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評(píng)論

4月14日消息，據(jù)臺(tái)媒“經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)”報(bào)道，在臺(tái)積電加快美國新廠建設(shè)腳步之際，消息人士指出臺(tái)積電日本子公司JASM的熊本第二座晶圓廠進(jìn)度將延后，以應(yīng)對(duì)業(yè)界半導(dǎo)體發(fā)展現(xiàn)況。

據(jù)悉，臺(tái)積電日本子公司JASM的熊本第二座晶圓廠原定今年第一季度展開興建工程，不過消息人士指出相應(yīng)工程將延期至“今年內(nèi)”動(dòng)工，雖然相應(yīng)興建工程延期，但這并不代表臺(tái)積電日本子公司JASM將放棄建設(shè)這家新的晶圓廠。

業(yè)界人士認(rèn)為，即使計(jì)劃不變，基于全球市場動(dòng)態(tài)與戰(zhàn)略考量，臺(tái)積電確實(shí)有可能靈活調(diào)整海外擴(kuò)張節(jié)奏與優(yōu)先順序。

業(yè)界分析，受美國當(dāng)局政策影響，同時(shí)考慮臺(tái)積電日本工廠主要生產(chǎn)汽車行業(yè)芯片產(chǎn)品，本身終端需求較低，同時(shí)臺(tái)積電供貨的不少汽車品牌客戶近期也展現(xiàn)出擴(kuò)大在美國投資生產(chǎn)的意愿，因此這可能使臺(tái)積電將資源優(yōu)先集中于美國新廠。

關(guān)鍵字：臺(tái)積電引用地址：消息稱臺(tái)積電日本熊本二廠建設(shè)延期，資源優(yōu)先向美國新廠傾斜

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消息稱臺(tái)積電、三星電子探索在阿聯(lián)酋建設(shè)大型晶圓廠可能

9 月 23 日消息，據(jù)《華爾街日?qǐng)?bào)》當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日?qǐng)?bào)道，臺(tái)積電與三星電子均對(duì)在阿拉伯聯(lián)合酋長國建設(shè)大型晶圓廠的可能進(jìn)行了探索。報(bào)道指出，阿聯(lián)酋正在討論包含多個(gè)晶圓廠的先進(jìn)半導(dǎo)體制造綜合體，整體成本有望超 1000 億美元（當(dāng)前約 7053.43 億元人民幣）。這一項(xiàng)目將由阿聯(lián)酋政府提供資金，該國主權(quán)投資基金穆巴達(dá)拉（Mubadala）將在其中發(fā)揮核心作用。穆巴達(dá)拉希望促進(jìn)本國科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展，尋求石油財(cái)富外的其它經(jīng)濟(jì)增長動(dòng)力。延攬兩大代工巨頭在阿聯(lián)酋設(shè)廠也可提升全球整體半導(dǎo)體產(chǎn)能，在不影響制造商盈利能力的前提下拉低芯片價(jià)格。在晶圓代工領(lǐng)域，穆巴達(dá)拉早在 2008 年收購了格芯 GlobalFoundries，此后就格芯在阿聯(lián)酋建

[半導(dǎo)體設(shè)計(jì)/制造]

消息稱<font color='red'>臺(tái)積電</font>、三星電子探索在阿聯(lián)酋建設(shè)大型晶圓廠可能

臺(tái)積電亞利桑那州第二座晶圓廠制程工藝升級(jí)至2nm 是為AI相關(guān)強(qiáng)勁需求

據(jù)外媒報(bào)道，臺(tái)積電本月8日在官網(wǎng)宣布，他們?cè)趤喞Ｄ侵萁ㄔO(shè)的第二座晶圓廠，制程工藝將由最初計(jì)劃的3nm升級(jí)為更先進(jìn)的2nm，量產(chǎn)時(shí)間也由2026年推遲到了2028年。對(duì)于將第二座晶圓廠的制程工藝由最初計(jì)劃的3nm提升到2nm，臺(tái)積電CEO魏哲家在一季度的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上也作出了回應(yīng)，他表示是為了支持AI相關(guān)的強(qiáng)勁需求。在OpenAI訓(xùn)練的人工智能聊天機(jī)器人ChatGPT大火之后，谷歌、Meta等科技巨頭們加大了在生成式人工智能、大語言模型研發(fā)和應(yīng)用領(lǐng)域的投入，對(duì)英偉達(dá)H100等高性能算力芯片的需求也大幅增加，亞馬遜、Meta也在自研用于人工智能訓(xùn)練的芯片，對(duì)芯片代工的需求也隨之增加。作為當(dāng)前全球最大的晶圓代工商，臺(tái)積電在人

