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NAND FLASH 的接線方式和 NOR FLASH,SDRAM 都不一樣。以 TQ2440 開發板用的 K9F1208 為例，分析 NAND FLASH 的接線方式。

K9F1208 結構如下圖：

K9F1208 位寬是8 位。
一頁： 512byte + 16byte 最后 16byte 是用于存儲校驗碼和其他信息用的，不能存放實際的數據。一個塊有 32 page：（16k+512）byte K9F1208 有 4096 個塊：(64M+2M)byte，總共有64Mbyte 可操作的芯片容量 NAND FLASH以頁為單位讀寫數據，以塊為單位擦除數據。

S3C24440 和K9F1208 的接線圖如下：

下圖是 S3C2440 的 NAND FLASH 引腳配置：

當選定一個 NAND FLASH 的型號后，要根據選定的NAND FLASH 來確定 S3C2440的NCON,GPG13,GPG14,GPG15 的狀態。

下圖是 S3C2440 中 4 個腳位狀態的定義：

K9F1208 的一頁是 512byte，所以NCON接低電平，GPG13 接高電平。 K9F1208 需要4 個尋址命令，所以 GPG14 接高電平 K9F1208 的位寬是 8，所以 GPG15 接低平。 NAND FLASH尋址對 K9F1208 來說，地址和命令只能在 I/O[7:0]上傳遞，數據寬度是 8 位。

地址傳遞分為 4 步，如下圖：

第 1 步發送列地址，既選中一頁 512BYTE中的一個字節。512byte需要 9bit 來選擇，這里只用了 A0-A7，原因是把一頁分成了2 部分，每部分 256字節。通過發送的讀命令字來確定是讀的前 256 字節還是后 256 字節。當要讀取的起始地址（Column Address）在 0~255內時我們用 00h 命令，當讀取的起始地址是在 256~511 時，則使用 01h 命令。一個塊有 32 頁，用 A9-A13共5位來選擇一個塊中的某個頁。總共有 4096 個塊，用 A14-A25 共12 位來選擇一個塊。K9F1208 總共有64Mbyte，需要A0-A25 共 26 個地址位。

例如要讀 NAND FLASH的第5000字節開始的內容。把 5000 分解成列地址和行地址。Column_address = 5000%512 = 392 Page_address = (5000>>9) = 9
因為 column_address>255,所以用01h命令讀發送命令和參數的順序是：
NFCMMD = 0x01; 從后 256 字節開始讀 NFADDR = column_address & 0xff; 取 column_address的低 8 位送到數據線
NFADDR = page_address & 0xff;發送A9-A16
NFADDR = (page_address >>8) & 0xff; 發送 A17-A24
NFADDR = (page_address >> 16) & 0xff;發送 A25
上面的 NFCMMD,NFADDR.是 S3C2440的 NAND FLASH 控制寄存器。讀取的數據會放在NFDATA 中。

關鍵字：S3C2440 NAND FLASH 接線分析引用地址：S3C2440核心板原理圖設計：與NAND FLASH接線分析

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