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6 月 5 日消息，據(jù)理想汽車“有個理想”公眾號消息，2025 年 6 月 1-5 日，第 37 屆 ISPSD 會議在日本熊本市舉辦，理想汽車在大會上發(fā)表了題為《Analysis on BVDSS Outlier Chips and Screening Technology for 1.2 kV Automotive SiC MOSFETs》（1200V 汽車級碳化硅 MOSFET 芯片擊穿電壓離群芯片的分析與篩選技術研究）的論文。

▲ 圖源“有個理想”公眾號，下同

據(jù)稱，理想自研 SiC 芯片團隊突破行業(yè)盲區(qū)，發(fā)現(xiàn)了一類隱藏極深“問題芯片”，這類芯片在嚴苛的工作環(huán)境下，會存在突然燒毀的風險。但是，這類芯片由于滿足目前行業(yè)內(nèi)現(xiàn)有的各種測試標準，是被當作合格產(chǎn)品流入下游領域的（包括汽車應用）。

從“有個理想”獲悉，對于汽車動力系統(tǒng)來說，半導體芯片更是有著極其重要的地位。一般來說，這類芯片在需要處理高電壓、大電流的功率應用中工作（如電機驅(qū)動），故其被稱作為功率芯片。而碳化硅（SiC）芯片在 800V 高壓系統(tǒng)上能耗優(yōu)勢明顯，當一輛輛電動汽車在馬路上疾馳，車內(nèi)的 SiC 芯片們便默默將電池包中的高壓直流電轉(zhuǎn)換成能讓電機轉(zhuǎn)動的交流電，這個動作每秒要重復 10000 次以上。

在 SiC 芯片的幫助下，電動汽車的高壓快充、瞬間加速成為了可能，考慮到該芯片承擔的任務重且危險系數(shù)高，因此其質(zhì)量成為了重中之重。但有一些 SiC 芯片內(nèi)部存在著尚未被行業(yè)識別的缺陷，在身上看不見的地方存在著一些小毛病。它們看上去挺不錯，能夠通過下線測試，但一旦被裝車使用，時間久了會有“半路撂挑子”的風險，導致嚴重的車輛故障。

理想汽車自研 SiC 芯片團隊通過大量的流片驗證和測試分析，并基于 30 萬顆自研 SiC 芯片的測試數(shù)據(jù)，將芯片扛電壓的本領（擊穿電壓）和每顆芯片對應的碳化硅材料特性以及流片過程數(shù)據(jù)結合在一起進行綜合分析，最終在擊穿電壓離群芯片中找出了這類芯片。

官方表示，理想汽車《Analysis on BVDSS Outlier Chips and Screening Technology for 1.2 kV Automotive SiC MOSFETs》論文不僅展示了芯片是怎樣失效的，為什么會失效，還揭曉了“CT 機”怎么制造，從而可以具備透視能力，將這類問題芯片挑出來。文章最后，還開出了從根本上解決問題的辦法 —— 從碳化硅晶體生長工藝著手。這些對整體提升產(chǎn)業(yè)內(nèi) SiC 芯片的可靠性表現(xiàn)具有重要意義。

關鍵字：SiC 理想引用地址：理想自研SiC芯片團隊發(fā)現(xiàn)一類隱藏極深“問題芯片”

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