[半導(dǎo)體設(shè)計(jì)/制造]

臺(tái)積電回應(yīng)1nm制程廠選址傳聞：不排除任何可能性

1 月 22 日消息，中國臺(tái)灣《聯(lián)合報(bào)》稱：經(jīng)多方評(píng)比后，臺(tái)積電最終決定將最先進(jìn)的 1nm 制程代工廠選址定在嘉義科學(xué)園區(qū)，總投資額超萬億新臺(tái)幣（IT之家備注：當(dāng)前約 2290 億元人民幣）。對(duì)于這一傳聞，臺(tái)積電表示，選擇設(shè)廠地點(diǎn)有諸多考量因素，臺(tái)積電以中國臺(tái)灣地區(qū)作為主要基地，不排除任何可能性，也持續(xù)與管理局合作評(píng)估合適的半導(dǎo)體建廠用地。在上個(gè)月舉行的 IEDM 2023 會(huì)議上，臺(tái)積電制定了提供包含 1 萬億個(gè)晶體管的芯片封裝路線，這一計(jì)劃與英特爾去年透露的規(guī)劃類似。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，該公司重申正在致力于 2nm 級(jí) N2 和 N2P 生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)，以及 1.4nm 級(jí) A14 和 1nm 級(jí) A10 制造工藝，預(yù)計(jì)將于 2

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性能、效率“全面超越”，消息稱臺(tái)積電2025年為蘋果量產(chǎn)2nm芯片

1 月 16 日消息，根據(jù) DigiTimes 報(bào)道，蘋果下一代 2nm 芯片技術(shù)將于 2025 年量產(chǎn)。 IT之家去年 12 月援引集邦咨詢報(bào)道，臺(tái)積電正在積極推進(jìn) 2nm 工藝節(jié)點(diǎn)，首部機(jī)臺(tái)計(jì)劃今年 4 月進(jìn)廠。新竹科學(xué)園區(qū)管理局長王永壯去年 12 月宣布，竹科寶山一期已建設(shè)完成，臺(tái)積電全球研發(fā)中心今年啟用。而寶山二期工程目前正在建設(shè)過程中，同時(shí)推進(jìn)臺(tái)積電 2nm 工藝一廠和二廠，建成之后將成為臺(tái)積電的第一家 2nm 工藝生產(chǎn)基地，目前各項(xiàng)建設(shè)工作進(jìn)展順利，首部機(jī)臺(tái)預(yù)期將于 2024 年 4 月進(jìn)廠。消息稱臺(tái)積電已經(jīng)向蘋果公司展示了 2 納米芯片原型，預(yù)計(jì)將于 2025 年推出。據(jù)說，蘋果公司與臺(tái)積電緊密合作，競相開發(fā)

[半導(dǎo)體設(shè)計(jì)/制造]

曝蘋果M3芯片下半年量產(chǎn)：首發(fā)臺(tái)積電3nm工藝

據(jù)MacRumors報(bào)道，蘋果將在今年下半年量產(chǎn)M3芯片，這顆芯片將被應(yīng)用到MacBook Air、13英寸MacBook Pro、24英寸iMac和Mac mini等產(chǎn)品線上。據(jù)悉，蘋果M3芯片代號(hào)Ibiza，基于臺(tái)積電3nm工藝制程打造。相較于5nm制程，3nm制程的邏輯密度將增加約70%，在相同功耗下速度提升10-15%，或者在相同速度下功耗降低25-30%。跑分方面，蘋果M3芯片單核基準(zhǔn)測試成績?yōu)?472分，多核基準(zhǔn)測試成績?yōu)?3676分。如果將這一成績與2023款16寸MacBook Pro搭載的M2 Max芯片（單核2793分/多核14488分）對(duì)比會(huì)發(fā)現(xiàn)，M3芯片單核成績高出了24%，多核成績僅低了6%。

