SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步動態隨機存儲器，同步是指內存工作需要同步時鐘，內部的命令的發送與數據的傳輸都以它為基準；動態是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數據不丟失；隨機是指數據不是線性依次存儲，而是自由指定地址進行數據讀寫

一.內部結構

原理圖如下：

存儲邏輯結構：

可以看出SDRAM的內部是一個陣列，就像表格一樣，其尋址方式是按照塊、行、列來的，即先選定SDRAM芯片，然后發出塊信號確定那一塊，再發出行信號確定哪一行，再發出列信號確定哪一列。

CPU對SDRAM的訪問可以分為以下幾步：

CPU對存儲控制器發出統一編址

內存控制器發出片選信號，選定SDRAM芯片

選定哪一個Bank（通過ADDR24、ADDR25信號線選定，總共4個Bank）

對選定的Bank進行行列尋址

找到對應的地址，通過32根數據線進行數據傳輸（原理圖中是32位）

看起來很簡單，但是我們要考慮到，不同規格SDRAM對應著不同的尋址方式，因為不同的SDRAM可能行列數不一樣，對時序要求不一樣，所以在訪問SDRAM之前，我們要配置存儲控制器中的一些寄存器來匹配SDRAM！！！

二.相關寄存器

存儲控制器一共有13個寄存器，6種寄存器，對BANK0~BANK5進行訪問時，只需要配置BWSCON和BANKCONx寄存器，但是對SDRAM訪問，不僅僅需要對這倆個寄存器進行配置，還需要額外配置4個寄存器。

下面以訪問SDRAM為例子介紹一下這些寄存器（按照芯片手冊中的順序來介紹）：

BWSCON

位寬&等待控制寄存器

ST6：決定是否使用SDRAM的數據掩碼，對SDRAM時為0，對SRAM時為1。

WS6：決定是否使用WAIT信號，一般不使用。（WAIT信號就是在SDRAM沒準備好的時候，由SDRAM發給CPU，請求延遲一段時間）

DW6：決定BANK位寬，自然是32位。

所以，BWSCON寄存器要或運算的值為：0x02000000

BANKCON6

BANK控制寄存器，用來控制外接設備的訪問時序的，BANK0~BANK5默認0X0700

對于SDRAM的訪問，我們需要配置的就是圖中陰影部分的：

MT：決定BANK外接的是SDRAM還是SRAM，SDRAM選擇11.

Trcd：行列信號之間的延遲時間，根據芯片手冊得知最小為21ns，而我們的HCLK時鐘為100MHz，一個clock10ns，所以保險起見選擇30ns，即：01。

SCAN：設置列地址位，這里使用的SDRAM列地址一共9位，所以為：01.

所以，BANKCON6寄存器要或運算的值為：0x00018005

REFRESH

刷新控制寄存器，用來控制SDRAM的刷新模式和刷新頻率。我們知道，SDRAM中的存儲陣列需要不斷的刷新來保證數據不丟失，所以就要配置刷新控制寄存器。

REFEN：決定使能刷新功能，當然是開啟了，值為：1

TREFMD：刷新的模式，一般自動刷新，值為：0

Trp：根據芯片手冊得知20ns保險，對應2clocks，值為：00

Tsrc：默認即可

Refresh Counter：刷新計數的值，查SDRAM的手冊可得8192個刷新周期為64ms，則每一個刷新周期為7.8125ns，通過公式計算可得刷新計數的值為：1955

所以，REFRESH寄存器要或運算的值為：0x008c07a3

BANKSIZE

BURST_EN：決定是否允許突發傳輸，值為：1。

SCKE_EN：決定是否使用SCKE信號來決定省電模式，值為：1。

SCLK_EN：決定SCLK時鐘信號的產生模式，值為：1。

BK76MAP：決定BANK6、BANK7的大小，這里SDRAM是64M，所以值為：001。（BANK0~BANK5的大小是128M固定的，BANK6、BANK7的大小是可以控制的）

所以，BANKSIZE寄存器要或運算的值為：0x000000b1

MRSR

SDRAM模式設置寄存器

只有CL的值是可以修改的，查詢芯片手冊：

可知，CL可以是2clock或者是3clock，保險起見，值為：011

所以，MRSR寄存器要或運算的值為：0x00000030

/**********************************************************************************************************************/

綜上所述，對SDRAM初始化的代碼為：

void SDRAM_Init(void)

{

    /* 對BANK6進行配置 以訪問SDRAM */

    BWSCON   |= 0x02000000;//對SDRAM使用數據掩碼、不使用WAIT信號、設置BANK6位寬32bit

    BANKCON6 = 0x00018005;//BANK6外接SDRAM、行列信號間延遲3clocks、設置列地址位數

    REFRESH  = 0x008c07a3;//配置刷新模式及刷新計數值

    BANKSIZE = 0x000000b1;//設置BANK6大小為64MB

    MRSRB6   = 0x00000030;//設置CL為3clocks

}

三.讀寫SDRAM

對SDRAM進行配置之后，進行讀寫操作，看看寫進去的值和讀出來的值是否統一。

測試就直接寫在main.c中吧：

#include "s3c2440_soc.h"

#include "uart.h"

void SDRAM_Init(void)

{

    /* 對BANK6進行配置 以訪問SDRAM */

    BWSCON   |= 0x02000000;//對SDRAM使用數據掩碼、不使用WAIT信號、設置BANK6位寬32bit

    BANKCON6 = 0x00018005;//BANK6外接SDRAM、行列信號間延遲3clocks、設置列地址位數

    REFRESH  = 0x008c07a3;//配置刷新模式及刷新計數值

    BANKSIZE = 0x000000b1;//設置BANK6大小為64MB

    MRSRB6   = 0x00000030;//設置CL為3clocks

}

int SDRAM_Test(void)

{

    /* BANK6 基地址0x30000000 */

    volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)(0x30000000);

    int n;

    /* 寫入20Byte數據 */

    for( n=0;n<20;n++ )

    {

        *(p+n) = 0xbb;

    }

    for( n=0;n<20;n++ )

    {

        if( 0xbb != *(p+n) )

        return 0;

    }

    return 1;

}

int main(void)

{

    SDRAM_Init();

    uart0_init();

    if( SDRAM_Test() )

        puts("OK!!!n");

    else

        puts("NOT OK!!!n");

    return 0;

}

代碼親測可以。