大連理工大學(xué)黃輝教授團隊研發(fā)了無漏電流“納米線橋接生長技術(shù)”,解決了納米線器件的排列組裝、電極接觸及材料穩(wěn)定性問題,制備出高可靠性(8個月電阻變化率<0.8%)、低功耗(可室溫工作)及高靈敏度(NO2檢測限0.5ppb)的GaN納米線氣體傳感器,該傳感器可推廣至生物檢測以及應(yīng)力應(yīng)變檢測等,實驗結(jié)果發(fā)表在國際納米領(lǐng)域頂級期刊“Nano Letters” 。
目前,半導(dǎo)體集成電路芯片(IC)發(fā)展迅猛,推動著物聯(lián)網(wǎng)和人工智能產(chǎn)業(yè)的興起。如果把IC比作人的大腦,傳感器則相當(dāng)于的人的感知器官,二者相互依存。但是,傳感器(特別是可集成微納傳感器)的發(fā)展程度,遠(yuǎn)遠(yuǎn)滯后于IC的發(fā)展水平。因此,微納傳感器(或傳感芯片)將是繼IC產(chǎn)業(yè)之后的另一重大產(chǎn)業(yè)。
黃輝團隊,首次研究了納米線橋接生長中的寄生沉積效應(yīng),發(fā)明了一種結(jié)合氣流遮擋效應(yīng)與表面鈍化效應(yīng)的橋接生長方法,解決了寄生沉積問題;并首次實現(xiàn)了“無漏電流”的GaN橋接納米線,在此基礎(chǔ)上研制出高穩(wěn)定性、低功耗以及高靈敏度的集成納米線氣體傳感器。特別是,GaN材料是第三代半導(dǎo)體,具有優(yōu)異的穩(wěn)定性(耐高溫、抗氧化、耐酸堿腐蝕)和生物兼容性,適用于嚴(yán)酷環(huán)境下的應(yīng)力應(yīng)變以及液體和氣體樣品的檢測(實驗證明氫氟酸腐蝕48小時未對GaN納米線產(chǎn)生影響),應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛。該技術(shù)將推動傳感芯片的發(fā)展。
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史海拾趣
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