[家用電子]

臺(tái)媒：臺(tái)積電將在臺(tái)灣建10座晶圓廠

據(jù)臺(tái)媒工商時(shí)報(bào)報(bào)道，韓國三星電子將投入2,300億美元在韓國首爾近郊興建五座晶圓廠，但晶圓代工龍頭臺(tái)積電更勝一籌。臺(tái)積電的3納米及2納米大投資計(jì)畫，預(yù)計(jì)會(huì)在臺(tái)灣興建逾十座晶圓廠，不論由制程推進(jìn)、產(chǎn)能規(guī)模、良率表現(xiàn)等各方面來看，三星要追趕上臺(tái)積電仍有很長的路要走。臺(tái)積電看好3納米制程世代將會(huì)是另一個(gè)大規(guī)模且有長期需求的制程技術(shù)。臺(tái)積電日前法人說明會(huì)指出，盡管庫存調(diào)整仍在持續(xù)，但已觀察到3納米N3制程和N3E制程皆有許多客戶參與，量產(chǎn)第一年和第二年產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案數(shù)量將是5納米N5制程2倍以上。臺(tái)積電3納米制程技術(shù)無論在PPA（效能、功耗及面積）及電晶體技術(shù)上，都已是全球半導(dǎo)體業(yè)界最先進(jìn)的技術(shù)。因此，臺(tái)積電預(yù)期客戶在2023年

[半導(dǎo)體設(shè)計(jì)/制造]

建3/5nm工廠！外派工程師赴美遭指掏空人才臺(tái)積電正面回應(yīng)

臺(tái)積電美國亞利桑那州廠預(yù)計(jì)12月6日舉行首批機(jī)臺(tái)設(shè)備到廠典禮，外派工程師陸續(xù)飛往美國，各界關(guān)注，有媒體認(rèn)為該公司人才正被掏空。對(duì)于外界的爭議，臺(tái)積電表示，目前內(nèi)外每個(gè)新廠都有短期外派工程師，且人數(shù)與員工數(shù)相比很有限，沒有這疑慮。其實(shí)這個(gè)事情，之前臺(tái)積電創(chuàng)始人張忠謀就曾隱晦的表示，不存在臺(tái)積電被掏空一說。按照張仲謀的說法，大家都知道芯片是非常重要的東西，很多忍嫉妒臺(tái)積電生產(chǎn)那么多高品質(zhì)芯片，嫉妒羨慕的人很多，更為了一些理由，比如安全、賺錢等原因希望臺(tái)積電去他們那里生產(chǎn)芯片。據(jù)悉，這次臺(tái)積電的3nm工廠和5nm工廠將位于亞利桑那州的同一個(gè)地點(diǎn)，“這個(gè)項(xiàng)目幾乎已經(jīng)敲定——在亞利桑那州的同一個(gè)地點(diǎn)。5nm是phas

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臺(tái)積電：HPC芯片功率密度推動(dòng)行業(yè)對(duì)1kW+散熱系統(tǒng)需求增長

近年來，超算等高性能系統(tǒng)的功率密度，始終保持著高速增長。不過臺(tái)積電在其年度技術(shù)研討會(huì)上表示 —— 計(jì)算領(lǐng)域的一個(gè)明顯趨勢，就是每個(gè)芯片和機(jī)架單元的功耗，并不會(huì)坐等受到傳統(tǒng)風(fēng)冷散熱的限制。顯然，晶體管功耗的降低，并沒有其尺寸縮減那樣快。由于芯片制造商不會(huì)放棄性能上的定期增長，HPC 領(lǐng)域的晶體管功率正在飛漲。另一方面，小芯片技術(shù)正在為構(gòu)建更強(qiáng)大的芯片鋪平道路。但在性能與延遲優(yōu)勢之外，其在散熱方面遇到的問題也不容忽視。以臺(tái)積電為例，這家芯片代工巨頭擁有 CoWoS 和 InFO 等現(xiàn)代技術(shù)，允許芯片制造商突破傳統(tǒng)標(biāo)線限制、構(gòu)建集成更多芯片的系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）。通過將四個(gè)標(biāo)線大小的芯片結(jié)合到一起，其復(fù)雜性也會(huì)迎來巨大

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