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2018年06月22日 | 行業領先的低損耗特性的超軟IGBT續流二極管

發布者:Yuexiang 關鍵字:IGBT續流二極管  低損耗特性 手機看文章 掃描二維碼
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續流二極管通常是指反向并聯在電感線圈,繼電器,可控硅等儲能元件兩端,在 電路中電壓或電流出現突變時,對電路中其它元件起保護作用的二極管.續流二極管由于在電路中起到續流的作用而得名,一般選擇快速恢復二極管或者肖特基二極管來作為續流二極管。


2018年6月22日,德國慕尼黑訊——英飛凌科技Bipolar GmbH & Co. KG推出專為現代IGBT應用而設計的新型二極管系列:英飛凌Prime Soft。該二極管具備改進的關斷能力,關斷速度可達5 kA/μs。Prime Soft以廣受好評的基于單硅芯片設計的IGCT續流二極管系列為基礎。該二極管的典型應用為使用電壓源變換器的HVDC/FACT和中壓驅動設備,這些應用的特點是對功率損耗的要求很高。


采用新型Prime Soft二極管的客戶將受益于行業領先的低導通損耗。這是通過單硅芯片設計實現的,與多芯片二極管相比,其有效硅芯片面積增加了25%以上。這種新型設計將最高結溫達140°C下開關功率提高到6-10 MW。與硅和鉬載體之間沒有牢固金屬镕接的自由浮動壓接封裝相比,這種新型熔接器件的熱阻降低了大約20%。


除了高可靠性和良好的熱性能外,英飛凌Prime Soft二極管具備最小的開關損耗。它的軟反向恢復性能在所有相關工況下均無不當振蕩。除了電氣參數之外,新的機械概念通過串聯疊壓組件式IGBT和續流二極管來簡化堆疊壓組件結構。這種疊壓組件設計使組裝所需的時間縮短了大約50%。


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壓裝式超軟IGBT續流二極管具備4.5 kV阻斷電壓。該二極管有三種不同的封裝直徑:D1600U45X122、D2700U45X122和D4600U45X172。

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英飛凌 Prime Soft二極管的單硅芯片設計使得有效硅芯片面積增加,相比多芯片二極管而言增加了25%以上。這種新型設計將140°C最高結溫下開關功率提高到6-10 MW。


關鍵字:IGBT續流二極管  低損耗特性 引用地址:行業領先的低損耗特性的超軟IGBT續流二極管

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