一、概要 

STM8系列一般擁有如下幾種三種數據區(qū)

用戶啟動區(qū)域(UBC)

數據EEPROM(DATA)

主程序區(qū)

選項字節(jié)(Option byte)

用戶啟動區(qū)域(UBC)包含有復位和中斷向量表，它可用于存儲IAP及通訊程序； 

數據EEPROM(DATA)區(qū)域可用于存儲用戶具體項目所需的數據； 

主程序區(qū)是指在FLASH程序存儲器中用于存儲應用代碼的區(qū)域； 

選項字節(jié)用于配置硬件特性和存儲器保護狀態(tài)。

作為應用而言，一般主要使用EEPROM(DATA)，存放各種參數、或者離線數據、狀態(tài)數據等等。 

下面以以STM8L052R8為例，簡單說明對其的訪問方法。

根據STM8L052R8的手冊，其有Memory信息如下：

■ Memories 

– 64 KB Flash program memory and 256 bytes data EEPROM with ECC, RWW 

– Flexible write and read protection modes 

– 4 KB of RAM

可知其具有256字節(jié)的EEPROM。并帶有ECC校驗，和RWW(讀同時寫)功能。

RWW特性允許戶在執(zhí)行程序和讀程序存儲器時對DATA EEPROM區(qū)域進行寫操作， 

因此執(zhí)行的時間被優(yōu)化了。相反的操作是不允許的：即不允許在寫程序寄存器是對其進行讀操作。 

RWW特性是一直有效的而且可以在任意時刻使用

對EEPROM編程也有如下幾種方式，顧名思義，很容易理解其含義。 

字節(jié)編程方式最易于理解，也最簡單。

字節(jié)編程

字編程

塊編程

二、更深入的細節(jié) 

STM8系列有存儲器存取安全系統(tǒng)(MASS)，在復位后，主程序和DATA區(qū)域都被自動保護以防止無意的寫操作。 

在修改其內容前必須對其解鎖，而解鎖的機制由存儲器存取安全系統(tǒng)(MASS)來管理。（UBC始終為寫保護） 

因此寫操作時需要先解除寫保護，并在完成寫入后恢復寫保護（視應用而定）。

Unlock的具體操作是，向FLASH_DUKR寄存器連續(xù)寫入兩個被叫作MASS密鑰的值：

第一個硬件密鑰： 0b1010 1110 (0xAE)

第二個硬件密鑰： 0b0101 0110 (0x56)

如果解鎖成功，FLASH_IAPSR中的DUL位被置為1，表示成功。 

應用必須檢測這個標志才可進行后續(xù)操作。 

（編程區(qū)與之類似，但寫入的是PUKR，且2個密鑰順序相反）

對EEPROM的讀寫其實非常簡單，就是直接對地址按字節(jié)進行賦值和取值。 

但是在操作后，需要等待其操作完成。判斷方法是：

對于EEPROM（DATA）數據區(qū)：FLASH_IAPSR寄存器的HVOFF（高壓結束標志位）變?yōu)?

對于編程區(qū)：FLASH_IAPSR寄存器的EOP（編程結束標志位）變?yōu)?

另外，試圖向被保護頁進行寫操作時，會發(fā)生錯誤，此時FLASH_IAPSR得WR_PG_DIS標志位會置1。 

所以，最終的判斷方法是： 

HVOFF或者WR_PG_DIS被置為1，前者為正常介紹，后者表示出錯

三、示例代碼

地址范圍定義（讀寫范圍為0~127字節(jié)）

#define DATA_MEMORY_START_ADDR (FLASH_DATA_EEPROM_START_PHYSICAL_ADDRESS)

#define DATA_MEMORY_STOP_ADDR  (FLASH_DATA_EEPROM_START_PHYSICAL_ADDRESS + 128)

初始化函數

void flash_init(void)

{

    // 設置編程時間，指定標準編程時間即可

    FLASH_SetProgrammingTime(FLASH_ProgramTime_Standard);

    // 解鎖EEPROM區(qū)域（注意type是Data)

    FLASH_Unlock(FLASH_MemType_Data);

    // 等待解鎖成功

    // 本質是判斷FLASH->IAPSR寄存器的DUL標志位是否變?yōu)?。1表示寫保護消除，0為保護中

    // 任何時候都可以通過變更此標志位為0來恢復寫保護狀態(tài)

    while (FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_DUL) == RESET);

