晶圓代工廠臺(tái)積電今（6）日宣布將在日本舉辦的2019年VLSI技術(shù)及電路研討會(huì)（2019 Symposia on VLSI Technology & Circuits）發(fā)表新興存儲(chǔ)器、二維材料及系統(tǒng)整合技術(shù)研究論文。
技術(shù)研究副總經(jīng)理黃漢森表示，對(duì)VLSI研討會(huì)亮點(diǎn)展示公司論文、受邀闡述研究成果感到無(wú)比榮幸。論文均是公司研究人員及年輕優(yōu)秀工程師的心血結(jié)晶，臺(tái)積電將持續(xù)實(shí)現(xiàn)技術(shù)領(lǐng)先的承諾，對(duì)未來(lái)持續(xù)提供優(yōu)異技術(shù)很有信心。
根據(jù)臺(tái)積電提供資料，分別在存儲(chǔ)器、先進(jìn)制程與先進(jìn)封裝上各有領(lǐng)先技術(shù)發(fā)表。存儲(chǔ)器部分，該篇論文中陳述臺(tái)積電所開(kāi)發(fā)的焊錫回焊（Solder Reflow）能力的22納米eMRAM技術(shù)，該技術(shù)可在封裝過(guò)程中承受焊錫高溫，且制造過(guò)程中預(yù)存的存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)不會(huì)在高溫封裝過(guò)程中流失。相較28納米嵌入式快閃存儲(chǔ)器，具備焊錫回焊能力的22納米eMRAM大幅減少所需增加的光罩層數(shù)，寫(xiě)入數(shù)據(jù)速度與可靠度也高度提升。
臺(tái)積電表示，該技術(shù)適用于需要保留預(yù)存數(shù)據(jù)的產(chǎn)品，如可穿戴、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備。同時(shí)，論文指出，若不需具備焊錫回焊能力，可望更大幅降低eMRAM寫(xiě)入數(shù)據(jù)功耗及讀取時(shí)間，并維持非揮發(fā)性，如低耗電機(jī)器學(xué)習(xí)推論處理器皆可受惠。
另外，在先進(jìn)制程上，主要發(fā)表3納米及更先進(jìn)制程晶體管微縮技術(shù)，因晶體管電子流通的信道需要更短、更薄，以確保良好的開(kāi)關(guān)閘行為，進(jìn)而衍生二維通道材料的研究。為此，臺(tái)積電發(fā)表“直接使用信道區(qū)域選擇性CVD成長(zhǎng)法在SiOx/Si基板上制造的40nm信道長(zhǎng)度上閘極WS2pFET的首次展示”論文，展示出使用二維材料二硫化鎢（WS2）進(jìn)行大量生產(chǎn)的可能性，有助于量產(chǎn)未來(lái)晶體管的研究方向。
其他2篇亮點(diǎn)論文則以整體系統(tǒng)層次出發(fā)，借由小芯片（Chiplet）組合建構(gòu)出系統(tǒng)，而非個(gè)別晶體管的方式來(lái)解決微縮的挑戰(zhàn)。不同于系統(tǒng)單芯片（SoC）將每一個(gè)組件放在單一裸晶上，小芯片可將不同功能分散到不同的制程技術(shù)生產(chǎn)的個(gè)別微小裸晶，擁有靈活、合格率更佳及節(jié)省成本的優(yōu)勢(shì)。不過(guò)，臺(tái)積指出，為達(dá)到與SoC相當(dāng)?shù)男阅埽⌒酒仨毻ㄟ^(guò)密集、高速、高帶寬的連結(jié)來(lái)進(jìn)行彼此溝通。
7納米部分，臺(tái)積電以“適用于高性能運(yùn)算的7nm 4GHz Arm核心 CoWoS 小芯片設(shè)計(jì)”為題的論文詳細(xì)介紹CoWoS先進(jìn)封裝解決方案中的7納米雙小芯片系統(tǒng)。每個(gè)小芯片內(nèi)運(yùn)作頻率4GHz的Arm核心以支持高性能運(yùn)算應(yīng)用，小芯片之間通過(guò)臺(tái)積電獨(dú)特的Low-voltage-In-Package-INterCONnect（LIPINCON）技術(shù)作鏈接，數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)8Gb/s/pin，并擁有優(yōu)異的功耗效益。
