5伏兼容I/O端口位的基本結構
這里僅看輸出模式，也就是下方，其實推挽和開漏的區別在于P-MOS管開啟的區別
推挽 PP
推挽，字面意思：前牽后推、一推一拉
此時，P-MOS和N-MOS都是開啟的，
ODR = 1
當ODR（Output data register）是高電平，則P-MOS，在I/O輸出為高電平導通，N-MOS管截止，那么輸出就是 VDD 高電平（3.3v）
ODR = 0
同理，當ODR（Output data register）是低電平，則P-MOS，截止，N-MOS管導通，那么輸出就是 VSS 低電平（０v）
在切換的過程中，一個負責灌電流，一個拉電流，＂一推一拉＂，負載和開關速度比普通方式要＂快＂。
輸入電平 0~3.3V
高速切換開關狀態。
開漏 OD
上方 P-MOS管不工作，就是沒有灌電流的存在 ; 只能控制低電平輸出
當 I/O高電平時，兩個 MOS 管都不工作 會呈現 高阻態(也就是電平依靠外電路來實現)，此時需要加入上拉電阻（最好是外部接上拉電阻）
那為什么要這樣呢？
當你需要的輸出電壓大于內置的（3.3V)，你就需要外加上拉電阻，實現高電壓輸出。
例如:I2C、SMBUS通信的“線與”中， 輸出電位要高于 3.3V(外加上拉電阻) ->高阻態，就需要輸出更高電平。
端口位配置表
具體參考：STM32庫開發實戰指南：基于F4(6.2章節)
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