調(diào)試工具：MDK 4.72　　JLink8 

一、MDK設(shè)置 

1、Target

　　　　　　　　　　　　　　　　　 圖1 

2.Asm 

　　　　　　　　　　　　　　　　　圖2 

　　1處必須預(yù)定義NO_CRP，因為在LPC1788啟動文件startup_LPC177x_8x.s中有如下代碼 

　　　　　　　　　　　　　　　　　圖3 

　　117－120這段代碼是NXP公司的LPC1700系列的MCU特有的一段代碼，其他公司的Cortex-M3 MCU的啟動程序是沒有這段代碼的。這段代碼是指定LPC1700的CRP加密級別的代碼段，芯片上電后會自動讀取0x02FC這一地址的值以確定加密方式，其中CRP_Key = 0xffffffff為0級加密，CRP_Key = 0x12345678為1級加密，CRP_Key = 0x87654321為2級加密，CRP_Key = 0x43218765為3級加密（最高級加密），3級加密將會禁止所有的ISP指令，也就是說，芯片將不能讀寫、不能擦除。 

　　如果在圖2中的1處沒有定義了NO_CRP，118－120行代碼會被執(zhí)行，即定義CRP_key，這會導(dǎo)致退出外部RAM調(diào)試時內(nèi)核被鎖，在MDK中的Debug Setting中無法檢測到目標板；只能通過拉低P2[10]引腳后通過J_Flash軟件的Target->Connect連接目標板，然后Erase Chip擦除目標板Flash，這樣才能在Debug Setting中重新檢測到目標板

3.Linker 

　　　　　　　　　　　　　　　　　　圖4

1）、如果圖2中1處（使用Target對話框中的內(nèi)存布局）打勾，則表示使用默認的分散加載文件生成映像文件，其內(nèi)容為 

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　圖5 

　　其中圖3中的地址1對應(yīng)于Target對話框中Read/Only Memory Areas區(qū)內(nèi)的默認存儲空間的起始地址，默認為片內(nèi)Flash；地址2是對應(yīng)于arget對話框中Read/Write Memory Areas區(qū)內(nèi)的默認存儲空間的起始地址，默認為片內(nèi)SRAM。如果此時圖1Target對話框中的Read/Only Memory Areas和Read/Write Memory Areas區(qū)域的存儲空間設(shè)置的不是默認值，則會出現(xiàn)編譯錯誤。 

　　Link Control String中的內(nèi)容為（工程名為Proj1）： 

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　圖6 

2）、如果圖2中1處不打勾，并在3處選擇了分散加載文件，則會按分散加載文件中的內(nèi)容生成映像文件；此時Target對話框中指定的RO和RW存儲空間無效。這次調(diào)試使用的分散加載文件內(nèi)容為 

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　圖7 

　　將向量表和所有必須在root region中的library sections（如__main.o, __scatter*.o, __dc*.o, 和Region$$Table）放在起始地址為0x10000000，大小為0x10000的存儲空間中（片內(nèi)SRAM）中；將剩余的代碼，讀寫數(shù)據(jù)和零初始化數(shù)據(jù)放大起始地址為0xA0000000，大小為0x1000000的存儲空間（片外SDRAM）中。 

　　Link Control String中的內(nèi)容如圖2 ，分散加載文件名為SDRAM.sct。 

3）、如果圖2中1處不打勾，且3處沒有選擇分散加載文件，則會按2處的R/O Base和R/W Base生成映像文件；此時Target對話框中指定的RO和RW存儲空間無效。 

　　Link Control String中的內(nèi)容為(R/O Base和R/W Base如圖2) 

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　圖8 

４、Debug 

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　圖9 

Load Application at Startup處不要打勾，在1處選擇初始化命令腳本，內(nèi)容為

INCLUDE MT48LC8M32LFB5.ini

//INCLUDE SST39VF160_for_download.ini

InitSDRAM();                                // Initialize memory

//EMC_NorFlashInit();

LOAD .\Flash\Lcd_LQ043T3DX0A.axf INCREMENTAL    // Download program

/* RNR */

_WDWORD(0xE000ED98, 0x00000000);            // Use No.0 MPU

/* RBAR */

_WDWORD(0xE000ED9C, 0xA0000000);            // Set MPU base addr

/* RASR */

_WDWORD(0xE000EDA0, 0x03000031);            // Set MPU size and permission

/* SHCSR */

// _WDWORD(0xE000ED24, 0x00000100);          // Enable memory managemeng fault

/* MPU_CONTROL */

_WDWORD(0xE000ED94, 0x00000005);            // Enable MPU

/* VTOR */

_WDWORD(0xE000ED08, 0x10000000);            // Set vector table offset

SP = _RDWORD(0x10000000);                   // Set stack pointer

PC = _RDWORD(0x10000004);                   // Set program counter

　　10－22行的關(guān)于MPU的設(shè)置一定要有，否則程序在SDRAM中的執(zhí)行會出現(xiàn)錯誤，這是因為Cortex_M3處理器在0xA0000000-0xDFFFFFFF之間的存儲空間的默認訪問屬性是不可執(zhí)行的，是不可執(zhí)行區(qū)，圖中第16行代碼通過設(shè)置MPU region屬性及容量寄存器MPURASR，使其以0xA0000000為起始地址的32MB(MPURASR[5:1]=0b11000)存儲空間為共享內(nèi)存(MPURASR[26:24]=0b011)，且此區(qū)允許取指(MPURASR[28]=0)。 

　　InitSDRAM()函數(shù)在MT48LC8M32LFB5.ini中，作用為初始化外部SDRAM，其內(nèi)容為

FUNC void PinSel(int p1, int n1, int f1)

{

    _WDWORD(0x4002C000 + (p1 * 32 + n1) * 4, 0x8 | f1);

