MSP430的FLASH存儲區(qū)可以按位，字節(jié)，字尋址并且可編程。FLASH 模塊控制器有3個寄存器，一個定時發(fā)生器和一個電壓產(chǎn)生器來提供編程和擦除的電壓。FLASH的默認(rèn)模式是讀模式。
FLASH存儲區(qū)可按為，字接，字寫入，F(xiàn)LASH memory的特點(diǎn)：
1，F(xiàn)lash memory分為主存儲區(qū)（main memory）和信息存儲區(qū)（information memory）。主存儲區(qū)分為n段（segment），每段為512bytes(因?yàn)镸SP430F149的Flash memory為60KB+256 Byte即main memory為60KB,information memory為256 Byte)，MSP430f149的主存儲區(qū)分為120段。信息存儲區(qū)分為SegmentA和SegmentB，每段大小為128Bytes。
2，Segments 0-n 可以一步全部擦除也可以每段單獨(dú)擦除。
3,Segments A和B可以單獨(dú)擦除也可以和Segments 0-n一起擦除。
Flash模塊的結(jié)構(gòu)框圖：
FALSH的時鐘頻率必須在257KHZ-476KHZ之間。
分頻公式為 ：32*FN5 + 16*FN4 + 8*FN3 + 4*FN2 + 2*FN1 + FN0 + 1
FLASH模塊寄存器：
FCTL1
FRKEY/FWKEY:安全密匙，讀出096h，寫入時必須是0A5h否則產(chǎn)生一個上電復(fù)位信號。
BLKWRT:按塊寫入模式。按塊寫時WRT必須置位。當(dāng)EMEX置位時BLKWRT自動復(fù)位。
1：打開按塊寫模式；0，關(guān)閉按塊寫模式。
WRT:選擇寫模式。當(dāng)EMEX置位時WRT自動復(fù)位。
1，打開寫模式；0，關(guān)閉寫模式。
MERAS,ERASE:選擇擦除模式。
FCTL2：
FWKEYx：安全密匙，讀出096h，寫入時必須是0A5h否則產(chǎn)生一個上電復(fù)位信號。
FSSELx：FLASH控制器時鐘源選擇。
FNx：Flash控制器時鐘分頻。
FCTL3：
FWKEYx：安全密匙，讀出096h，寫入時必須是0A5h否則產(chǎn)生一個上電復(fù)位信號。
EMEX:緊急退出位。為1時，立即停止對Flash的操作。
LOCK:1，對Flash不能進(jìn)行寫和擦除操作。
WAIT:1，F(xiàn)lash模塊已經(jīng)準(zhǔn)備好了下一次操作；0，沒有準(zhǔn)備好
ACCVIFG:1，有非法訪問標(biāo)志。
擦除：
所有的擦除過程都要用戶先進(jìn)行一個偽寫入，指針指向要擦除段的受地址，用戶寫入數(shù)據(jù)。偽寫入啟動flash的定時發(fā)生器和擦除操作。當(dāng)擦除整個過程完成時，BUSY,MERAS和ERASE會自動清零。MSP430F1xx的擦除操作時間是相同的，和擦除區(qū)的大小沒有關(guān)系。
擦除操作時序圖：
啟動擦除的方式要看擦成程序在哪一塊。
1，程序代碼在Flash存儲區(qū)中，CPU取出指令執(zhí)行，CPU被懸停直到擦除操作完成flash喚醒CPU，然后CPU取出對應(yīng)擦除指令下面的指令執(zhí)行。這種擦除啟動方式有可能將后續(xù)要執(zhí)行的程序指令擦除，那擦除之后的CPU執(zhí)行變不可預(yù)測了。
流程圖：
2，代碼從RAM中取得，CPU不會進(jìn)入休眠狀態(tài)。
寫入：
1，字節(jié)/字寫入和擦粗相似，可以從flash或RAM啟動，CPU工作方式相同。
2，塊寫入，可加快flash編程速度。但是每次塊寫入時間不能超過累計編程時間（通常為4ms）。塊寫入代碼只能從RAM中執(zhí)行。
時序圖：
流程圖：
例程，寫入Segment A,再將其復(fù)制到Segment B.
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史海拾趣
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