半導體電路技術國際會議“2009 IEEE International Solid-State Circuits Conference（2009 ISSCC）”于09年2月9日（星期一）在美國舊金山拉開帷幕。受全球景氣衰退的影響，預計今年參加ISSCC的人數為2200～2300名。比上年減少3成左右。

　　預計2009 ISSCC的論文采用數將比上年減少約10％，為200篇左右。此前受到景氣后退影響的北美和歐洲的企業等的論文數量大幅減少，而亞洲的論文數量增加。從論文領域的比例來看，歐美具有較強優勢的數據轉換器和高性能數字領域的論文比例下降，低功耗數字和有線通信等亞洲具有較強優勢的領域的論文比例有所提高。

　　半導體技術的微細化方面，今年將開發采用32nm工藝的邏輯LSI。美國英特爾不僅試制了使用32nm制造技術的291Mbit SRAM和等化電路，還計劃發布面向32nm工藝的片上溫度傳感器。NAND閃存方面，3Xnm工藝的發表接連不斷。比如，東芝和美國SanDisk將發布小于35nm工藝的32Gbit芯片（3bit/單元）。

　　另外，讓人耳目一新的是能源相關的發表十分引人注目。美國麻省理工學院（MIT）將發表壓電型環保發電元件的輸出電量為原來4.2倍的電路技術。德國弗萊堡大學等將發表面向片上燃料電池的基礎技術。