最后，臺(tái)積電也針對(duì)先進(jìn)封裝發(fā)表“3D多芯片與系統(tǒng)整合芯片（SoIC）的整合”論文，揭露完整的三維（3D）整合技術(shù)，此項(xiàng)系統(tǒng)整合芯片解決方案將不同尺寸、制程技術(shù)、以及材料的已知良好裸晶直接堆棧，凸塊密度與速度高出數(shù)倍，同時(shí)大幅減少功耗。而系統(tǒng)整合芯片組能利用臺(tái)積電的整合型扇出（InFO）或CoWoS的后端先進(jìn)封裝技術(shù)來(lái)進(jìn)一步整合其他芯片，打造強(qiáng)大的“3D X 3D”系統(tǒng)解決方案，頗有向英特爾叫陣味道。
除亮點(diǎn)論文外，臺(tái)積電也表達(dá)對(duì)高通發(fā)表的“7納米移動(dòng)系統(tǒng)單芯片、5G平臺(tái)技術(shù)及設(shè)計(jì)共同開(kāi)發(fā)支持PPA與可制造性”論文做出的貢獻(xiàn)，介紹高通驍龍TMSDM855行動(dòng)SoC及采用7納米FinFET技術(shù)的全球第1個(gè)商用5G平臺(tái)。
VLSI技術(shù)及電路研討會(huì)是微電子領(lǐng)域中頂尖的年度國(guó)際會(huì)議，將于6月9日至6月14日在日本京都舉行，此次邀請(qǐng)臺(tái)積電發(fā)表論文，共同探討今年研討會(huì)的主題──“將半導(dǎo)體推向極限，實(shí)現(xiàn)無(wú)縫聯(lián)結(jié)新世界”。
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史海拾趣
隨著業(yè)務(wù)的不斷擴(kuò)展和市場(chǎng)需求的增加，德利威電子在1998年實(shí)現(xiàn)了全系列防水開(kāi)關(guān)的生產(chǎn)，并取得了RS33A開(kāi)關(guān)專利。同年，公司還擴(kuò)大了經(jīng)營(yíng)規(guī)模，搬入了自購(gòu)的廠辦大樓，并增加了資本額至一千五百萬(wàn)元。這些舉措不僅提升了公司的生產(chǎn)能力和產(chǎn)品品質(zhì)，也為公司未來(lái)的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
博通集成自成立以來(lái)，始終致力于無(wú)線通訊技術(shù)的研發(fā)與創(chuàng)新。公司團(tuán)隊(duì)不斷攻克技術(shù)難關(guān)，推出了多款具有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品。其中，公司自主研發(fā)的首款Wi-Fi寬帶收發(fā)樣片在2015年成功通過(guò)測(cè)試，這一技術(shù)突破為公司在無(wú)線通訊領(lǐng)域的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。此后，公司不斷推出創(chuàng)新產(chǎn)品，涵蓋無(wú)線數(shù)傳芯片和無(wú)線音頻芯片等多個(gè)領(lǐng)域，廣泛應(yīng)用于智能家居、智能交通等領(lǐng)域。
隨著產(chǎn)品線的不斷豐富和技術(shù)實(shí)力的提升，博通集成開(kāi)始積極拓展市場(chǎng)。公司憑借優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)，贏得了眾多客戶的信賴和支持。同時(shí)，公司注重品牌建設(shè)，通過(guò)參加行業(yè)展會(huì)、舉辦技術(shù)研討會(huì)等方式，提升品牌知名度和影響力。如今，博通集成已成為無(wú)線連接芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域的知名品牌。
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