示波器的體檢被一些工程師認為是浪費時間和金錢,甚至有工程師在示波器使用3年后都沒有意識到需要對示波器進行檢查,直到示波器的速度越來越慢,測試的精度漂移越來越嚴重。其實這些都是可以通過我們定期對示波器進行體檢來預防的。
你的示波器是否健康,多長時間進行一次體檢?來自泰克對全球500位工程師使用示波器的習慣與維護方法調查表明,85%的工程師一年進行一次示波器校準,72%的工程師會定期檢查及保養示波器,67%的工程師明確了解其使用的環境及要求,65%的工程師明確了解其測試的要求。
認識三大殺手
所有測試儀器故障中,硬件問題只占不到一成,更多的是由于儀器缺少定期的點檢、保養和示波器的使用不當導致性能差異,需要進行維修或者調整。示波器出故障,一般有如下三大殺手。
No1. 超量程操作。 70%示波器板級損壞都是因為測試信號過量程導致,所以示波器請嚴格遵守信號輸入量程要求,大家請注意,對于示波器這個測試儀器來說,通道直接輸入通常是分50Ω和1MΩ兩種(特別的還有75Ω)允許輸入電壓信號不同,請特別注意,當接入探頭時,請兩者綜合考量。
No2. 靜電。有時靜電會高達1萬多伏,靜電放電可能導致儀器誤動作,可能會擊穿集成電路和精密電子元器件,或者促使元器件老化,甚至還可能會引起人身安全。此外靜電還會導致靜電吸引,導致灰塵吸附,導致集成電路和元器件的污染。
No3. 惡劣自然環境。通常涉及溫度,濕度,振動,海拔等要素。例如一般儀器工作的溫度范圍為0-50度,如果零下十幾二十度的溫度可能會導致儀器不能正常啟動或者甚至屏幕凍裂等問題。
清潔你的示波器。
防患于未然。定期預防維護可防止示波器故障,確保其可靠性。在示波器發生維修或調整之前,需要定期進行示波器的預防性維護。關于周期的問題,多久做一次維護取決于示波器使用環境的惡劣程度,例如在標準實驗室中一般需要3個月進行一次檢查和清潔,如果在比較惡劣環境并有較多灰塵的現場使用,則需要每個月甚至每兩周進行一次,具體根據情況而定。
每次檢查及清潔必須在機器關掉、并且物理上電源線完全斷開電壓的電壓下進行。外部清潔時要注意防止示波器受潮,外觀檢查要看示波器外部有無損壞、磨損和缺件,內部檢查則建議通過廠家專業的工程師進行檢查和維護。
示波器的校準
很多工程師在繁忙的測試工作中會忽略掉儀器的校準,對于測試儀器校準周期的要求并不是很清楚。有些工程師只是在有大項目啟動時才會想起測試儀器需要進行校準。被忽略掉的校準工作,對于示波器的使用壽命有著關鍵性的作用。
對于絕大部分測試儀器來說,行業內一般要求1年進行一次校準,例如示波器、萬用表、信號發生器、探頭等。但是當使用環境或應用的場景不同可能會有不同的校準要求,例如極端的測試環境下,或者關鍵測量時,可能要更頻繁的進行儀器校準。泰克為此撰寫了示波器維護保養手冊,供工程師下載參考使用:https://www.tek.com.cn/campaign/sso
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史海拾趣
GeneSiC Semiconductor公司的發展故事
故事一:技術先驅與高性能SiC器件的開創
GeneSiC Semiconductor自成立以來,便致力于高性能碳化硅(SiC)功率器件的研發與生產。作為碳化硅技術的先驅,GeneSiC在2000年代初便開始布局,并成功開發出多款領先業界的SiC二極管和MOSFET技術。其產品覆蓋從650V到6.5kV的廣泛電壓范圍,滿足從20W到20MW不同應用場景的需求。這些技術突破不僅提升了系統效率,還顯著增強了設備的可靠性和耐用性,為汽車、工業和國防等多個領域帶來了革命性的變化。
故事二:政府機構項目的深度參與
GeneSiC與全球多個政府機構緊密合作,參與了眾多前沿技術研發項目。例如,為美國能源部(DOE)開發的6.5kV SiC晶閘管用于儲能系統,以及為NASA金星探測任務提供的500°C單片集成SiC超結晶體管JBS二極管(MIDSJT)。這些項目不僅展示了GeneSiC在極端環境下的技術實力,還推動了SiC技術在關鍵領域的廣泛應用。通過不斷的技術創新與合作,GeneSiC在提升全球科技水平方面做出了重要貢獻。
故事三:電動汽車市場的深度布局
隨著電動汽車市場的快速崛起,GeneSiC迅速調整戰略,將SiC技術應用于電動汽車的關鍵部件中。其高性能的SiC MOSFET和二極管不僅提升了電動汽車的充電效率和續航里程,還降低了電池系統的熱損耗和重量。此外,GeneSiC還為快速充電站開發了高效、穩健的解決方案,如SK Signet的350kW快速充電器便采用了GeneSiC的SiC二極管,為電動汽車的快速普及提供了有力支持。
故事四:工業領域的廣泛應用
在工業領域,GeneSiC的SiC技術同樣展現出強大的競爭力。以埃克西德技術為例,該公司采用GeneSiC的SiC功率半導體,確保了其下一代工業材料處理設備的高頻快速充電器的可靠性、安全性和易用性。GeneSiC的SiC MOSFET和MPS肖特基二極管在高頻、大功率的應用場景下表現出色,為工業自動化和智能制造提供了強有力的技術支持。
故事五:與納微半導體的戰略合并
2022年,氮化鎵(GaN)功率芯片領導者納微半導體宣布收購GeneSiC Semiconductor,這一戰略合并標志著兩家公司在下一代功率半導體領域的強強聯合。合并后的公司不僅擁有全面的SiC和GaN技術組合,還通過資源整合和市場拓展,進一步鞏固了其在全球功率半導體市場的領先地位。GeneSiC的豐富技術積累和納微半導體的市場渠道優勢相結合,為雙方帶來了新的增長動力和市場機遇。
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