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2020年06月01日 | 傳SK海力士計劃在1a級 DRAM中引入EUV技術

發布者:hfy13567003617 來源: 愛集微關鍵字:海力士 手機看文章 掃描二維碼
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據韓媒報道,SK海力士公司內部人士透露,該公司已開始研發第四代10納米級DRAM,內部代號為“南極星”(Canopus),預計將在制程中導入EUV光刻技術。                                        

目前,SK海力士最先進的DRAM產品主要圍繞1Y納米、1Z納米制造工藝,該公司計劃在今年下半年將這兩種工藝比重提高到40%。此外,SK海力士將繼續推進DRAM的制造技術。


報道指出,“Canopus”將是SK海力士迄今面臨的最關鍵項目之一,因為這是該公司首度應用EUV光刻技術生產DRAM。不過一位消息人士指出:“當下最重要的問題是,SK海力士能否通過使用EUV技術確保其產品的競爭力。”


根據此前報道,三星3月份宣布,已出貨100萬個基于第四代10nm級EUV工藝的DDR4 DRAM模塊,并預計明年量產,同時該公司未來幾代的DRAM產品將會全面導入EUV技術。而據悉,SK海力士旗下該款1a級DRAM預計將在2021年推出,屆時圍繞EUV的芯片制造市場競爭將更加激烈。


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