鐵電存儲器（FRAM，Ferroelectric RAM）是一種兼具快速讀寫能力和非易失性存儲特性的隨機存取存儲器。它結合了動態隨機存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問速度，以及像只讀存儲器（ROM）和閃存那樣在電源關閉后保留數據的能力。

鐵電存儲器的工作原理基于鐵電材料的特性，即在電場作用下可逆地改變其極化方向。這種極化狀態可以在沒有電場的情況下保持，因此可用于存儲數據。常用的鐵電材料包括鐵酸鋯、鐵酸鈦等。存儲單元通常由鐵電薄膜、上下電極和選擇器件組成。

鐵電存儲器具有讀寫速度快、功耗低、寫入壽命長等優點。其讀寫速度可達納秒級，寫入次數最低為100億次，遠高于傳統的EEPROM和Flash存儲器。此外，鐵電存儲器還具有無限次寫入的能力，不易損壞。

鐵電存儲器在智能家電、消費電子、醫療設備、網絡服務設備等領域有廣泛應用。特別是在醫療設備中，如血氧儀、CT掃描儀、呼吸機等，鐵電存儲器發揮著重要作用。隨著5G、人工智能等信息技術的不斷進步，鐵電存儲器的應用領域將逐漸拓寬，市場需求也將持續增長。