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一、電源管理—實現低功耗

電源對電子設備的重要性不言而喻,它是保證系統穩定運行的基礎,而保證系統能穩定運行后,又有低功耗的要求。 在很多應用場合中都對電子設備的功耗要求非常苛刻,如某些傳感器信息采集設備,僅靠小型的電池提供電源,要求工作長達數年之久,且期間不需要任何維護;由于智慧穿戴設備的小型化要求,電池體積不能太大導致容量也比較小,所以也很有必要從控制功耗入手,提高設備的續行時間。 因此, STM32 有專門的電源管理外設監控電源并管理設備的運行模式, 確保系統正常運行,并盡量降低器件的功耗。


默認情況下,系統復位或上電復位后,微控制器進入運行模式。在運行模式下, CPU 通過HCLK 提供時鐘,并執行程序代碼。系統提供了多個低功耗模式,可在 CPU不需要運行時(例如等待外部事件時)節省功耗。由用戶根據應用選擇具體的低功耗模式,以在低功耗、短啟動時間和可用喚醒源之間尋求最佳平衡。


詳細信息看中文手冊的第五章,5.3電源管理


器件有三個低功耗模式:


(1)睡眠模式(Cortex-M4內核停止,外設保持運行,喚醒速度是最快的,

    執行WFI (Wait For   Interrupt,任何中斷都能喚醒)

(2)停止模式(所有時鐘都停止,執行PWR_EnterSTOPMode,外部中斷控制線喚醒,例如按鍵)

(3)待機模式(1.2 V 域斷電,喚醒速度最慢,程序從頭開始運行,就跟手機關機一樣,這種模式一般用的不多,調用PWR_EnterSTANDBYMode)


此外,可通過下列方法之一降低運行模式的功耗:

(1)降低系統時鐘速度

(2)不使用 APBx 和 AHBx 外設時,將對應的外設時鐘關閉


二、睡眠模式


在睡眠模式中,僅關閉了內核時鐘,內核停止運行,但其片上外設, CM4 核心的外設全都還照常運行。有兩種方式進入睡眠模式,它的進入方式決定了從睡眠喚醒的方式,分別是 WFI(wait for interrupt)和 WFE(wait for event),即由等待“中斷”喚醒和由“事件”喚醒。


1.睡眠模式各種特性


立即睡眠 :在執行 WFI 或 WFE 指令時立即進入睡眠模式。


退出時睡眠 :在退出優先級最低的中斷服務程序后才進入睡眠模式。


進入方式: 內核寄存器的 SLEEPDEEP = 0 ,然后調用 WFI 或 WFE 指令即可進入睡眠模式;

另外若內核寄存器的 SLEEPONEXIT=0 時 , 進入“ 立即睡眠 ” 模式SLEEPONEXIT=1 時,進入“退出時睡眠”模式。


喚醒方式: 如果是使用 WFI (Wait From Interrupt)指令睡眠的,則可使用任意中斷喚醒;如果是使用 WFE(Wait From Event) 指令睡眠的,則由事件喚醒。


睡眠時 ,關閉內核時鐘,內核停止,而外設正常運行,在軟件上表現為不再執行新的代碼。這個狀態會保留睡眠前的內核寄存器、內存的數據。


喚醒延遲 :無延遲。


喚醒后 ,若由中斷喚醒,先進入中斷,退出中斷服務程序后,接著執行 WFI 指令后的程序;若由事件喚醒,直接接著執行 WFE 后的程序。

進入睡眠模式之后,任意中斷可以喚醒CPU。


三、停止模式


在停止模式中,進一步關閉了其它所有的時鐘,于是所有的外設都停止了工作,但由于其 1.2V 區域的部分電源沒有關閉,還保留了內核的寄存器、內存的信息,所以從停止模式喚醒,并重新開啟時鐘后,還可以從上次停止處繼續執行代碼。停止模式可以由任意一個外部中斷(EXTI)喚醒。在停止模式中可以選擇電壓調節器為開模式或低功耗模式,可選擇內部 FLASH 工作在正常模式或掉電模式。


當退出停止模式后,它是選擇內部的HSI RC振蕩器作為時鐘,但是這不是我們想要的CPU的頻率,所以重新調用SysteInit函數


1.停止模式的各種特性


調壓器低功耗模式 :在停止模式下調壓器可工作在正常模式或低功耗模式,可進一步降低功耗

FLASH掉電模式 : 在停止模式下 FLASH 可工作在正常模式或掉電模式,可進一步降低功耗

進入方式 : 內核寄存器的 SLEEPDEEP =1, PWR_CR 寄存器中的 PDDS=0,然后調用 WFI或 WFE 指令即可進入停止模式;

PWR_CR 寄存器的 LPDS=0 時,調壓器工作在正常模式, LPDS=1 時工作在低功耗模式;

PWR_CR 寄存器的 FPDS=0 時, FLASH 工作在正常模式, FPDS=1 時進入掉電模式。

喚醒方式 : 如果是使用 WFI 指令睡眠的,可使用任意 EXTI 線的中斷喚醒;如果是使用 WFE 指令睡眠的,可使用任意配置為事件模式的 EXTI 線事件喚醒。


停止時, 內核停止,片上外設也停止。這個狀態會保留停止前的內核寄存器、內存的數據。


喚醒延遲 : 基礎延遲為 HSI 振蕩器的啟動時間,若調壓器工作在低功耗模式,還需要加上調壓器從低功耗切換至正常模式下的時間,

若 FLASH 工作在掉電模式,還需要加上 FLASH 從掉電模式喚醒的時間。


喚醒后, 若由中斷喚醒,先進入中斷,退出中斷服務程序后,接著執行 WFI 指令后的程序;若由事件喚醒,直接接著執行 WFE 后的程序。喚醒后, STM32會使用 HIS 作為系統時鐘。

由外部中斷按鍵觸發喚醒。


四、待機模式


待機模式,它除了關閉所有的時鐘,還把 1.2V 區域的電源也完全關閉了,也就是說,從待機模式喚醒后,由于沒有之前代碼的運行記錄,只能對芯片復位,重新檢測 boot 條件,

從頭開始執行程序。它有四種喚醒方式,分別是 WKUP(PA0)引腳的上升沿(相當于手機的電源鍵), RTC 鬧鐘事件(相當于手機自動開機), NRST 引腳的復位和 IWDG(獨立看門狗)復位。


1、 待機模式的各種特性


進入方式 : 內核寄存器的 SLEEPDEEP =1, PWR_CR 寄存器中的 PDDS=1, PWR_CR 寄存器中的喚醒狀態位 WUF=0,然后調用 WFI 或 WFE 指令即可進入待機模式;


喚醒方式 : 通過 WKUP 引腳的上升沿, RTC 鬧鐘、喚醒、入侵、時間戳事件或NRST 引腳外部復位及 IWDG 復位喚醒。


待機時 , 內核停止,片上外設也停止;內核寄存器、內存的數據會丟失;除復位引腳、 RTC_AF1 引腳及 WKUP 引腳,其它 I/O 口均工作在高阻態。


喚醒延遲 : 芯片復位的時間

喚醒后 , 相當于芯片復位,在程序表現為從頭開始執行代碼

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