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這款節(jié)省空間的器件最大RthJC低至0.36 ℃ / W，并配有易于吸附焊錫的側(cè)翼，從而改善工業(yè)應(yīng)用的熱性能和可焊性

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日前發(fā)布的器件在10 V下的導(dǎo)通電子典型值為0.88 mW，最大限度降低了傳導(dǎo)造成的功率損耗，從而提高了效率，同時以低至0.36 ℃/W的最大RthJC改善了熱性能。這款節(jié)省空間的器件體積為8 mm x 8 mm，與采用TO-263封裝的MOSFET相比，PCB面積減少50 %，而且其厚度僅為1 mm。

SiEH4800EW采用融合的焊盤，將源焊盤的可焊面積增加到3.35 mm2，比傳統(tǒng)PIN焊接面積大四倍。這降低了MOSFET和PCB之間的電流密度，從而降低了電遷移的風(fēng)險，使設(shè)計更加可靠。此外，器件易于吸附焊錫的側(cè)翼增強(qiáng)了可焊性，同時更容易通過目視檢查焊點(diǎn)的可靠性。

這款MOSFET的常適合同步整流和Oring應(yīng)用。典型應(yīng)用包括電機(jī)驅(qū)動控制器、電動工具、焊接設(shè)備、等離子切割機(jī)、電池管理系統(tǒng)、機(jī)器人和3D打印機(jī)。在這些應(yīng)用中，該器件可在+175 ℃的高溫下工作，而其BWL設(shè)計可將寄生電感降至最低，同時使電流能力最大化。

MOSFET符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素，并且經(jīng)過100 %的Rg和UIS測試。

對比表：D2PAK、PowerPAK 8x8L和 PowerPAK 8x8SW對比

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SiEH4800EW現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為13周。

關(guān)鍵字：Vishay 導(dǎo)通電阻 MOSFET 引用地址：Vishay 新款具有領(lǐng)先導(dǎo)通電阻性能的80 V MOSFET可極大改善工業(yè)應(yīng)用的熱性能和可焊性

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