概述

本章STM32CUBEMX配置STM32F103，并且在GD32F303中進行開發，同時通過開發板內進行驗證。 本例程主要講解如何對芯片自帶Flash進行讀寫，用芯片內部Flash可以對一些需要斷電保存的數據進行保存，無需加外部得存儲芯片，本例程采用的是STM32F103ZET6進行移植，512K大小的Flash。 

樣品申請

https://www.wjx.top/vm/mB2IKus.aspx

生成例程

這里準備了自己繪制的開發板進行驗證。

配置時鐘樹，配置時鐘為64M。

查看原理圖，PA9和PA10設置為開發板的串口。

配置串口。

串口重定向

在main.c中，添加頭文件，若不添加會出現 identifier 'FILE' is undefined報錯。

/* USER CODE BEGIN Includes */

#include 'stdio.h'

/* USER CODE END Includes */

函數聲明和串口重定向：

/* USER CODE BEGIN PFP */

/* retarget the C library printf function to the USART */

int fputc(int ch, FILE *f)

{

    HAL_UART_Transmit(&huart2 , (uint8_t *)&ch, 1, 0xFFFF);

    return ch;

}

/* USER CODE END PFP */

FLASH定義

對于STM32F103，有低、鐘、高密度的FLASH類型。

低密度

中密度

高密度

對于STM32F103ZE,FLASH大小為512KB，固為高密度的Flash。

變量定義

/* USER CODE BEGIN 0 */

uint32_t WriteFlashData[3] = {0x11111111,0x22222222,0x33333333};//數據

uint32_t WriteFlashData1[3] = {0x44444444,0x55555555,0x66666666};//數據

uint32_t addr = 0x0807F800;//page 255

uint32_t addr1 = 0x0807FC00;//page 255+1k

void PrintFlashTest(uint32_t L,uint32_t addr);

void WriteFlashTest(uint32_t L,uint32_t Data[],uint32_t addr);

/* USER CODE END 0 */

如果要對FLASH進行寫入數據，需要執行以下四步：

解鎖FLASH

擦除FLASH

寫入FLASH

鎖住FLASH

擦除只能是按頁或者整塊擦除。 STM32F103ZET6和GD32F403ZET6的Flash容量是512KB,所以只有255頁，每頁2KB。 我們可以寫入到頁255中，即0x0807F800-0x0807FFFF中。 由于單片機是32位，故連續寫入多個uint32_t的數據時，地址應該依次增加4。

/* USER CODE BEGIN 4 */

/*FLASH寫入程序*/

void WriteFlashTest(uint32_t L,uint32_t Data[],uint32_t addr)

{

    uint32_t i=0;

    /* 1/4解鎖FLASH*/

    HAL_FLASH_Unlock();

    /* 2/4擦除FLASH*/

    /*初始化FLASH_EraseInitTypeDef*/

    /*擦除方式頁擦除FLASH_TYPEERASE_PAGES，塊擦除FLASH_TYPEERASE_MASSERASE*/

    /*擦除頁數*/

    /*擦除地址*/

    FLASH_EraseInitTypeDef FlashSet;

    FlashSet.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;

    FlashSet.PageAddress = addr;

    FlashSet.NbPages = 1;

    /*設置PageError，調用擦除函數*/

    uint32_t PageError = 0;

    HAL_FLASHEx_Erase(&FlashSet, &PageError);

    /* 3/4對FLASH燒寫*/

    for(i=0;i< L;i++)

    {

        HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, addr+4*i, Data[i]);

    }

    /* 4/4鎖住FLASH*/

    HAL_FLASH_Lock();

}

/*FLASH讀取打印程序*/

void PrintFlashTest(uint32_t L,uint32_t addr)

{

    uint32_t i=0;

    for(i=0;i< L;i++)

    {

        printf('naddr is:0x%x, data is:0x%x', addr+i*4,  *(__IO uint32_t*)(addr+i*4));

    }

}

/* USER CODE END 4 */

主程序

/* Infinite loop */

  /* USER CODE BEGIN WHILE */

  while (1)

  {

    /* USER CODE END WHILE */

    /* USER CODE BEGIN 3 */

        WriteFlashTest(3,WriteFlashData,addr);

        WriteFlashTest(3,WriteFlashData1,addr1);

        PrintFlashTest(3,addr);

        PrintFlashTest(3,addr1);

        HAL_Delay(5000);

  }

  /* USER CODE END 3 */

演示效果

可以看見，對于高容量，頁的大小位2k，故寫入addr1時候，addr的數據就被擦除了。