~兼具更寬SOA范圍和更低導(dǎo)通電阻，被全球知名云平臺(tái)企業(yè)認(rèn)證為推薦器件~

中國(guó)上海，2025年6月3日——全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，開(kāi)發(fā)出100V耐壓的功率MOSFET*1“RY7P250BM”，是AI服務(wù)器的48V電源熱插拔電路*2以及需要電池保護(hù)的工業(yè)設(shè)備電源等應(yīng)用的理想之選。

RY7P250BM為8×8mm尺寸的MOSFET，預(yù)計(jì)該尺寸產(chǎn)品未來(lái)需求將不斷增長(zhǎng)，可以輕松替代現(xiàn)有產(chǎn)品。另外，新產(chǎn)品同時(shí)實(shí)現(xiàn)了更寬SOA范圍*3（條件：VDS=48V、Pw＝1ms/10ms）和更低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）*4，由此既可確保熱插拔（電源啟動(dòng)）工作時(shí)的更高產(chǎn)品可靠性，又能優(yōu)化電源效率，降低功耗并減少發(fā)熱量。

為了兼顧服務(wù)器的穩(wěn)定運(yùn)行和節(jié)能，熱插拔電路必須具有較寬的SOA范圍，以承受大電流負(fù)載。特別是AI服務(wù)器的熱插拔電路，與傳統(tǒng)服務(wù)器相比需要更寬的SOA范圍。RY7P250BM的SOA在脈寬10ms時(shí)可達(dá)16A、1ms時(shí)也可達(dá)50A，實(shí)現(xiàn)業(yè)界超優(yōu)性能，能夠應(yīng)對(duì)以往MOSFET難以支持的高負(fù)載應(yīng)用。

RY7P250BM是具有業(yè)界超寬SOA范圍的MOSFET，并且實(shí)現(xiàn)了更低導(dǎo)通電阻，從而大幅降低了通電時(shí)的功率損耗和發(fā)熱量。具有寬SOA范圍的普通8×8mm尺寸100V耐壓MOSFET的導(dǎo)通電阻絕大多數(shù)約為2.28mΩ，而RY7P250BM的導(dǎo)通電阻則降低了約18%——僅有1.86mΩ（條件：VGS=10V、ID=50A、Tj=25℃）。這種低導(dǎo)通電阻有助于提升服務(wù)器電源的效率、減輕冷卻負(fù)荷并降低電力成本。

與此同時(shí)，RY7P250BM還被全球知名云平臺(tái)企業(yè)認(rèn)證為推薦器件，預(yù)計(jì)未來(lái)將在AI服務(wù)器領(lǐng)域得到更廣泛的應(yīng)用。在注重可靠性與節(jié)能的服務(wù)器領(lǐng)域中，RY7P250BM更寬SOA范圍與更低導(dǎo)通電阻的平衡在云應(yīng)用中得到了高度好評(píng)。

新產(chǎn)品已經(jīng)暫以月產(chǎn)100萬(wàn)個(gè)的規(guī)模投入量產(chǎn)（樣品價(jià)格800日元/個(gè)，不含稅）。前道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Co., Ltd.（日本滋賀工廠），后道工序的生產(chǎn)基地為OSAT（泰國(guó)）。另外，新產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始通過(guò)電商進(jìn)行銷(xiāo)售，通過(guò)電商平臺(tái)均可購(gòu)買(mǎi)。

未來(lái)，ROHM將繼續(xù)擴(kuò)大適用于服務(wù)器和工業(yè)設(shè)備48V電源的產(chǎn)品陣容，通過(guò)提供效率高且可靠性高的解決方案，為建設(shè)可持續(xù)ICT基礎(chǔ)設(shè)施和節(jié)能貢獻(xiàn)力量。

