include “sram.h”

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//使用NOR/SRAM的 Bank1.sector3,地址位HADDR[27,26]=10 

//對IS61LV25616/IS62WV25616,地址線范圍為A0~A17 

//對IS61LV51216/IS62WV51216,地址線范圍為A0~A18

define Bank1_SRAM3_ADDR ((u32)(0x68000000))

//初始化外部SRAM 

void FSMC_SRAM_Init(void) 

{ 

FSMC_NORSRAMInitTypeDef FSMC_NORSRAMInitStructure; 

FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef readWriteTiming; 

GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure;

RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOD|RCC_APB2Periph_GPIOE|RCC_APB2Periph_GPIOF|RCC_APB2Periph_GPIOG,ENABLE);

RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);

GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xFF33;               //PORTD復用推挽輸出  1111 1111 0011 0011

GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP;          //復用推挽輸出

GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;

GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);

GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xFF83;               //PORTE復用推挽輸出 1111 1111 1000 0011

GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure);

GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xF03F;               //PORTD復用推挽輸出 1111 0000 0011 1111

GPIO_Init(GPIOF, &GPIO_InitStructure);

GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0x043F;               //PORTD復用推挽輸出 0000 0100 0011 1111

GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStructure);

readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x00;    //地址建立時間（ADDSET）為1個HCLK 1/36M=27ns

readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00;     //地址保持時間（ADDHLD）模式A未用到 

readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x03;       //數據保持時間（DATAST）為3個HCLK 4/72M=55ns(對EM的SRAM芯片)  

readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;

readWriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;

readWriteTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;            //數據產生時間

readWriteTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A;     //模式A 操作時序

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM3;            //  這里我們使用NE3 ，也就對應BTCR[4],[5]。

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable;      //地址數據不復用

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType =FSMC_MemoryType_SRAM;           //   FSMC_MemoryType_SRAM存儲器類型為SRAM

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b;     //存儲器數據寬度為16bit  

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode =FSMC_BurstAccessMode_Disable;     // 關閉突發模式訪問 

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low;  //等待信號優先級，只有在使能突發訪問模式才有效

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait=FSMC_AsynchronousWait_Disable;   

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;              //關閉Wrapped burst access mode，只有在使能突發訪問模式才有效

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;    //等待信號設置，只有在使能突發訪問模式才有效

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable;         //存儲器寫使能 

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable;                   //使能/關閉等待信息設置，只在使能突發訪問模式才有效

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Disable; // 讀寫使用相同的時序

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable;  

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &readWriteTiming; //讀寫操作時序參數

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &readWriteTiming; //讀寫同樣時序

FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure);  //初始化FSMC配置

FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM3, ENABLE);  // 使能BANK3                                         

}

//在指定地址開始,連續寫入n個字節. 

//pBuffer:字節指針 

//WriteAddr:要寫入的地址 

//n:要寫入的字節數 

void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n) 

{ 

for(;n!=0;n–) 

{ 

(vu8)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer; 

WriteAddr++; 

pBuffer++; 

} 

} 

//在指定地址開始,連續讀出n個字節. 

//pBuffer:字節指針 

//ReadAddr:要讀出的起始地址 

//n:要寫入的字節數 

void FSMC_SRAM_ReadBuffer(u8* pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n) 

{ 

for(;n!=0;n–) 

{ 

pBuffer++=(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr); 

ReadAddr++; 

} 

} 

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//測試函數 

//在指定地址寫入1個字節 

//addr:地址 

//data:要寫入的數據 

void fsmc_sram_test_write(u8 data,u32 addr) 

{ 

FSMC_SRAM_WriteBuffer(&data,addr,1);//寫入1個字節 

} 

//讀取1個字節 

//addr:要讀取的地址 

//返回值:讀取到的數據 

u8 fsmc_sram_test_read(u32 addr) 

{ 

u8 data; 

FSMC_SRAM_ReadBuffer(&data,addr,1); 

return data; 

}