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2020年01月02日 | MSP432學習筆記:比較器E模塊

發布者:溫雅如風 來源: eefocus關鍵字:MSP432  比較器E模塊 手機看文章 掃描二維碼
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ComaratorE是具有用于多達16個通道一般比較器的功能的模擬電壓比較器


23.1 COMP_E簡介所述COMP_E模塊支持精確的斜率模 - 數轉換,電壓監控及外部模擬信號的監視。


COMP_E的特點包括


? 反相和同相端子輸入多路復用


? 對于比較器輸出軟件可選RC濾波器


? 提供給定時器A捕捉的輸入輸出


? 端口輸入緩沖器的軟件控制


? 中斷能力? 可選擇的參考電壓發生器,電壓發生器的滯后


? 從共享基準參考電壓輸入


? 超低功耗比較器模式


? 中斷驅動的測量系統,


用于低功率操作支持圖23-1 示出了COMPE框

23.2 COMP_E操作

所述COMP_E模塊由用戶軟件進行配置。COMP_E的設置和操作在下面的章節中討論。


23.2.1比較

( - )輸入端的比較器的模擬電壓在正(+)和負相比較。如果+接線端是更積極比 - 末端,比較器輸出CEOUT高。比較器可以打開或關閉使用控制位世隆進行切換。比較器應在不關閉使用,以減少電流消耗。當比較器處于關閉狀態,CEOUT是低時CEOUTPOL位被設置為0,并且當CEOUTPOL位被設置為1 CEOUT高。要優化的應用,滿足比較器的速度要求的最低功耗模式的電流消耗(參見比較器傳播延遲和響應時間的特定于設備的數據表)應與CEPWRMD比特來選擇。該CEPWRMD位默認為0x0,這是最高的動力和最快的速度。CEPWRMD = 0X2是最低的功率和速度最慢的選項。


23.2.2模擬輸入開關

模擬輸入切換兩個比較輸入端連接或斷開,以使用CEIPSELx和CEIMSELx位相關的端口引腳。比較器的輸入終端可以單獨控制。該

CEIPSELx和CEIMSELx位允許:

? 到V +比較器的V-端子的外部信號中的應用和

? 內部基準電壓的路由至相關聯的輸出端口引腳

? 外部電流源(例如,電阻器),以將比較器的V +或V-端子的應用

? 內部多路復用器向外部內部的兩個端子的映射,則輸入開關被構造為T型開關來抑制在信號路徑中的失真。

注:比較器輸入連接

當比較器接通時,輸入端子應連接到一個信號,功率,或接地。否則,浮動水平可能會導致意外的中斷和電流消耗增

加。

所述CEEX位控制輸入多路復用器,置換比較器V +和V-端子的輸入信號。此外,當比較器端子被置換,來自比較器的輸出信號被太

反轉。這允許用戶以確定或補償比較器的輸入偏移電壓。


23.2.3端口邏輯

與比較器信道相關聯的PX.Y引腳由CEIPSELx或CEIMSELx位啟用禁用其數字部件,同時用作比較器的輸入。只的比較器輸入管腳之一

被選擇作為輸入到在一個時間比較器由輸入多路轉換器。

23.2.4輸入短路開關

所述CESHORT位短路的Comparator_E輸入。這可以用于建立一個簡單的對比較器取樣和保持(見 圖23-2 )。

所需的采樣時間與采樣電容器的尺寸(CS)、與短開關串聯的輸入開關的電阻(RI)和外部源的電阻(RS)成正比。采樣電容CS應大于100pf,充電時間常數Tau可由式12計算。Tau = (RI + RS) CS(12)根據要求的精度,采樣時間為3 ~ 10 Tau。3 Tau的采樣電容被充電到輸入信號電壓電平的95%左右,5 Tau的采樣電容被充電到99%以上,10 Tau的采樣電壓足以保證12位精度


23.2.5輸出濾波器比較器的輸出可帶或不帶內部濾波。在設置控制位CEF時,使用片內RC濾波器對輸出進行過濾。濾波器的延時可以通過四個不同的步驟進行調整。當輸入端子之間的電壓差很小時,所有比較器輸出都會振蕩(如圖23- 3所示),這是由信號線、供電線路和系統其他部分之間的內外部寄生效應和交叉耦合造成的。比較器輸出振蕩降低了比較結果的精度和分辨率。選擇輸出濾波器可以減少與比較器振蕩相關的誤差。

23.2.6基準電壓發生器


圖23-4顯示了Comparator_E引用框圖

圖23。基準發生器框圖

比較器和比較器輸出的中斷標志在來自共享引用的參考電壓穩定時保持不變。如果將CEREFLx從一個非零值更改為另一個非零值,中斷標志可能會顯示不可預知的行為。建議設置CEREFLx =00之前更改CEREFLx設置


