一。IS62WV51216 簡(jiǎn)介

1.     IS62WV51216 是 ISSI（Integrated  Silicon  Solution,  Inc）公司生產(chǎn)的一顆 16 位寬 512K

（512*16，即 1M 字節(jié)）容量的 CMOS 靜態(tài)內(nèi)存芯片。

實(shí)驗(yàn)選用的芯片沒有CS2引腳。

2. IS62WV51216讀時(shí)序

3. IS62WV51216寫時(shí)序

二。FSMC簡(jiǎn)介

1. STM32中FSMC框圖

為什么VBT6不能用FSMC功能驅(qū)動(dòng)SRAM？

STM32與SRAM連接必須要連接19根地址線，F(xiàn)SMC_A0對(duì)應(yīng)的引腳為PF0，而在100腳的STM32芯片上只有A,B,C,D,E引腳，沒有F引腳，所以在100腳以下的STM32芯片無法驅(qū)動(dòng)SRAM。只有144個(gè)引腳的STM32芯片才可以驅(qū)動(dòng)SRAM。

為什么在100個(gè)引腳的VET6的芯片上可以利用FSMC功能控制液晶屏？

    因?yàn)镕SMC有的地址線是在PE引腳上，而控制液晶屏只需要一根地址線，用來控制發(fā)指令還是發(fā)數(shù)據(jù)，所以在100腳的VET6上可以用FSMC功能控制液晶屏，如果要控制SRAM則地址線需要從FSMC_A0到FSMC_A18，很多都是在PF引腳上。，所以VET6不能用FSMC功能控制SRAM。

二。FSMC驅(qū)動(dòng)SRAM的原理

三。NOR PSRAM外設(shè)接口

驅(qū)動(dòng)SRAM使用存儲(chǔ)塊1，由4*64MB四個(gè)區(qū)組成

三。存儲(chǔ)塊1操作簡(jiǎn)介

Bank1接的是16位寬度存儲(chǔ)器的時(shí)候，內(nèi)部地址右移一位跟FSMC的地址對(duì)齊，除以2對(duì)齊

因?yàn)樵赟TM32內(nèi)部每個(gè)地址對(duì)應(yīng)一個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)，如果外部設(shè)備是16位寬度，那么外部設(shè)備的一個(gè)地址就代表了FSMC的2個(gè)字節(jié)。

比如 內(nèi)部地址 6000 0000（0） 對(duì)應(yīng)FSMC的A0=0 （A0=0的時(shí)候?qū)?yīng)2個(gè)字節(jié)）

                       6000 0010（2） 對(duì)應(yīng)FSMC的A0=1 （A0=1的時(shí)候?qū)?yīng)2個(gè)字節(jié)）

                       6000 0100（4） 對(duì)應(yīng)FSMC的A1=1，A0=0 （對(duì)應(yīng)2個(gè)字節(jié)）

四。FSMC寄存器介紹

FSMC_BWTRx只有在讀寫時(shí)序不一致的時(shí)候才設(shè)置。

本實(shí)驗(yàn)中EXTMOD位設(shè)置為0，不允許讀寫不同的時(shí)序，因此FSMC_BWTRx寄存器不需要設(shè)置。

片選時(shí)序寄存器（FSMC_BTRx）是很重要的一個(gè)寄存器，控制訪問的時(shí)序。

訪問模式為模式A，因此ACCMOD設(shè)置為00. 控制FSMC只能選用模式A。

五。硬件連接

    為了布線方便，IS62WV51216的地址線A0-A18并沒有與FSMC的地址線A0-A18相對(duì)應(yīng)，但這樣不會(huì)影響使用，因?yàn)榈刂肪哂形ㄒ恍?，比如寫的地址是xx，讀的時(shí)候地址也是xx，所以不存在任何問題，地址線可以隨意亂接的。

  但是數(shù)據(jù)線必須一一對(duì)應(yīng)。

  實(shí)驗(yàn)中CS接的是FSMC_NE3。

六。驅(qū)動(dòng)代碼講解

//使用NOR/SRAM的 Bank1.sector3,地址位HADDR[27,26]=10 

//對(duì)IS61LV25616/IS62WV25616,地址線范圍為A0~A17 

//對(duì)IS61LV51216/IS62WV51216,地址線范圍為A0~A18

#define Bank1_SRAM3_ADDR    ((u32)(0x68000000))  //NE3所在區(qū)的首地址

1. FSMC初始化函數(shù)

//初始化外部SRAM

void FSMC_SRAM_Init(void)

{

  FSMC_NORSRAMInitTypeDef  FSMC_NORSRAMInitStructure;

  FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef  readWriteTiming;

  GPIO_InitTypeDef  GPIO_InitStructure;

  // 所使用的GPIO的初始化     

 //在使用FSMC功能中所有引腳都要設(shè)置成復(fù)用推挽輸出功能    

 RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOD|RCC_APB2Periph_GPIOE|RCC_APB2Periph_GPIOF|   RCC_APB2Periph_GPIOG,ENABLE);  //使能相應(yīng)的GPIO時(shí)鐘

  RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);  //使能FSMC時(shí)鐘

  GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xFF33; //PORTD復(fù)用推挽輸出 ，由于引腳很多，使用了簡(jiǎn)化的方法。

  GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP; //復(fù)用推挽輸出

  GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;

  GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);

  GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xFF83; //PORTE復(fù)用推挽輸出 

  GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure);

  GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xF03F; //PORTD復(fù)用推挽輸出 

  GPIO_Init(GPIOF, &GPIO_InitStructure);

  GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0x043F; //PORTD復(fù)用推挽輸出 

  GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStructure);

   //讀寫時(shí)序的設(shè)置

  //控制FSMC只用到AddressSetupTime和DataSetupTime

   readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x00; //地址建立時(shí)間（ADDSET）為1個(gè)HCLK 

                                                                                           1/72M=14ns

    readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00; //地址保持時(shí)間（ADDHLD）模式A未用到

    readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x03; //數(shù)據(jù)保持時(shí)間（DATAST）為3個(gè)HCLK

                                                                                      4/72M=55ns(對(duì)EM的SRAM芯片)  

    readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;

    readWriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;

    readWriteTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;

    readWriteTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A; //模式A 

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM3;//  這里我們使用NE3 ，也就對(duì)

                                                                                                                               應(yīng)BTCR[4],[5]。

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable; 

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType=FSMC_MemoryType_SRAM; //SRAM  

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b;//存儲(chǔ)器數(shù)

                                                                                                                                                   據(jù)寬度為16bit  

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode =FSMC_BurstAccessMode_Disable;//            FSMC_BurstAccessMode_Disable; 

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low;

   FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait=FSMC_AsynchronousWait_Disable;

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;   

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;  

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable; //存儲(chǔ)器寫使能 

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable;  

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Disable; // 讀寫使用相                                                                                                                                                           同的時(shí)序

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable;  

   FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &readWriteTiming;

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &readWriteTiming; //讀寫同樣時(shí)序

    FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure);  //初始化FSMC配置

    FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM3, ENABLE);  // 使能BANK3  

}

2. 連續(xù)寫函數(shù)

//在指定地址開始,連續(xù)寫入n個(gè)字節(jié).

//pBuffer:字節(jié)指針

//WriteAddr:要寫入的地址

//n:要寫入的字節(jié)數(shù)

void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)

{

for( ; n!=0; n--)  

{    

*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;   //把地址強(qiáng)制轉(zhuǎn)換為u8類型

WriteAddr++; 

pBuffer++;

}   

}     

假設(shè)WriteAddr=0，（注意：寫入的地址是偶數(shù)）那么A0肯定是0

此時(shí)LB=0有效，寫入的數(shù)據(jù)是D0-D7有效 ,D8-D15無效，UB=1

繼續(xù)寫地址1的時(shí)候，寫入的地址就變成6800 0001，此時(shí)自動(dòng)設(shè)置LB=1，無效，UB=0，有效，這時(shí)候高八位有效，因此數(shù)據(jù)就寫入高8位地址。

UB，LB與要寫入的地址的最低位有關(guān)聯(lián)。

如果要寫入的數(shù)據(jù)是16位，那么UB和LB都等于0.而且地址是偶數(shù)。

如果地址是奇數(shù)，要寫一個(gè)16位的數(shù)據(jù)就需要分兩次寫入，一次寫一個(gè)8位。因此如果地址是個(gè)奇數(shù)，寫入一個(gè)16位的數(shù)據(jù)，速度就要減半。     

3. 連續(xù)讀函數(shù)

//在指定地址開始,連續(xù)讀出n個(gè)字節(jié).

