宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出新型EPC9149演示板。該板為一款可提供1 kW功率的48 V輸入、12 V輸出的LLC轉換器，可作為直流變壓器，轉換比為4：1。EPC9149采用額定電壓為100V的EPC2218氮化鎵場效應晶體管（eGaNFET）和額定電壓為40V的EPC2024。
EPC9149的尺寸是根據DOSA標準的1/8磚型，僅為58.4 mm x 22.9 mm。輸出功率是1 kW時，EPC9149比基于硅器件的解決方案要小得多，后者的尺寸通常是1/4磚或大兩倍。不帶散熱器的轉換器的總厚度僅為10 mm。為了讓工程師能夠輕松地復制這個設計，該電路板的所有設計資源，包括原理圖、物料清單和Gerber文檔，都可以在EPC網站上找到。
憑借EPC公司的氮化鎵場效應晶體管（eGaNFET）技術，才可以實現1226 W / in3的高功率密度。eGaN FET具有高開關頻率，這個板子的頻率是1 MHz且微型，其尺寸僅為采用相同導通電阻的硅MOSFET的板子的1/3。EPC9149采用4個用于一次側同步整流、額定電壓為100 V的EPC2218 ，以及采用8個用于二次側同步整流、40 V的EPC2024器件。該板還采用尺寸為4mm x 4mm 的Microchip dsPIC33CKMP102T-I/M6控制器, 可實現高靈活性、進行配置、通信和編程，從而充分發(fā)揮氮化鎵場效應晶體管的性能。
EPC9149演示板可以在36 V至60 V的輸入電壓下工作，并輸出高達83.3 A的負載電流。輸入電壓在48V至12V時的峰值效率為98％，在提供1 kW功率、12 V時的滿載效率為97％。在最大負載和400 LFM氣流下，最高穩(wěn)態(tài)工作溫度為88°C，最高結溫為95°C。
EPC首席執(zhí)行官Alex Lidow表示：“eGaN FET和集成電路提高了48 V/12 V轉換器的功率密度，并滿足了數據中心對于小尺寸、更高功率的應用需求。Microchip數字控制器使得EPC9149演示板可靈活地進行編程和配置。”
EPC9149發(fā)貨時隨附主板以簡化測試。
宜普電源轉換公司是基于增強型氮化鎵（eGaN?）的功率管理器件的領先供貨商，氮化鎵(eGaN)場效應晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目標應用包括直流- 直流轉換器、激光雷達（LiDAR）、用于電動運輸、機器人和無人機的電機驅動器，以及低成本衛(wèi)星等應用。此外，宜普電源轉換公司繼續(xù)擴大基于eGaN IC的產品系列，為客戶提供進一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。
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