ATmega168是基于增強的AVR RISC結構的低功耗8 位CMOS微控制器。由于其先進的指令集以及單時鐘周期指令執行時間，ATmega168 的數據吞吐率高達1 MIPS/MHz，從而可以緩減系統在功耗和處理速度之間的矛盾。
ATmega168 AVR 內核具有豐富的指令集和32 個通用工作寄存器。所有的寄存器都直接與算邏單元(ALU) 相連接，使得一條指令可以在一個時鐘周期內同時訪問兩個獨立的寄存器。這種結構大大提高了代碼效率，并且具有比普通的CISC 微控制器最高至10 倍的數據吞吐率。
ATmega168 有如下特點:16K字節的系統內可編程Flash(具有同時讀寫的能力，即RWW)，512 字節EEPROM，1K 字節SRAM，23 個通用I/O 口線，32 個通用工作寄存器，用于邊界掃描的DebuyWIRE接口，支持片內調試與編程，三個具有比較模式的靈活的定時器/ 計數器(T/C),片內/外中斷，可編程串行USART，有起始條件檢測器的通用串行接口，8路10位具有可選差分輸入級可編程增益(TQFP 封裝) 的ADC ，具有片內振蕩器的可編程看門狗定時器，一個SPI 串行端口，以及五個可以通過軟件進行選擇的省電模式。
工作于空閑模式時CPU 停止工作，而USART、兩線接口、A/D 轉換器、SRAM、T/C、SPI 端口以及中斷系統繼續工作；掉電模式時晶體振蕩器停止振蕩，所有功能除了中斷和硬件復位之外都停止工作；在省電模式下，異步定時器繼續運行，允許用戶保持一個時間基準，而其余功能模塊處于休眠狀態； ADC 噪聲抑制模式時終止CPU 和除了異步定時器與ADC 以外所有I/O 模塊的工作，以降低ADC 轉換時的開關噪聲； Standby 模式下只有晶體或諧振振蕩器運行，其余功能模塊處于休眠狀態，使得器件只消耗極少的電流，同時具有快速啟動能力；擴展Standby 模式下則允許振蕩器和異步定時器繼續工作。
本芯片是以Atmel 高密度非易失性存儲器技術生產的。片內ISP Flash 允許程序存儲器通過ISP 串行接口，或者通用編程器進行編程，也可以通過運行于AVR 內核之中的引導程序進行編程。引導程序可以使用任意接口將應用程序下載到應用Flash存儲區(ApplicationFlash Memory)。在更新應用Flash存儲區時引導Flash區(Boot Flash Memory)的程序繼續運行，實現了RWW 操作。 通過將8 位RISC CPU 與系統內可編程的Flash 集成在一個芯片內， ATmega168 成為一個功能強大的單片機，為許多嵌入式控制應用提供了靈活而低成本的解決方案。ATmega168 具有一整套的編程與系統開發工具，包括：C 語言 編譯器、宏匯編、 程序調試器/ 軟件仿真器、仿真器及評估板。
ATmega168產品特性
· 高性能、低功耗的8位AVR微處理器
· 先進的RISC 結構
– 131條指令
– 大多數指令執行時間為單個時鐘周期
– 32個8位通用工作寄存器
– 全靜態工作
– 工作于20MHz時性能高達20MIPS
– 只需兩個時鐘周期的硬件乘法器
· 非易失性程序和數據存儲器
– 16K 字節的系統內可編程Flash，擦寫壽命: 10,000次
– 具有獨立鎖定位的可選Boot代碼區，通過片上Boot程序實現系統內編程，真正的同時讀寫操作
– 512 字節的EEPROM，擦寫壽命: 100,000次
– 1024字節的片內SRAM
– 可以對鎖定位進行編程以實現用戶程序的加密
· 外設特點
– 兩個具有獨立預分頻器和比較器功能的8位定時器/計數器
– 一個具有預分頻器、比較功能和捕捉功能的16位定時器/計數器
– 具有獨立振蕩器的實時計數器RTC
– 六通道PWM
– 8路10位ADC(TQFP 與MLF 封裝)
– 6路10位ADC(PDIP 封裝)
– 兩個可編程的串行USART
– 可工作于主機/ 從機模式的SPI 串行接口
– 具有獨立片內振蕩器的可編程看門狗定時器
– 片內模擬比較器
– 引腳電平變化可引發中斷及喚醒MCU
· 特殊的處理器特點
– 上電復位以及可編程的掉電檢測
– 片內經過標定的RC振蕩器
– 片內/片外中斷源
– 五種睡眠模式: 空閑模式、ADC 噪聲抑制模式、省電模式、掉電模式、待機模式
· I/O和封裝
– 23個可編程的I/O口
– 28引腳PDIP封裝, 32引腳TQFP封裝, 與32引腳MLF封裝
· 工作電壓:
– ATmega168V：1.8 - 5.5V
– ATmega168：2.7 - 5.5V
· 速度等級
– ATmega168V:0- 10MHz
– ATmega168 :0- 20MHz
· 極低功耗
– 正常模式:1 MHz, 1.8V: 250μA
32 kHz, 1.8V: 15μA ( 包括振蕩器)
– 掉電模式:1.8V , 0.1 μA
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