}

讀函數

uint8_t flash_read(uint32_t FlashAddr, uint8_t *dest, uint8_t nbyte)

{

    uint8_t i = 0;

    // 越界判斷

    if((FlashAddr < DATA_MEMORY_START_ADDR)||(FlashAddr+ nbyte > DATA_MEMORY_STOP_ADDR)) {

        return FALSE;

    }

    // 按字節(jié)讀

    for(i=0; i

        *(dest+i)=FLASH_ReadByte(FlashAddr+i);

        // 等待操作完成，此處未處理錯誤

        FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_MemType_Data);

    }

    return nbyte;

}

寫函數

uint8_t flash_write(uint32_t FlashAddr, uint8_t *source, uint8_t nbyte)

{

    uint8_t i = 0;

    // 越界判斷

    if((FlashAddr < DATA_MEMORY_START_ADDR)||(FlashAddr+ nbyte > DATA_MEMORY_STOP_ADDR)) {

        return FALSE;

    }

    // 按字節(jié)寫

    for(i=0;i

        FLASH_ProgramByte((FlashAddr+i),*(source + i));

        // 等待操作完成，此處未處理錯誤

        FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_MemType_Data);

    }

    return nbyte;

}

四、庫函數實現解析

FLASH_Unlock函數

void FLASH_Unlock(FLASH_MemType_TypeDef FLASH_MemType)

{

  /* Unlock program memory */

  if(FLASH_MemType == FLASH_MemType_Program)

  {

    FLASH->PUKR = FLASH_RASS_KEY1;

    FLASH->PUKR = FLASH_RASS_KEY2;

  }

  /* Unlock data memory */

  // 連續(xù)兩次賦值密鑰（固定值）

  if(FLASH_MemType == FLASH_MemType_Data)

  {

    FLASH->DUKR = FLASH_RASS_KEY2; /* Warning: keys are reversed on data memory !!! */ /* 0xAE */

    FLASH->DUKR = FLASH_RASS_KEY1; /* 0x56 */

  }

}

FLASH_ReadByte、FLASH_ProgramByte、FLASH_EraseByte 

由下可知，讀寫擦出均為直接操作地址。

uint8_t FLASH_ReadByte(uint32_t Address)

{

  /* Read byte */

  return(*(PointerAttr uint8_t *) (MemoryAddressCast)Address);

}

void FLASH_ProgramByte(uint32_t Address, uint8_t Data)

{

  *(PointerAttr uint8_t*) (MemoryAddressCast)Address = Data;

}

void FLASH_EraseByte(uint32_t Address)

{

  *(PointerAttr uint8_t*) (MemoryAddressCast)Address = FLASH_CLEAR_BYTE; /* Erase byte */

}

FLASH_WaitForLastOperation 操作等待

FLASH_Status_TypeDef FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_MemType_TypeDef FLASH_MemType))

{

  uint16_t timeout = OPERATION_TIMEOUT;

  uint8_t flagstatus = 0x00;

  /* Wait until operation completion or write protected page occurred */

  // 程序區(qū)等待IAPSR的EOP或者WR_PG_DIS標識位被置為1

  if(FLASH_MemType == FLASH_MemType_Program)

  {

    while((flagstatus == 0x00) && (timeout != 0x00))

    {

      flagstatus = (uint8_t)(FLASH->IAPSR & (uint8_t)(FLASH_IAPSR_EOP |

                                                       FLASH_IAPSR_WR_PG_DIS));

      timeout--;       // 貼心的超時處理

    }

  }

  else

  {

   // 數據區(qū)的話，等待IAPSR的HVOFF或者WR_PG_DIS標識位被置為1

    while((flagstatus == 0x00) && (timeout != 0x00))

    {

      flagstatus = (uint8_t)(FLASH->IAPSR & (uint8_t)(FLASH_IAPSR_HVOFF |

                                                      FLASH_IAPSR_WR_PG_DIS));

      timeout--;        // 貼心的超時處理

    }

  }

  if(timeout == 0x00)

  { 

    // 超時

    flagstatus = FLASH_Status_TimeOut;

  }

  return((FLASH_Status_TypeDef)flagstatus);

}

以上，相比直接操作寄存器，用庫做STM開發(fā)還是比較有效率的。