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用4200-SCS型半導體特性分析系統進行電荷泵浦測試(英文)
Charge pumping (CP) is a well-known measurement technique for analyzing the semiconductor–dielectric interface of MOS structures. Important information about the quality and degradation of a device can be extracted from charge pumping current (ICP) measur
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- 發布公司：吉時利
- 文件大小：1247.83 Kb
- 更新時間：2010-09-27 16:30:53
- 官網：http://www.keithley.com.cn
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