近日，中國長城科技集團宣布，研制成功我國首臺半導體激光隱形晶圓切割機，在關鍵性能參數上處于國際領先水平，填補了國內空白，這方面的設備依賴進口的局面將被打破。
最近，華為被美國加碼打壓的新聞引發業界普遍關注。正是因為我國在半導體生產制造領域的技術落后，才受制于人。
從設計到制造，半導體產業鏈上存在著不同領域的多種核心技術。其中，晶圓切割是半導體生產工藝中的一道關鍵工序，這其中所涉及到的一項設備就是激光晶圓切割機。
近日，中國長城科技集團宣布，研制成功我國首臺半導體激光隱形晶圓切割機，在關鍵性能參數上處于國際領先水平，填補了國內空白，這方面的設備依賴進口的局面將被打破。
據了解，該裝備是由中國長城科技集團旗下鄭州軌交院與河南通用歷時一年聯合攻關研發成功，最終實現了最佳光波和切割工藝，開啟了我國激光晶圓切割行業發展的序幕。
國內首臺半導體激光隱形晶圓切割機
21IC注意到，晶圓切割是半導體封測工藝中不可或缺的關鍵工序，所謂晶圓切割即是將做好芯片的整片晶圓按芯片大小分割成單一的芯片(die)，這在晶圓制造中屬后道工序。
目前，傳統常用的晶圓切割方法是采用金剛石砂輪來切割，但這種方法可能會對晶圓造成損壞。
新型的激光晶圓切割屬于無接觸式加工，并不會對晶圓產生機械應力的作用，因此對晶圓損傷較小。同時，由于激光可以聚焦到小至亞微米的面積，從而具有極高的切割精度，同時激光切割具有加工效率高的特點，可以大幅提升芯片生產制造的質量、效率、效益。
中國長城科技集團推出的這臺激光晶圓切割機，通過采用特殊材料、特殊結構設計、特殊運動平臺，可以實現加工平臺在高速運動時保持高穩定性、高精度，運動速度可達500mm/S，效率遠高于國外設備。 在光學方面，根據單晶硅的光譜特性，結合工業激光的應用水平，采用了合適的波長、總功率、脈寬和重頻的激光器，最終實現了隱形切割。在影像方面，采用不同像素尺寸、不同感光芯片的相機，配以不同功效的鏡頭，實現了產品輪廓識別及低倍、中倍和高倍的水平調整。該裝備還搭載了同軸影像系統，可以確保切割中效果的實時確認和優化，實現最佳切割效果。
據專家評估認為，這臺設備的研制成功，對進一步提高我國智能裝備制造能力具有里程碑式的意義。
華為被禁售的事件告訴我們，關鍵核心技術是要不來、買不來的，只有自力更生，永不言棄，才能獲得勝利。
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