歷時近3年的聯電涉及違反商業機密法一案被臺中地院作出有罪判決。6月12日，臺中地院宣判，以違反商業機密法等罪將何建廷判刑5年6個月，罰金500萬新臺幣（單位下同）；王永銘4年6個月，罰金400萬；聯電協理戎樂天判刑6年6個月，罰金600萬；聯電被判處罰金1億元。
據悉，此案可追溯至2017年，美光控告，曾在美光工作過的三名員工在加入聯電時竊走了美光的DRAM制程技術，臺中地檢署則起訴了相關員工及聯電。
根據臺灣經濟日報報道，聯電針對臺中地院今日（6月12日）就美光公司控告聯電等人竊取商業秘密案作出之有罪判決，表示將依法提起上訴；聯電強調，并未違反營業秘密法，將依法對有罪判決及高額罰金提起上訴。
聯電表示，公司DRAM制程技術之研發，乃政府投審會事先核準之項目，并為聯電以自有技術為出發點，由三百多位工程師組成的研發團隊(其中多數為聯電經驗豐富的研發人員)通力合作，耗時超過二年自主開發DRAM制程，且保留相關研發紀錄，期盼經此過程訓練的DRAM研發人才與研發結果能根留臺灣。除了工程師們的努力之外，聯電多年累積的研發經驗及傳承，更是驅動開發的中流砥柱。
聯電稱，公司所有技術均為研發團隊自主研發或取得第三人授權。為有效保護客戶包括營業秘密在內的知識產權，聯電在營運的每一環節皆有健全的信息分級、訪問控制及監管機制。聯電并定期對員工施予智財保護相關之教育訓練，以提升員工的法遵意識；定期進行稽核，確保員工執行業務符合公司智財權保護政策。除前所述政策及作為外，聯電也持續引進更為縝密及先進的管理措施及系統，以期能不斷加強并完善知識產權之管理。
聯電強調，公司并未違反商業秘密法，并將依法對有罪判決及高額罰金提起上訴。在上訴審中，聯電將提出本案調查及審理過程中諸多違反刑事訴訟法規定的可議之處，譬如偵訊過程中有不當誘導訊問；對聯電有利的陳述未能詳實記載于調查筆錄中；電磁及其他證據在鑒識上不符規定等等。聯電堅信上訴法院若能依法并公正審酌本案證據，必能證明聯電并未違反商業秘密法。
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