}

FUNC void InitSDRAM(void)

{

    int i;

    PinSel(2,16,1);

    PinSel(2,17,1);

    PinSel(2,18,1);

    PinSel(2,20,1);

    PinSel(2,24,1);

    PinSel(2,28,1);

    PinSel(2,29,1);

    PinSel(2,30,1);

    PinSel(2,31,1);

    for(i = 0; i < 32; i++)

        PinSel(3,i,1);

    for(i = 0; i < 21; i++)

        PinSel(4,i,1);

    PinSel(4,24,1);

    PinSel(4,25,1);

    PinSel(4,30,1);

    PinSel(4,31,1);

    /* PCONP |= 1 << 11 */

    _WDWORD(0x400FC0C4, 0x04288FDE);    // Power On EMC

    /* EMCCONTROL |= 1 */

    _WDWORD(0x2009C000, 0x00000001);    // Enable EMC

    /* EMCDLYCTL */

    _WDWORD(0x400FC1DC, 0x00081818);    // Config data read delay

    /* EMCCONFIG */

    _WDWORD(0x2009C008, 0x00000000);    // Little endian mode

    /* DYNAMICCONTROL */

    _WDWORD(0x2009C020, 0x00000003);    // Set normal self refresh mode, normal power mode

                                        // CE always HI

                                        // Enable clock out

                                        // Clock do not stop during idle

    /* DYNAMICREFRESH */

    _WDWORD(0x2009C024, 0x0000001F);    // refresh timing 

    /* DYNAMICREADCONFIG */

    _WDWORD(0x2009C028, 0x00000001);    // read timing 

    /* DYNAMICRP */

    _WDWORD(0x2009C030, 0x00000002);    // tRP

    /* DYNAMICRAS */

    _WDWORD(0x2009C034, 0x00000003);    // tRAS

    /* DYNAMICSREX */

    _WDWORD(0x2009C038, 0x00000005);    // tSREX

    /* DYNAMICAPR */

    _WDWORD(0x2009C03C, 0x00000001);    // tAPR

    /* DYNAMICDAL */

    _WDWORD(0x2009C040, 0x00000005);    // tDAL

    /* DYNAMICWR */

    _WDWORD(0x2009C044, 0x00000003);    // tWR

    /* DYNAMICRC */

    _WDWORD(0x2009C048, 0x00000004);    // tRC

    /* DYNAMICRFC */

    _WDWORD(0x2009C04C, 0x00000004);    // tRFC

    /* DYNAMICXSR */

    _WDWORD(0x2009C050, 0x00000005);    // tXSR

    /* DYNAMICRRD */

    _WDWORD(0x2009C054, 0x00000001);    // tRRD

    /* DYNAMICMRD */

    _WDWORD(0x2009C058, 0x00000003);    // tMRD

    /* DYNAMICCASRAS0 */

    _WDWORD(0x2009C104, 0x00000303);    // RAS/CAS Latency

    /* DYNAMICCONFIG0 */

    _WDWORD(0x2009C100, 0x00004500);    // Config device type as SDRAM

                                        // Config address mapping

    _sleep_(100);                       // Wait 100 ms

    /* DYNAMICCONTROL */

    _WDWORD(0x2009C020, 0x00000183);    // nop command

    _sleep_(100);                       // Wait 100 ms

    /* DYNAMICCONTROL */

    _WDWORD(0x2009C020, 0x00000103);    // pre-charge command

//    /* DYNAMICREFRESH */

//    _WDWORD(0x2009C024, 0x00000002);    // refresh timing 

    _sleep_(100);                       // Wait 100 ms

    /* DYNAMICREFRESH */

    _WDWORD(0x2009C024, 0x0000001F);    // refresh timing 

    /* DYNAMICCONTROL */

    _WDWORD(0x2009C020, 0x00000083);    // mode command

    _RDWORD(0xA0000000 | (0x32 << (2 + 2 + 8)));

    _sleep_(100);                       // Wait 100 ms

    /* DYNAMICCONTROL */

    _WDWORD(0x2009C020, 0x00000003);    // noamal command

    /* DYNAMICCONFIG0 */

    _WDWORD(0x2009C100, 0x00084500);    // enable buffer

    _sleep_(100);                       // Wait 100 ms

}

５、Utilities 

　　　　　　　　　　　　　　　　　　圖片10 

　　1處不能打勾，這個選項的意思是在進入調(diào)試前先更新目標板，但是我們并沒有配置目標板的flash，所以這個選項如果不去掉，在調(diào)試時就會彈出錯誤，大意是在xxxx地址沒有找到算法。 

６、Utilities Setting 

　　　　　　　　　　　　　　　　　　圖片11 

　　因為是在外部RAM中調(diào)試，所以1中不用加載Flash編程算法，左上角選擇Erase Sectors或Do not Erase都可以。 

　　 二、問題總結(jié)

1、在外部RAM中調(diào)試，程序中不要有操作外部RAM的代碼，初始化也不要有，包括對RAM相關(guān)引腳的操作，RAM的初始化和引腳的初始化要放到j(luò)link的下載配置文件MT48LC8M32LFB5.ini中，主要是對LPC的寄存器進行相關(guān)配置。

2、在system_LPC177x_8x.c的SystemInit()函數(shù)中如圖183－188行關(guān)于時鐘選擇設(shè)置部分要注釋掉，因為LPC1788復(fù)位后是以IRC作為時鐘源的，當(dāng)將程序下載到外部RAM中時，外部RAM是在12MHz的IRC下運行的，所以更改CPU或EMC時鐘會使程序在外部RAM運行出錯

3、步驟 

1)、Target或Linker 

2)、Asm (LPC1788特有) 

3)、Debug 

4)、Utilities