內(nèi)部Flash       

       STM32芯片內(nèi)部有一個(gè)FLASH存儲(chǔ)器，主要用于存儲(chǔ)代碼。我們?cè)陔娔X上編寫好應(yīng)用程序后，使用下載器把編譯后的代碼文件燒錄到該內(nèi)部FLASH中，由于FLASH存儲(chǔ)器的內(nèi)容在掉電后不會(huì)丟失，芯片重新上電復(fù)位后，內(nèi)核可從內(nèi)部FLASH中加載代碼并運(yùn)行。

       除了使用外部的工具（如下載器）讀寫內(nèi)部FLASH外，STM32芯片在運(yùn)行的時(shí)候，也能對(duì)自身的內(nèi)部FLASH進(jìn)行讀寫，因此，若內(nèi)部FLASH存儲(chǔ)了應(yīng)用程序后還有剩余的空間，我們可以把它像外部SPI-FLASH那樣利用起來(lái)，存儲(chǔ)一些程序運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生的需要掉電保存的數(shù)據(jù)。

       由于訪問(wèn)內(nèi)部FLASH的速度要比外部的SPI-FLASH快得多，所以在緊急狀態(tài)下常常會(huì)使用內(nèi)部FLASH存儲(chǔ)關(guān)鍵記錄；為了防止應(yīng)用程序被抄襲，有的應(yīng)用會(huì)禁止讀寫內(nèi)部FLASH中的內(nèi)容，或者在第一次運(yùn)行時(shí)計(jì)算加密信息并記錄到某些區(qū)域，然后刪除自身的部分加密代碼，這些應(yīng)用都涉及到內(nèi)部FLASH的操作。

如圖所示為內(nèi)部Flash結(jié)構(gòu)（大容量）：

主要功能描述：

主存儲(chǔ)器中保存了我們燒寫到Flash中的程序；

啟動(dòng)程序代碼（系統(tǒng)存儲(chǔ)區(qū)）：是用戶不能訪問(wèn)的區(qū)域，它在芯片出廠時(shí)已經(jīng)固化了啟動(dòng)代碼，它負(fù)責(zé)實(shí)現(xiàn)串口、USB以及CAN等ISP燒錄功能；

用戶選擇字節(jié)（選項(xiàng)字節(jié)）：選項(xiàng)字節(jié)用于配置FLASH的讀寫保護(hù)、待機(jī)/停機(jī)復(fù)位、軟件/硬件看門狗等功能；

主存儲(chǔ)器：

       通常我們說(shuō)STM32內(nèi)部FLASH的時(shí)候，都是指這個(gè)主存儲(chǔ)器區(qū)域，它是存儲(chǔ)用戶應(yīng)用程序的空間，芯片型號(hào)說(shuō)明中的256K FLASH、512K FLASH都是指這個(gè)區(qū)域的大小。

        主存儲(chǔ)器分為256頁(yè)，每頁(yè)大小為2KB，共512KB。這個(gè)分頁(yè)的概念，實(shí)質(zhì)就是FLASH存儲(chǔ)器的扇區(qū)，與其它FLASH一樣，在寫入數(shù)據(jù)前，要先按頁(yè)（扇區(qū)）擦除。

對(duì)內(nèi)部Flash的寫入過(guò)程：

1 解鎖：

閃存編程手冊(cè)說(shuō)明：

操作過(guò)程：

操作的寄存器：

2 頁(yè)擦除：

閃存編程手冊(cè)說(shuō)明：

執(zhí)行流程：

具體的實(shí)現(xiàn)過(guò)程：

涉及到的寄存器：

還有不常使用的全片擦除（防止破解）：

3 寫入數(shù)據(jù)：

擦除完畢后即可寫入數(shù)據(jù)，寫入數(shù)據(jù)的過(guò)程并不是僅僅使用指針向地址賦值，賦值前還還需要配置一系列的寄存器，步驟如下：

檢查 FLASH_SR 中的 BSY 位，以確認(rèn)當(dāng)前未執(zhí)行任何其它的內(nèi)部 Flash 操作；

將 FLASH_CR 寄存器中的 “激活編程寄存器位 PG” 置 1；

向指定的 FLASH 存儲(chǔ)器地址執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入操作，每次只能以 16位的方式寫入；

等待 BSY 位被清零時(shí)，表示寫入完成；

閃存編程手冊(cè)中的描述：

操作內(nèi)部Flash的庫(kù)函數(shù)

解鎖 + 上鎖

void FLASH_Unlock(void)

{

  /* Authorize the FPEC of Bank1 Access */

  FLASH->KEYR = FLASH_KEY1;

  FLASH->KEYR = FLASH_KEY2;

}

void FLASH_Lock(void)

{

  /* Set the Lock Bit to lock the FPEC and the CR of  Bank1 */

  FLASH->CR |= CR_LOCK_Set;

}

擦除扇區(qū)

/**

  * @brief  Erases a specified FLASH page.

