大連理工大學黃輝教授團隊研發(fā)了無漏電流“納米線橋接生長技術”，解決了納米線器件的排列組裝、電極接觸及材料穩(wěn)定性問題，制備出高可靠性（8個月電阻變化率<0.8%）、低功耗（可室溫工作）及高靈敏度（NO2檢測限0.5ppb）的GaN納米線氣體傳感器，該傳感器可推廣至生物檢測以及應力應變檢測等，實驗結果發(fā)表在國際納米領域頂級期刊“Nano Letters” 。

目前，半導體集成電路芯片（IC）發(fā)展迅猛，推動著物聯(lián)網和人工智能產業(yè)的興起。如果把IC比作人的大腦，傳感器則相當于的人的感知器官，二者相互依存。但是，傳感器（特別是可集成微納傳感器）的發(fā)展程度，遠遠滯后于IC的發(fā)展水平。因此，微納傳感器（或傳感芯片）將是繼IC產業(yè)之后的另一重大產業(yè)。

黃輝團隊，首次研究了納米線橋接生長中的寄生沉積效應，發(fā)明了一種結合氣流遮擋效應與表面鈍化效應的橋接生長方法，解決了寄生沉積問題；并首次實現了“無漏電流”的GaN橋接納米線，在此基礎上研制出高穩(wěn)定性、低功耗以及高靈敏度的集成納米線氣體傳感器。特別是，GaN材料是第三代半導體，具有優(yōu)異的穩(wěn)定性（耐高溫、抗氧化、耐酸堿腐蝕）和生物兼容性，適用于嚴酷環(huán)境下的應力應變以及液體和氣體樣品的檢測（實驗證明氫氟酸腐蝕48小時未對GaN納米線產生影響），應用領域非常廣泛。該技術將推動傳感芯片的發(fā)展。