應用材料公司在芯片布線領域取得重大突破，驅動邏輯微縮進入3 納米及以下技術節點
?在真空條件下將七種工藝技術整合到一個系統中，使互連電阻減半
?新的材料工程解決方案提升芯片性能并降低功耗
?最新系統彰顯了應用材料公司為客戶成為PPACt 賦能企業（PPACt enablement company?）的戰略
2021 年 6 月 16 日，加利福尼亞州圣克拉拉——應用材料公司推出了一種全新的先進邏輯芯片布線工藝技術，可微縮到3納米及以下技術節點。
應用材料公司全新的Endura? Copper Barrier Seed IMS?解決方案在高真空條件下將七種不同工藝技術集成到了一個系統中，從而使芯片性能和功耗得到改善。
雖然晶體管尺寸縮小能夠使其性能提升，但這對互連布線中的影響卻恰恰相反：互連線越細，電阻越大，導致性能降低和功耗增加。從7納米節點到3納米節點，如果沒有材料工程技術上的突破，互連通孔電阻將增加10倍，抵消了晶體管縮小的優勢。
應用材料公司開發了一種名為Endura? Copper Barrier Seed IMS?的全新材料工程解決方案。這個整合材料解決方案在高真空條件下將ALD、PVD、CVD、銅回流、表面處理、界面工程和計量這七種不同的工藝技術集成到一個系統中。其中，ALD選擇性沉積取代了ALD共形沉積，省去了原先的通孔界面處高電阻阻擋層。解決方案中還采用了銅回流技術，可在窄間隙中實現無空洞的間隙填充。通過這一解決方案，通孔接觸界面的電阻降低了50%，芯片性能和功率得以改善，邏輯微縮也得以繼續至3 納米及以下節點。
應用材料公司高級副總裁、半導體產品事業部總經理珀拉布?拉賈表示：“每個智能手機芯片中有上百億條銅互連線，光是布線的耗電量就占到整個芯片的三分之一。在真空條件下整合多種工藝技術使我們能夠重新設計材料和結構，從而讓消費者擁有功能更強大和續航時間更長的設備。這種獨特的整合解決方案旨在幫助客戶改善性能、功率和面積成本。”
Endura Copper Barrier Seed IMS系統現已被客戶運用在全球領先的邏輯節點代工廠生產中。有關該系統和其它邏輯微縮創新的更多信息已在美國時間6月16日舉行的應用材料公司 2021邏輯大師課上進行了討論。
關于應用材料公司
應用材料公司（納斯達克：AMAT）是材料工程解決方案的領導者，全球幾乎每一個新生產的芯片和先進顯示器的背后都有應用材料公司的身影。憑借在規模生產的條件下可以在原子級層面改變材料的技術，我們助力客戶實現可能。應用材料公司堅信，我們的創新實現更美好的未來。
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