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2020年10月04日 | NXP新6英寸GaN晶圓廠在美落成

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日前,NXP半導(dǎo)體宣布其位于亞利桑那州錢德勒市的6英寸RF-GaN晶圓廠開幕,該晶圓廠是美國最先進的5G射頻功率放大器晶圓廠之一。


結(jié)合NXP在射頻功率和量產(chǎn)方面的專業(yè)知識,新的工廠支持工業(yè)、航空和國防市場5G基站和先進通信基礎(chǔ)設(shè)施的擴展。


此次虛擬開幕式包括了NXP高管演講以及亞利桑那州政府官員、美國商務(wù)部副部長以及荷蘭駐美國大使。


“今天是NXP的一個重要里程碑,”NXP CEO Kurt Sievers在主題演講中說。“通過在亞利桑那州建設(shè)這一設(shè)施并培養(yǎng)關(guān)鍵人才,我們能夠?qū)⒅攸c放在GaN技術(shù)上,作為推動下一代5G基站基礎(chǔ)設(shè)施的一部分。”


NXP指出,隨著5G技術(shù)的發(fā)展,每個天線所需的射頻解決方案密度呈指數(shù)級增長,但必須保持相同的尺寸并降低功耗。為了解決這些沖突,GaN功率晶體管出現(xiàn),因為他們在功率密度和效率方面都提供了顯著的改進。


NXP認為,近20年的GaN開發(fā)經(jīng)驗和無線通信行業(yè)的知識,使其在5G網(wǎng)絡(luò)市場擴張中處于有利地位。該公司表示,他們已經(jīng)優(yōu)化了GaN技術(shù),以改善半導(dǎo)體中的電子俘獲,提供高效率和同類產(chǎn)品中最佳線性度的增益。


“功率放大器在無線電技術(shù)中扮演著重要的角色,”Development Unit Networks負責人Joakim Sorelius說道,“與愛立信最近在美國的投資類似,我們很高興看到NXP在美國半導(dǎo)體工藝方面的投資,并持續(xù)專注于提高射頻系統(tǒng)的性能,以適應(yīng)未來高要求的無線網(wǎng)絡(luò)。”


NXP表示,其建立內(nèi)部GaN工廠的戰(zhàn)略舉措,是由于其能夠利用其在蜂窩網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計方面的核心競爭力、其在量產(chǎn)制造方面的記錄和質(zhì)量流程的一致性,從而實現(xiàn)更高的性能效益。


“新設(shè)施凸顯了恩智浦數(shù)十年來對GaN和通信基礎(chǔ)設(shè)施市場的承諾,”NXP射頻功率執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理Paul Hart說,新RF GaN工廠“已經(jīng)準備好擴大到6英寸甚至更高水平”。


NXP憑借其以錢德勒市工廠為基礎(chǔ)的團隊和其在復(fù)合半導(dǎo)體制造方面的長期專長,該工廠將迅速發(fā)展。


亞利桑那州州長Doug Ducey表示:“在錢德勒新建的最先進制造工廠,將擴大亞利桑那州作為高科技制造中心和5G創(chuàng)新先鋒的聲望。”


工廠將作為創(chuàng)新中心,促進工廠和NXP的現(xiàn)場研發(fā)團隊之間的合作。據(jù)估計,NXP工程師現(xiàn)在可以更快地開發(fā)、驗證和保護當前和未來幾代GaN器件的發(fā)明,從而縮短NXP GaN創(chuàng)新的周期時間。


新建的GaN工廠現(xiàn)已具備資質(zhì),首批產(chǎn)品已進入市場,預(yù)計將于2020年底達到滿負荷生產(chǎn)。


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