晶圓代工大廠聯(lián)電耕耘40納米結(jié)合SST嵌入式SuperFlash非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制程平臺(tái)有成，可望獲得日本東芝(Toshiba)采用于微處理器(MCU)產(chǎn)品線上；大陸8吋晶圓廠華虹半導(dǎo)體的第二代90納米嵌入式快閃存儲(chǔ)器制程技術(shù)(90nm G2 eFlash)也正式量產(chǎn)，強(qiáng)化電信卡、智能卡、MCU產(chǎn)品線競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力。
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聯(lián)電表示，其40納米結(jié)合SST嵌入式SuperFlash非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制程，相較量產(chǎn)的55納米單元尺寸減少至少20%，整體存儲(chǔ)器面積更縮小20~30%。
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值得注意的是，聯(lián)電的40納米嵌入式SuperFlash非揮發(fā)性存儲(chǔ)器制程已經(jīng)獲得日本半導(dǎo)體大廠東芝評(píng)估采用，主要是用于MCU芯片上。
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東芝電子元件及存儲(chǔ)產(chǎn)品公司混合信號(hào)芯片部門副總松井俊表示，期待采用聯(lián)電40納米SST技術(shù)來(lái)提升MCU產(chǎn)品的性能，且透過與聯(lián)電合作，可在生產(chǎn)需求上提供靈活的產(chǎn)能。
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聯(lián)電的55納米SST嵌入式快閃存儲(chǔ)器從2015年開始提供給客戶以來(lái)，借由低功耗、高可靠度、高數(shù)據(jù)保留和高耐久性的特性，廣泛用于汽車、工業(yè)、消費(fèi)者、物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用領(lǐng)域，現(xiàn)在再將這嵌入式快閃存儲(chǔ)器解決方案擴(kuò)展到40納米的技術(shù)平臺(tái)。
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此外，目前已有超過20個(gè)客戶和產(chǎn)品在聯(lián)電的55納米SST嵌入式快閃存儲(chǔ)器制程平臺(tái)上進(jìn)行生產(chǎn)，包含SIM卡、金融交易、汽車、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、MCU等應(yīng)用產(chǎn)品。
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再者，一直將嵌入式非揮發(fā)性快閃存儲(chǔ)器制程技術(shù)視為戰(zhàn)略重點(diǎn)的大陸8吋晶圓廠華虹半導(dǎo)體也宣布第二代90納米嵌入式快閃存儲(chǔ)器制程平臺(tái)(90nm G2 eFlash)成功量產(chǎn)。
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華虹在第一代90納米嵌入式快閃存儲(chǔ)器制程平臺(tái)的基礎(chǔ)上，持續(xù)座技術(shù)提升，第二代的90納米嵌入式快閃存儲(chǔ)器制程微縮了Flash尺寸，較第一代減小約25%，是目前90納米制程技術(shù)平臺(tái)上，嵌入式閃存技術(shù)的最小尺寸。
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此外，第二代90納米嵌入式快閃存儲(chǔ)器制程平臺(tái)采用了新的Flash IP設(shè)計(jì)架構(gòu)，可達(dá)10萬(wàn)次擦寫和25年數(shù)據(jù)保持能力，同時(shí)提供極小面積的低功耗Flash IP，因此能大幅縮小整體芯片面積；再者，第二代的90納米嵌入式快閃存儲(chǔ)器制程又比第一代縮減了一層光罩，持續(xù)降低制造成本。
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華虹的第二代90納米嵌入式快閃存儲(chǔ)器制程已經(jīng)大量用于生產(chǎn)電信卡芯片、智能卡芯片、安全芯片、MCU等產(chǎn)品解決方案上。
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史海拾趣
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