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新材料和新工藝呼喚新測(cè)試技術(shù)和儀器
隨著廣大半導(dǎo)體制造商轉(zhuǎn)向65nm工藝并將超越這一節(jié)點(diǎn)，我們面臨著巨大的測(cè)量挑戰(zhàn)。工藝研發(fā)工程師必須逐漸拋棄Si/SiO2/多晶硅/Al等材料，開(kāi)始采用更具挑戰(zhàn)性的SiGe、SOI、HfNO2、金屬柵、低k和銅等材料。這些新材料需要新的測(cè)量技術(shù)去分析工藝和器件的特征。其中一些主要應(yīng)用包括：? 先進(jìn)高k柵的測(cè)量? 圓片射頻s參數(shù)測(cè)量? SOI襯底的恒溫直流和射頻測(cè)試? 嵌入式存儲(chǔ)器特征分析，例如MRAM和PRAM?飛安級(jí)漏電流測(cè)量
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- 更新時(shí)間：2009-12-29 15:14:46
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