//pBuffer:字節(jié)指針

//ReadAddr:要讀出的起始地址

//n:要寫入的字節(jié)數(shù)

void FSMC_SRAM_ReadBuffer(u8* pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n)

{

for(;n!=0;n--)  

{    

*pBuffer++=*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr);    

ReadAddr++; 

}  

} 

4. 測(cè)試函數(shù)

u32 testsram[250000] __attribute__((at(0X68000000)));//測(cè)試用數(shù)組，定義數(shù)組的初始絕對(duì)地址在6800 0000

//外部?jī)?nèi)存測(cè)試(最大支持1M字節(jié)內(nèi)存測(cè)試)    

void fsmc_sram_test(u16 x,u16 y)

{  

u32 i=0;    

u8 temp=0;   

u8 sval=0; //在地址0讀到的數(shù)據(jù)     

  LCD_ShowString(x,y,239,y+16,16,"Ex Memory Test:   0KB"); 

//每隔4K字節(jié),寫入一個(gè)數(shù)據(jù),總共寫入256個(gè)數(shù)據(jù),剛好是1M字節(jié)

for(i=0;i<1024*1024;i+=4096)

{

FSMC_SRAM_WriteBuffer(&temp,i,1);

temp++;

}

//依次讀出之前寫入的數(shù)據(jù),進(jìn)行校驗(yàn)  

  for(i=0;i<1024*1024;i+=4096) 

{

  FSMC_SRAM_ReadBuffer(&temp,i,1);

if(i==0)sval=temp;

  else if(temp<=sval)break;//后面讀出的數(shù)據(jù)一定要比第一次讀到的數(shù)據(jù)大.     

LCD_ShowxNum(x+15*8,y,(u16)(temp-sval+1)*4,4,16,0);//顯示內(nèi)存容量  

  }  

}  

c語言小貼士：

__attribute__,這個(gè)是 用來指定變量或結(jié)構(gòu)位域的特殊屬性,該關(guān)鍵字后的雙括弧中的內(nèi)容是屬性說明。 
然后是at關(guān)鍵字,該關(guān)鍵字可以用來設(shè)置變量的絕對(duì)地址,也就是你可以通過這個(gè)關(guān)鍵字,指定某個(gè)變量處于內(nèi)存里面的某個(gè)給定的地址. 

綜合起來,就是設(shè)置變量處于0X68000000這個(gè)地址.

在使用FSMC功能中所有引腳都要設(shè)置成復(fù)用推挽輸出功能    

讀寫時(shí)序分析

經(jīng)驗(yàn)值 DATAST = 2才能正常工作

單位是HCLK個(gè)時(shí)鐘周期

1個(gè)HCLK時(shí)鐘周期為1/72M=13.8ns

DATAST位的值不能為0.（0為保留）

5. 如何對(duì)SRAM進(jìn)行讀寫

使用指針的方法進(jìn)行讀寫

不需要寫讀寫函數(shù)，可以直接使用指針的方式對(duì)STM32的內(nèi)存地址進(jìn)行訪問。

（1）首先要定義SRAM的基地址：

#defeine SRAM_BASE_ADDR       (0x68000000)  //基地址從0x68000000開始

#define SRAM_SIZE                      (1*1024*1024) //一共有1M字節(jié)

#define SRAM_END_ADDR          (SRAM_BASE_ADDR + SRAM_SIZE)   //SRAM結(jié)束的地址

//用#define定義宏的時(shí)候用括號(hào)是個(gè)習(xí)慣，防止以后如果有運(yùn)算的時(shí)候會(huì)影響宏的運(yùn)算法則。

 （2）定義指針，操作單字節(jié)數(shù)據(jù)

u8 *p;

p = (u8 *)SRAM_BASE_ADDR; //把數(shù)據(jù)SRAM_BASE_ADDR強(qiáng)制轉(zhuǎn)換成指針

*p = 0xAB;    //向0x68000000地址寫入0xAB

如何操作雙字節(jié)數(shù)據(jù)

先定義一個(gè)16位的指針

u16 *p16;

p = (u16 *)SRAM_BASE_ADDR; //把數(shù)據(jù)SRAM_BASE_ADDR強(qiáng)制轉(zhuǎn)換成16位指針

*p16 = 0xCDEF;   //一次可以操作2個(gè)字節(jié)

如何操作浮點(diǎn)數(shù)

定義一個(gè)指向浮點(diǎn)數(shù)的指針

float *pf;

p = (float *)SRAM_BASE_ADDR; //把數(shù)據(jù)SRAM_BASE_ADDR強(qiáng)制轉(zhuǎn)換成指向浮點(diǎn)數(shù)的指針

*pf = 56.35;

使用絕對(duì)地址的方式訪問SRAM

u8 testValue __attribute__ ( (at (SRAM_BASE_ADDR ) ) );

把變量testValue的地址定義到0x68000000

testValue = 50;

注意：使用 __attribute__定義變量時(shí)必須定義為全局變量

否則如果使用局部變量，變量還是會(huì)被定義在內(nèi)部RAM中。