電壓基準發生器用于生成VREF, VREF可應用于任意一個比較器輸入端。CEREF1x (VREF1)和CEREF0x (VREF0)位控制電壓發生器的輸出。CERSEL位選擇應用VREF的比較器終端。如果外部信號被應用到兩個比較器輸入端,內部參考發生器應該關閉以減少電流消耗。電壓基準發生器可以產生器件VCC的一部分或集成精密電壓基準源的一部分電壓基準。當CEOUT為1時使用Vref1,當CEOUT為0時使用Vref0。這允許在不使用外部組件的情況下產生滯后


23.2.7端口禁用寄存器(CEPD)比較器的輸入和輸出功能與相關的I/O端口引腳復用,這些引腳是數字CMOS門。當模擬信號應用于數字CMOS門時,寄生電流可以從VCC流向GND。如果輸入電壓接近柵極的過渡電平,就會產生寄生電流。禁用端口pin緩沖區可以消除寄生電流流,從而減少總體電流消耗。設置CEPDx位后,禁用相應的Px。y輸入緩沖器如圖23-5所示。當當前消耗是關鍵時,任意Px。連接到模擬信號的y引腳應該用它們相關的CEPDx位禁用。選擇具有CEIPSEL或CEIMSEL位的比較器多路復用器的輸入管腳將自動禁用該管腳的輸入緩沖區,而不管相關的CEPDx位的狀態如何。

23.2.8 Comparator_E中斷一個中斷標志和一個中斷向量與Comparator_E關聯。中斷標志CEIFG設置在比較器輸出的上升邊緣或下降邊緣,由CEIES位選擇。當CEIFG和CEIE位都設置好時,比較器發出中斷信號。當NVIC適當地啟用比較器中斷時,CPU可以為比較器中斷提供服務。注意:改變CEIES位的值可能會設置比較器中斷標志CEIFG。即使比較器被禁用(CEON = 0),也會發生這種情況。建議在配置比較器以獲得適當的運行中斷行為之后清除CEIFG。


23.2.9用于測量電阻元件的Comparator_E

采用單斜率模數轉換方法,優化比較器可以實現電阻元件的精確測量。例如,通過比較熱敏電阻的電容放電時間和參考電阻的放電時間,溫度可以用熱敏電阻轉換成數字數據(見圖23-6)。將參考電阻Rref與Rmeas進行比較

Rmeas測得的溫度計算資源為:


?兩個數字I/O引腳為電容器充放電。


?I/O設置為輸出高(VCC)給電容充電,復位為放電。


?不使用時,I/O用CEPDx集切換到高阻抗輸入。


?一個輸出充電和放電電容通過Rref。


?一個輸出通過Rmeas放電電容器。


?+端連接到電容器的正端。


?-終端連接到一個參考水平,例如0.25×VCC。


?輸出濾波器應用于最小化開關噪聲。


?CEOUT用于門控計時器捕獲電容器放電時間。


可以測量多個電阻元件。附加元素連接到C0


可用的I/O引腳和切換到高阻抗時,沒有被測量。


熱敏電阻的測量是基于比率轉換原理。兩個電容的比值


放電次數計算如圖23-7所示。

VCC電壓和電容值在轉換過程中應保持恒定,但不是臨界值,因為它們在公式13的比值中相互抵消

23.3 COMP_E寄存器

表23-1列出了COMP_E寄存器及其地址偏移量。有關模塊的基本地址,請參閱特定于設備的數據表

注意:這是一個16位模塊,只能通過字節(8位)或半字(16位)訪問。對該模塊的32位讀寫訪問會導致總線錯誤。

有關以下部分中使用的寄存器位訪問和重置約定的詳細信息,請參閱

前言


23.3.1 CExCTL0 Register (offset = 00h) [reset = 0000h]


Comparator_E控制寄存

23.3.2 CExCTL1寄存器(偏移值= 02H)[復位= 0000H]

Comparator_E控制寄存1

23.3.4 CExCTL3寄存器(偏移值= 06H)[復位= 0000H]

Comparator_E控制寄存器3

23.3.4 CExCTL3寄存器(偏移值= 06H)[復位= 0000HComparator_E控制寄存

 

23.3.5 CExINT寄存器(偏移值= 0CH)[復位= 0000H]

Comparator_E中斷控制寄存器

23.3.6 CExIV寄存器(偏移值= 0EH)[復位= 0000H]

Comparator_E中斷向量寄存器

 

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