問題1、

用戶使用STM32G473RET6芯片，開發(fā)環(huán)境STM32CubeMX+Keil（LL庫）。使用DMA1通道1，在半傳輸中斷和完全傳輸中斷里，拷貝ADC采集的數(shù)據(jù)。在應用過程中發(fā)現(xiàn)DMA半傳輸中斷和完全傳輸中斷不能獨立使用。

具體體現(xiàn)：
1、在DMA1初始化時，打開了半傳輸中斷，關閉完全傳輸中斷，照樣能觸發(fā)完全傳輸中斷
LL_DMA_EnableIT_HT(DMA1,LL_DMA_CHANNEL_1);//打開DMA1半傳輸中斷
LL_DMA_DisableIT_TC(DMA1,LL_DMA_CHANNEL_1);//關閉DMA1完全傳輸中斷
2、在DMA1初始化時，關閉了半傳輸中斷，打開完全傳輸中斷，照樣能觸發(fā)半傳輸中斷
LL_DMA_EnableIT_TC(DMA1,LL_DMA_CHANNEL_1);//打開DMA1完全傳輸中斷
LL_DMA_DisableIT_HC(DMA1,LL_DMA_CHANNEL_1);//關閉DMA1半傳輸中斷

這個問題很讓他很困惑，想知道怎么回事。

關于這個問題，我們在操作DMA相關的使能位或做相關傳輸長度配置時，一定要注意他們往往要求在DMA通道未被使能的前提下進行【具體閱讀芯片手冊】。現(xiàn)在的問題是，他想對DMA傳輸中斷使能位進行改寫，依然也有這個前提。見下圖黃色高亮內(nèi)容，即當相應DMA通道被使能時，是不接受對相應DMA通道的傳輸完成和半完成中斷使能的改寫。

換言之，這里若要對相應中斷使能位進行改寫，得先將DMA通道使能位【EN位】進行清零。使用LL庫的話就調(diào)用LL_DMA_DisableChannel(）函數(shù)實現(xiàn)，修改相應中斷使能位之后再將DMA通道打開，即調(diào)用LL_DMA_EnableChannel()函數(shù)。

問題2、用戶使用STM32G431芯片，用到TIMER1的PWM功能，并啟用基于TIMER事件的DMA Burst傳輸實現(xiàn)4個比較通道寄存器的批量修改。使用CubeMx進行配置。配置時發(fā)現(xiàn)一點疑惑，為什么外設端不需地址自增的勾選。

現(xiàn)在用戶的具體情況就是利用TIMER更新事件觸發(fā)DMA請求，每次更新事件觸發(fā)DMA將4個內(nèi)存數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)給定時器的4個CCR寄存器。

按照客戶的理解，在做DMA配置時這里的外設地址也應該勾選自增才對，可事實發(fā)現(xiàn)不勾選才結果正常，若選擇外設地址自增了反而異常。

ST公司設計人員為了滿足DMA對TIMER寄存器批量訪問，還特別設計了2個寄存器，分別是TIMx_DCR和TIMx_DMAR。其中，DCR寄存器由DBL和DBA字段組成。

DBA：被訪問的第一個定時器寄存器相對于定時器地址映射表中的TIMx_CR1的地址偏移量【偏移量從0開始計算】。

DBL：每組批量訪問的寄存器個數(shù)【從0開始計算】。DMA訪問DMAR寄存器時，按照如下算式得到絕對地址實現(xiàn)對寄存器的逐個訪問。(TIM2_CR1address) + (DBA + DMA?index)x 4。

對于定時器DMA BURST傳輸，外設地址就是TIM2_DMAR寄存器的地址。DMA根據(jù)上面地址算式實現(xiàn)對多個TIMER寄存器的訪問。TIM2_DMAR寄存器地址本身是固定的，無須增減，所以基于定時器事件DMA Burst模式配置外設時不要做地址自增勾選。

當然，上面需求也可以基于非Burst模式來完成。假設還是基于4個內(nèi)存數(shù)據(jù)修改4個CCR寄存器，此時則需要4次定時器事件觸發(fā)DMA請求,做DMA配置時需要將內(nèi)存端和外設端都選擇地址自增模式。基于CubeMx的參考配置如下：

當然，相應API函數(shù)也跟Burst模式下的也不一樣【這里依然使用更新事件申請DMA】。 HAL_DMA_Start_IT(&hdma_tim1_up,(uint32_t)T1_CCRData, (uint32_t)&htim1.Instance->CCR1,4); 下面是兩種不同訪問模式下的示意圖,圖示可能更直觀些。

好，今天的分享就到這里，下次再聊。