  * @note   This function can be used for all STM32F10x devices.

  * @param  Page_Address: The page address to be erased.

  * @retval FLASH Status: The returned value can be: FLASH_BUSY, FLASH_ERROR_PG,

  *         FLASH_ERROR_WRP, FLASH_COMPLETE or FLASH_TIMEOUT.

  */

FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address)

{

  FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;

  /* 等待上一次操作完成 */

  status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);

  if(status == FLASH_COMPLETE)

  { 

    /* 準(zhǔn)備擦除頁(yè) */

    FLASH->CR|= CR_PER_Set;

    FLASH->AR = Page_Address; 

    FLASH->CR|= CR_STRT_Set;

    /* 等待操作完成 */

    status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);

    /* 禁用頁(yè)擦除 */

    FLASH->CR &= CR_PER_Reset;

  }

  return status;

}

閃存編程（一次必須寫入16位）

/**

  * @brief  Programs a half word at a specified address.

  * @note   This function can be used for all STM32F10x devices.

  * @param  Address: specifies the address to be programmed.

  * @param  Data: specifies the data to be programmed.

  * @retval FLASH Status: The returned value can be: FLASH_ERROR_PG,

  *         FLASH_ERROR_WRP, FLASH_COMPLETE or FLASH_TIMEOUT. 

  */

FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data)

{

  FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;

  /* Wait for last operation to be completed */

  status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);

  if(status == FLASH_COMPLETE)

  {

    /* if the previous operation is completed, proceed to program the new data */

    FLASH->CR |= CR_PG_Set;

    /* 把地址參數(shù)強(qiáng)制轉(zhuǎn)換為指針，再通過(guò)指針操作寫入數(shù)據(jù) */

    *(__IO uint16_t*)Address = Data;

    /* Wait for last operation to be completed */

    status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);

    /* Disable the PG Bit */

    FLASH->CR &= CR_PG_Reset;

  } 

  /* Return the Program Status */

  return status;

}

實(shí)驗(yàn)：讀寫內(nèi)部Flash

/**

  * @brief  InternalFlash_Test,對(duì)內(nèi)部FLASH進(jìn)行讀寫測(cè)試

  * @param  None

  * @retval None

  */

int InternalFlash_Test(void)

{

uint32_t EraseCounter = 0x00; //記錄要擦除多少頁(yè)

uint32_t Address = 0x00; //記錄寫入的地址

uint32_t Data = 0x3210ABCD; //記錄寫入的數(shù)據(jù)

uint32_t NbrOfPage = 0x00; //記錄寫入多少頁(yè)

FLASH_Status FLASHStatus = FLASH_COMPLETE; //記錄每次擦除的結(jié)果

TestStatus MemoryProgramStatus = PASSED;//記錄整個(gè)測(cè)試結(jié)果

  /* 解鎖 */

  FLASH_Unlock();

  /* 計(jì)算要擦除多少頁(yè) */

  NbrOfPage = (WRITE_END_ADDR - WRITE_START_ADDR) / FLASH_PAGE_SIZE;

  /* 清空所有標(biāo)志位 */

  FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);

  /* 按頁(yè)擦除*/

  for(EraseCounter = 0; (EraseCounter < NbrOfPage) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE); EraseCounter++)

  {

    FLASHStatus = FLASH_ErasePage(WRITE_START_ADDR + (FLASH_PAGE_SIZE * EraseCounter));

}

  /* 向內(nèi)部FLASH寫入數(shù)據(jù) */

  Address = WRITE_START_ADDR;

  while((Address < WRITE_END_ADDR) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE))

  {

    FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(Address, Data);

    Address = Address + 4;

  }

  FLASH_Lock();

  /* 檢查寫入的數(shù)據(jù)是否正確 */

  Address = WRITE_START_ADDR;

  while((Address < WRITE_END_ADDR) && (MemoryProgramStatus != FAILED))

  {

    if((*(__IO uint32_t*) Address) != Data)

    {

      MemoryProgramStatus = FAILED;

    }

    Address += 4;

  }

return MemoryProgramStatus;

}

主要流程：

實(shí)驗(yàn)結(jié)果：