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三菱電機日前推出其N系列1200V碳化硅（SiC）MOSFET，具有低功耗和高容限等特性。

具體來說，結型場效應晶體管（JFET）摻雜技術可降低開關損耗和導通電阻，從而實現了1450mΩ內阻。與使用常規的IGBT相比，功耗降低了約85％。

據稱，通過降低鏡像電容（MOSFET結構中柵極和漏極之間的雜散電容Crss），自導通容差比競爭對手的產品提高了14倍，因此可以實現快速的開關操作，有助于減少開關損耗。

降低的開關功率損耗之后可以選擇更高載頻的功率半導體，散熱器可實現小型化和簡化，以及諸如電抗器之類的外圍組件的小型化，從而有助于降低整個電源系統的成本和尺寸。

該公司表示，新系列產品可以幫助減少需要高壓轉換的小型電源系統的功耗，例如電動汽車（EV）車載充電器，光伏電源系統等。

樣品發貨將于七月開始。

關鍵字：三菱電機 SiC MOSFET 引用地址：三菱電機推出1200V SiC MOSFET

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