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不久前，兆易創新發布非公開發行A股股票預案，公司擬向不超過10名特定投資者非公開發行股票不超過64,224,315股（含本數），募集資金總額（含發行費用）不超過人民幣432,402.36萬元，用于DRAM芯片研發及產業化以及補充流動資金。

近日，兆易創新發布此次非公開發行A股股票申請文件一次反饋意見的回復稱，自2008年首款NOR Flash上線以來，公司基于客戶的需求及對市場的前瞻性預判，持續研發并上線了多種類的NOR Flash產品，并陸續推出NAND Flash、MCU系列產品，均受到客戶的高度認可。

而DRAM及Flash同為存儲芯片，其技術原理均為由存儲單元經過陣列的方式堆疊形成，并在設計流程、設計方法、使用工具、模塊劃分等方面相同或高度相似，產品設計具備一定的共通性。兆易創新披露，公司Flash芯片的下游客戶與DRAM芯片的下游客戶重合度較高，且大部分客戶應用的系統架構同時包含Flash及DRAM，因此公司在Flash領域對客戶需求的精準把握、對存儲技術在不同終端領域的應用及將客戶需求轉變為具體產品的設計經驗將對DRAM芯片設計產生重要的支持作用，公司可靠的產品設計能力是募投項目成功的保障。

在專利方面，截至2019年9月30日，兆易創新及控股子公司共擁有和使用508項境內專利、21項境外專利及16項集成電路布圖設計。在DRAM技術及研發方面，公司已組建由數十名資深工程師組成的核心研發團隊，涵蓋前端設計、后端產品測試與驗證，該團隊的核心技術帶頭人員從事DRAM芯片行業平均超過二十年，具備較強的技術及研發實力。此外，公司在存儲器領域的技術研發能力及擁有豐富經驗的資深工程師團隊也能夠有效地加速推進DRAM芯片的研發工作，公司在存儲器領域的技術與研發能力是募投項目成功實施的有力保障。

據披露，兆易創新擬通過本項目，設計和開發系列DRAM芯片，項目各階段的實施時間及整體進度安排如下：

其中，兆易創新首款DRAM芯片產品定義，包括市場定位、產品規格設定及芯片設計工作，其中芯片設計包括仿真驗證、邏輯整合、時序分析、功能驗證、信號與頻率布線、版圖物理驗證等，每個步驟都需要經過反復驗證以確保設計的產品實現最優化的性能并能夠滿足兼容市場上所有系統平臺的需求；定義首款芯片的生產制程，并將經過驗證后的設計展開流片試樣，經過反復測試、反復修改直到樣片設計符合設計規范并通過系統驗證，實施時間預計在2020年；對首款芯片試樣片進行封裝測試，后送至系統芯片商處進行功能性認證，認證完畢后送至客戶進行系統級驗證，包含功能測試、壓力測試、燒機驗證等，通過所有驗證后完成客戶驗證，驗證完成后進行小批量產，實施時間預計在2021年。

兆易創新表示，公司擬通過本項目，研發1Xnm級（19nm、17nm）工藝制程下的DRAM技術，設計和開發DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。本項目的成功實施，有助于公司豐富自身產品線，有效整合產業資源，鞏固并提高公司的市場地位和綜合競爭力。

關鍵字：DRAM 芯片引用地址：兆易創新：首款DRAM芯片將于2020年展開流片試樣

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