址為0x30000000～低0x33FFFFFF，共64MB。

2440內(nèi)存控制器設(shè)置：

內(nèi)存控制器共有13個(gè)寄存器，

BANK0–BANK5只需要設(shè)置BWSCON和BANKCONx(x為0～5）兩個(gè)寄存器；

BANK6、BANK7外接SDRAM時(shí)，除BWSCON和BANKCONx（x為6、7）外，還要設(shè)置REFRESH、BANKSIZE、MRSRB6、MRSRB7等4個(gè)寄存器。

下面分類說明各個(gè)寄存起的設(shè)置。

1.位寬和等待控制寄存器BWSCON(BUSWIDTH&WAITCONTROLREGISTER)

BWSCON中每4位控制一個(gè)BANK，最高4位對(duì)應(yīng)BANK7(沒有使用)、接下來4位對(duì)應(yīng)BANK6。

（1）ST6[27]: 啟動(dòng)/禁止SDRAM的數(shù)據(jù)掩碼引腳，對(duì)于SDRAM，此位為0：對(duì)于SRAM此位為1。

（2）WS6[26]：是否使用存儲(chǔ)器的WAIT信號(hào)，通常設(shè)為0。

（3）DW6[25:24]：使用兩位來設(shè)置相應(yīng)BANK的位寬，0b00對(duì)應(yīng)8位，0b01對(duì)應(yīng)16位，0b10對(duì)應(yīng)32位(開發(fā)板用的就是32位的)，0b11表示保留。

因此BWSCON寄存器的值為：0x22000000。

2.BANK控制寄存器BANKCON6（BANKCONTROLREGISTER） 

在8個(gè)BANK中，只有BANK6和BANK7可以外接SRAM或SDRAM。

(1)MT[16:15]：用于設(shè)置本BANK外接的是ROM/SRAM還是SDRAM,SRAM：0b00，SDRAM：0b11(開發(fā)板使用的是SDRAM)。

當(dāng)MT[16:15]設(shè)置為00時(shí)，此寄存器與BANKC0N0、BANKCON5類似，不再贅述。

當(dāng)MT[16:15]設(shè)置為11時(shí)，此寄存器其他值如下設(shè)置。

（2）Trcd[3:2]：行地址和列地址間隔多長(zhǎng)時(shí)間，看芯片手冊(cè)時(shí)間間隔是20ns，本來開發(fā)板的HCLK是100MHZ,clocks為10ns,所以設(shè)置為推薦值0b00(2clocks)。

（3）SCAN[1:0]：SDRAM的列地址位數(shù)，對(duì)于本開發(fā)板使用的SDRAMK4S561632。列地址位數(shù)為9，所以SCAN=0b010如果使用其他型號(hào)的SDRAM，需要查看其數(shù)據(jù)手冊(cè)。來決定SCAN的取值。0b00表示8位，0b01表示9位，0b10表示10位。

綜上所述，本開發(fā)板中BANKCON6設(shè)為0x017001。

3.刷新控制寄存器REFRESH(REFRESHCONTROLREGISTER)

（1)REFEN[23]：0=禁止SDRAM的刷新功能，1：開啟SDRAM的刷新功能(設(shè)置開啟SDRAM的刷新功能)。

（2）TREFMD[22]：SDRAM的刷新模式，0=CBR/AutoRefresh，1=SelfRefresh（一般在系統(tǒng)休眠時(shí)使用），我們?cè)O(shè)置默認(rèn)值。

（3）Trp[21：20)：根據(jù)芯片手冊(cè)設(shè)為0即可。

（4）Tsrc[19：18]:根據(jù)芯片手冊(cè)設(shè)為默認(rèn)值0b01即可。

（5）RefreshCounter[10:0]：即R_CNT

R_CNT可如下汁算（SDRAM時(shí)鐘頻率就是HCLK)： 

R_CNT=2^11+1-SDRAM時(shí)鐘頻率(MZ)*SDRAM刷新周期(us)

SDRAM的刷新周期在SDRAM的數(shù)據(jù)手冊(cè)上有標(biāo)明，在本開發(fā)板使用的SDRAM:K4S561632的數(shù)據(jù)手冊(cè)上，可看見這么一行“64msrefreshpenod(8KCycle)所以，刷新周期=64ms/8192=7.8125us。 

Refreshcount=2^11+1-100x7.8=1269=0x4F5。

因此，本開發(fā)板中REFRESH設(shè)為0x8404F5。

4.BANKSIZE寄存器REFRESH（BANKSIZEREG ISTER）

(1)BURST_EN[7]：0=ARM核禁上突發(fā)傳輸，1=ARM核支持突發(fā)傳輸(推薦)；

(2)SCKEEN[5]：0=不使用SCKE信號(hào)令SDRAM進(jìn)入省電模式，1=使用SCKE信號(hào)令SDRAM進(jìn)入省電模式(推薦)；

(3)SCLK-EN[4]：0=時(shí)刻發(fā)出SCLK信號(hào)，1=僅在訪問SDRAM期間發(fā)出SCLK信號(hào)（推薦）；

(4)BK76MAP[2:0]：設(shè)置BANK6的大小。本開發(fā)板BANK6外接64MB的SDRAM，令[2:0]=b001（64M/64M），表示BANK6/7的容量都是64MB，雖然BANK7沒有使用。

因此，本開發(fā)板中BANKSIZE設(shè)為0xB1。

5.SDRAM模式設(shè)置寄存器MRSRBx6(SDRAM MODE REGISTER SET REGISTER）

能修改的只有位CL[6:4],這是SDRAM時(shí)序的一個(gè)時(shí)間參數(shù)，表示發(fā)出行、列地址后，等多久才返回收到數(shù)據(jù)， 

CL可以取值為0b0l0（2 clocks）或0b011（3 clocks）。

本開發(fā)板取最保守的值0b010,所以MRSRB6的值為0x20。

下面開始寫程序： 

在init.c里面進(jìn)行對(duì)內(nèi)存控制器的寄存器依次進(jìn)行設(shè)置：

void sdram_init(void)

{

    BWSCON = 0x22000000;

    BANKCON6 = 0x17001;

    BANKCON7 = 0x17001;

    REFRESH  = 0x8404f5;

    BANKSIZE = 0xb1;

    MRSRB6   = 0x20;

    MRSRB7   = 0x20;

}

再寫一個(gè)測(cè)試函數(shù)，向SDRAM里面連續(xù)寫1000個(gè)數(shù)，再讀出數(shù)據(jù)對(duì)比是否是設(shè)置的數(shù)，返回對(duì)比結(jié)果：

int sdram_test(void)

{

    volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)0x30000000;

    int i;

    // write sdram

    for (i = 0; i < 1000; i++)

        p[i] = 0x55;

    // read sdram

    for (i = 0; i < 1000; i++)

        if (p[i] != 0x55)

            return -1;

    return 0;

}

在主函數(shù)里調(diào)用sdram_test()測(cè)試函數(shù)，如果測(cè)試成功，LED閃爍：

int main(void)

{

    uart0_init();

    sdram_init();

    if (sdram_test() == 0)

        led_test();

    return 0;

}

實(shí)驗(yàn)結(jié)果：

LED按預(yù)期閃爍，屏蔽掉sdram_init()后，LED不閃爍。