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面向BTI特征分析的在運行中閾值電壓測量

傳統CMOS工藝縮放技術的發展正逐漸逼近極限，迫切需要采用新材料和新器件設計。隨著這些新材料和新設計的出現，人們非常關注潛在失效機理，并需要進行更多的可靠性測試。諸如偏溫不穩定性（N-BTI和P-BTI）等失效機理需要高速信號源和測量功能才能解析快速恢復效應。通過分析包括在運行中測量在內的各種測量技術，有助于利用合適的儀器實現有效的測量解決方案。

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