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stm32f407zgt6的flash有1M容量，總共分為11個扇區，每個扇區的地址和大小如下所示

#define ADDR_FLASH_SECTOR_0 ((u32)0x08000000) //扇區0起始地址, 16 Kbytes

#define ADDR_FLASH_SECTOR_1 ((u32)0x08004000) //扇區1起始地址, 16 Kbytes

#define ADDR_FLASH_SECTOR_2 ((u32)0x08008000) //扇區2起始地址, 16 Kbytes

#define ADDR_FLASH_SECTOR_3 ((u32)0x0800C000) //扇區3起始地址, 16 Kbytes

#define ADDR_FLASH_SECTOR_4 ((u32)0x08010000) //扇區4起始地址, 64 Kbytes

#define ADDR_FLASH_SECTOR_5 ((u32)0x08020000) //扇區5起始地址, 128 Kbytes

#define ADDR_FLASH_SECTOR_6 ((u32)0x08040000) //扇區6起始地址, 128 Kbytes

#define ADDR_FLASH_SECTOR_7 ((u32)0x08060000) //扇區7起始地址, 128 Kbytes

#define ADDR_FLASH_SECTOR_8 ((u32)0x08080000) //扇區8起始地址, 128 Kbytes

#define ADDR_FLASH_SECTOR_9 ((u32)0x080A0000) //扇區9起始地址, 128 Kbytes

#define ADDR_FLASH_SECTOR_10 ((u32)0x080C0000) //扇區10起始地址,128 Kbytes

#define ADDR_FLASH_SECTOR_11 ((u32)0x080E0000) //扇區11起始地址,128 Kbytes

讀取一個字函數：

u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr)

{

return *(vu32* )faddr; //將地址轉換成指針類型，再取值

}

讀取N個字到數組中

void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u32 *pBuffer,u16 NumToRead)

{

u16 i;

for(i=0;i {

pBuffer[i]=STMFLASH_ReadWord(ReadAddr);

ReadAddr+=4;//以字的形式讀取，每次地址加4

}

寫數據到flash

void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u32 *pBuffer,u16 NumToWrite)

{

FLASH_Status status=FLASH_COMPLETE; //flash狀態

u32 endaddr=WriteAddr+4*NumToWrite; //寫入數據的結束地址

if(WriteAddr return;

FLASH_Unlock(); 解鎖flash

FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_WRPERR);//清除標志位

FLASH_DataCacheCmd(DISABLE); //flash擦除期間，禁止緩存數據

status=FLASH_EraseSector(STMFLASH_GetFlashSector(WriteAddr),VoltageRange_3); //擦除地址所在扇區，并返回狀態

if(status==FLASH_COMPLETE)

{

while(WriteAddr {

if(FLASH_ProgramWord(WriteAddr,*pBuffer)!=FLASH_COMPLETE) //寫入數據

{

break;

}

WriteAddr+=4;

pBuffer++;

}

FLASH_DataCacheCmd(ENABLE); 打開數據緩存

FLASH_Lock();上鎖

}

一般使用stm32自帶flash存儲的都是一次寫入的固定只讀數據，1是flash壽命不行，2是flash容量比較大，在擦除扇區時，數據無法保存，本例程中使用的是字形式進行讀取，也可以改成半字或其他形式。

源碼在這我的github；借鑒正點原子

關鍵字：stm32f407 flash 模擬eeprom 引用地址：stm32f407學習筆記之flash模擬eeprom

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