6月13日，理想汽車首次公開發布了新一代電驅動核心技術——自研高壓碳化硅功率模塊LPM（Li Power Module)。

理想汽車動力驅動部門電力電子高級總監袁寶成透露，這款產品歷時3年半完成了從設計到量產的全過程，即將在下個月搭載于理想汽車新一代純電車型理想i8中首發上市，并且未來會陸續搭載在所有理想純電車型上。

據了解，理想汽車這款自研SiC模塊，從續航里程和車內空間入手，進一步提升了純電車型的使用體驗：

• 續航里程增加

袁寶成表示，理想i8采用SiC功率模塊，相對IGBT模塊增加6%續航，也就是約40公里。在此基礎上，通過關鍵技術組合，理想汽車自研SiC功率模塊可以把續航再提升1%，以理想i8為例，續航就又增加了大概7公里。

這得益于理想實現了電控系統的全棧自研自產，從系統的角度進行全局設計和優化。通過半橋內部的優化電氣設計、無端子高壓連接、高精度AMB直接激光焊，以及母排的三維空間疊層和走向設計等等一系列技術組合，顯著縮小了電流回路“兜圈子”的面積，從而將整個系統的隱形摩擦力優化到約10nH，比行業典型水平降低了50%。

通過以上模塊工藝優化，可以讓電能更少地消耗在“內耗”上，更多地轉化為驅動里程，從而提高續航里程。

• 模塊體積縮小

據了解，理想汽車在自研SiC模塊上，做了一個巨大改動：徹底拋棄了外露的傳統功率端子和螺栓連接方式，轉而采用了更精巧的內部開窗設計——直接在模塊本體上直接開出窗口，讓大電容和銅排可以直接“對號入座”。

這樣一來，理想SiC模塊與市場常見的半橋模塊相比“占地面積”直接減半，模塊Y方向尺寸減少了40mm。

• 保障質量一致性

袁寶成透露，為確保每一顆SiC模塊的高質量交付，理想汽車在開發階段即采用遠超行業標準的測試驗證體系，同時在生產過程中引入了多項先進的視覺與電氣檢測技術、高等級潔凈度控制措施，以及從芯片到模塊的不同測試和老化篩選手段。此外，他們還通過高度自動化生產，有效保障了大規模制造的質量一致性。

6月18日，由東風汽車與株洲中車合作成立的智新半導體在官微宣布，他們首批1700V SiC MOSFET模塊正式下線，標志著該項目取得重大階段性成果，為后續批量裝車應用奠定了堅實基礎。

據了解，智新半導體的1700V電壓等級SiC模塊尤其契合1200V平臺主驅逆變器的需求，可用于高性能高端越野車、電動卡車、電動礦車的三相逆變器、OBC模塊、兆瓦級超級充電樁等場景：

• 采用經典HPD封裝形式，耐壓直接提升至1700V，且保持模塊尺寸基本不變；

  
  

• 采用平面型封裝與芯片間隔排布，降低寄生電感≤10nH；

  
  

• 導通損耗：3mΩ以內阻抗，相比IGBT降低50%導通損耗@1200V/400A；

  
  

• 電控效率：相比1700V Si IGBT效率96%，1700V SiC MOSFET效率可達99%，有3%以上的客戶性能提升；

  
  

• 充電時間：相比1200V模塊，1700V模塊可再次降低充電時間20%，相比750V平臺，1700V平臺可降低充電時間75%。