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高K柵介質(zhì)電荷俘獲行為的脈沖特性分析（英文）
High dielectric constant (high κ) gate materials, such as hafnium oxide (HfO2), zirconium oxide (ZrO2), alumina (Al2O3), and their silicates1, have drawn a great deal of attention in recent years as potential materials for gate dielectrics in advanced CMO
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- 發(fā)布公司：Keithley
- 文件大小：252.78 Kb
- 更新時間：2010-01-18 15:28:03
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