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2018年08月30日 | 全球半導(dǎo)體投資破千億大關(guān),存儲(chǔ)領(lǐng)域占大頭

發(fā)布者:JoyfulExplorer 來(lái)源: 半導(dǎo)體行業(yè)觀察關(guān)鍵字:半導(dǎo)體投資 手機(jī)看文章 掃描二維碼
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據(jù)國(guó)外分析機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)測(cè),今年半導(dǎo)體資本支出總額將增至1020億美元,這是該行業(yè)一年來(lái)第一次在資本支出上花費(fèi)超過(guò)1000億美元。1020億美元的支出水平比2017年的933億美元增長(zhǎng)了9%,比2016年增長(zhǎng)了38%。

 

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如下圖所示,超過(guò)一半的行業(yè)資本支出預(yù)計(jì)用于內(nèi)存生產(chǎn)——主要是DRAM和閃存,這些支出包括了對(duì)現(xiàn)有晶圓廠線和全新制造設(shè)施的升級(jí)。總的來(lái)說(shuō),預(yù)計(jì)今年內(nèi)存將占到半導(dǎo)體資本支出的53%。

 

數(shù)據(jù)顯示,存儲(chǔ)設(shè)備的資本支出份額在過(guò)去六年大幅增加,幾乎翻了一番,從2013年的27%(147億美元)增加到2018年的行業(yè)資本支出總額的53%(540億美元),也就是說(shuō)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的投資在2013-2018年間的復(fù)合年增長(zhǎng)率高達(dá)30%。

 

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IC Insights也表示,經(jīng)過(guò)兩年的資本支出大幅增加,一個(gè)迫在眉睫的主要問(wèn)題是,高水平的支出是否會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)能過(guò)剩和價(jià)格下降。

 

他們表示,存儲(chǔ)市場(chǎng)的歷史先例表明,過(guò)多的支出通常會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)能過(guò)剩和隨后的價(jià)格疲軟。 但目前看來(lái),包括三星,SK海力士,美光,英特爾,東芝/西部數(shù)據(jù)/ SanDisk和XMC /長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)都計(jì)劃在未來(lái)幾年內(nèi)大幅提升3D NAND閃存容量(以及更多中國(guó)新內(nèi)存創(chuàng)業(yè)公司進(jìn)入市場(chǎng)) 。

 

IC Insights認(rèn)為,未來(lái)3D NAND閃存市場(chǎng)需求過(guò)高的風(fēng)險(xiǎn)正在高漲且不斷增長(zhǎng)。

 


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