＜開(kāi)發(fā)背景＞

隨著AI技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心的負(fù)載急劇增加，服務(wù)器功耗也逐年攀升。特別是隨著配備生成式AI和高性能GPU的服務(wù)器日益普及，如何兼顧進(jìn)一步提升電力效率和支持大電流這兩個(gè)相互沖突的需求，一直是個(gè)難題。在此背景下，相較傳統(tǒng)12V電源系統(tǒng)具有更高轉(zhuǎn)換效率的48V電源系統(tǒng)正在加速擴(kuò)大應(yīng)用。另外，在服務(wù)器運(yùn)行狀態(tài)下實(shí)現(xiàn)模塊更換的熱插拔電路中，需要兼具更寬SOA范圍和更低導(dǎo)通電阻的MOSFET，以防止浪涌電流*5和過(guò)載時(shí)造成損壞。新產(chǎn)品“RY7P250BM”在8×8mm尺寸中同時(shí)具備業(yè)界超寬SOA范圍和超低導(dǎo)通電阻，有助于降低數(shù)據(jù)中心的功率損耗、減輕冷卻負(fù)荷，從而提升服務(wù)器的可靠性并實(shí)現(xiàn)節(jié)能。

＜產(chǎn)品主要特性＞

＜應(yīng)用示例＞

• AI（人工智能）服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的48V系統(tǒng)電源熱插拔電路

• 工業(yè)設(shè)備48V系統(tǒng)電源（叉車(chē)、電動(dòng)工具、機(jī)器人、風(fēng)扇電機(jī)等）

• AGV（自動(dòng)導(dǎo)引車(chē)）等電池驅(qū)動(dòng)的工業(yè)設(shè)備

• UPS、應(yīng)急電源系統(tǒng)（電池備份單元）

＜電商銷(xiāo)售信息＞

發(fā)售時(shí)間：2025年5月起

新產(chǎn)品在其他電商平臺(tái)也將逐步發(fā)售。

產(chǎn)品型號(hào)：RY7P250BM

＜關(guān)于EcoMOS?品牌＞

EcoMOS?是ROHM開(kāi)發(fā)的Si功率MOSFET品牌，非常適用于功率元器件領(lǐng)域?qū)?jié)能要求高的應(yīng)用。

EcoMOS?產(chǎn)品陣容豐富，已被廣泛用于家用電器、工業(yè)設(shè)備和車(chē)載等領(lǐng)域。客戶(hù)可根據(jù)應(yīng)用需求，通過(guò)噪聲性能和開(kāi)關(guān)性能等各種參數(shù)從產(chǎn)品陣容中選擇產(chǎn)品。

• EcoMOS?是ROHM Co., Ltd.的商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo)。

＜術(shù)語(yǔ)解說(shuō)＞

*1）功率MOSFET

適用于功率轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)應(yīng)用的一種MOSFET。目前，通過(guò)給柵極施加相對(duì)于源極的正電壓而導(dǎo)通的Nch MOSFET是主流產(chǎn)品，相比Pch MOSFET，具有導(dǎo)通電阻小、效率高的特點(diǎn)。因其可實(shí)現(xiàn)低損耗和高速開(kāi)關(guān)而被廣泛用于電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路和逆變器等應(yīng)用。

*2）熱插拔電路

可在設(shè)備電源運(yùn)轉(zhuǎn)狀態(tài)下實(shí)現(xiàn)元器件插入或拆卸的、支持熱插拔功能的整個(gè)電路。由MOSFET、保護(hù)元件和接插件等組成，負(fù)責(zé)抑制元器件插入時(shí)產(chǎn)生的浪涌電流并提供過(guò)流保護(hù)，從而確保系統(tǒng)和所連接元器件的安全工作。

*3）SOA（Safe Operating Area）范圍

元器件不損壞且可安全工作的電壓和電流范圍。超出該安全工作區(qū)工作可能會(huì)導(dǎo)致熱失控或損壞，特別是在會(huì)發(fā)生浪涌電流和過(guò)電流的應(yīng)用中，需要考慮SOA范圍。

*4）導(dǎo)通電阻（RDS(on)）

MOSFET工作（導(dǎo)通）時(shí)漏極與源極間的電阻值。該值越小，工作時(shí)的損耗（功率損耗）越少。

*5）浪涌電流（Inrush Current）

在電子設(shè)備接通電源時(shí)，瞬間流過(guò)的超過(guò)額定電流值的大電流。因其會(huì)給電源電路中的元器件造成負(fù)荷，所以通過(guò)控制浪涌電流，可防止設(shè)備損壞并提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。