2月4日，兆易創(chuàng)新在互動(dòng)平臺(tái)表示，預(yù)計(jì)上半年公司會(huì)有自研DRAM產(chǎn)品推出。
據(jù)兆易創(chuàng)新此前透露，其自研第一個(gè)產(chǎn)品會(huì)是DDR34Gb容量，面向利基市場(chǎng)。
雖然此前在DRAM內(nèi)存芯片布局上，兆易創(chuàng)新主要是通過(guò)其與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股集團(tuán)合作的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)來(lái)進(jìn)行布局。但是，兆易創(chuàng)新的自研DRAM項(xiàng)目也早已開(kāi)始。
2020年5月，兆易創(chuàng)新宣布與Rambus就RRAM (電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器) 技術(shù)簽署專利授權(quán)協(xié)議。同時(shí)，兆易創(chuàng)新還與其同Rambus 以及幾家戰(zhàn)略投資伙伴的合資企業(yè)——合肥睿科微（Reliance Memory）簽署了授權(quán)協(xié)議 。
根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，兆易創(chuàng)新從Rambus和睿科微獲得180多項(xiàng)RRAM技術(shù)相關(guān)專利和應(yīng)用，這將有助于兆易創(chuàng)新在新型存儲(chǔ)器RRAM領(lǐng)域的前瞻性技術(shù)布局，從而為嵌入式產(chǎn)品提供更豐富的存儲(chǔ)解決方案。
與此同時(shí)，兆易創(chuàng)新于2020年6月募集資金43.24億元，用于DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化以及補(bǔ)充流動(dòng)資金。
兆易創(chuàng)新表示，公司擬通過(guò)該項(xiàng)目研發(fā)1Xnm級(jí)（19nm、17nm）工藝制程下的DRAM技術(shù)，設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。本項(xiàng)目的成功實(shí)施，有助于公司豐富自身產(chǎn)品線，有效整合產(chǎn)業(yè)資源，鞏固并提高公司的市場(chǎng)地位和綜合競(jìng)爭(zhēng)力。
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史海拾趣
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