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2020年01月03日 | 李在镕:三星計劃首發3nm GAA 制程芯片

發布者:reaper2009 來源: 互聯網關鍵字:3nm  三星 手機看文章 掃描二維碼
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據韓國媒體報導,三星電子的領導人李在镕(Lee Jae-yong) 今日討論了三星將計劃首發3nm GAA 制程芯片的戰略計劃。


該報導稱,李在镕昨日參觀了三星電子位于京畿道華城(Hwaseong) 的半導體研發中心。這也是李在镕在2020 年的首個官方行程,期間他聽取三星電子3nm 制程技術報告,并與半導體部門主管討論了新一代半導體戰略。

據三星電子稱,李在镕討論了三星計劃采用正在研發中的最新3nm GAA 制程技術來制造尖端晶片的計劃。GAA 被認為是當前FinFET 技術的升級版,能確保芯片制造商進一步縮小體積。

去年4 月三星電子完成了采用EUV 的5nm FinFET 制程技術的研發。如今該公司正在研究下一代制程技術(即3nm GAA)。三星電子表示,與5nm 制程相比,3nm GAA 技術的邏輯面積效率提高了35% 以上,功耗降低了50%,性能提高了約30%。

此舉也呼應三星先前所說的,將全力進攻非DRAM 與NAND Flash 晶片的半導體市場,在去年,三星宣布了一項折合美金高達1118.5 億美元的投資計劃,目標是要讓三星能夠成為全球最大的半導體芯片制造商。


關鍵字:3nm  三星 引用地址:李在镕:三星計劃首發3nm GAA 制程芯片

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