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集成電路剛被發(fā)明出來的時候，當時的特征尺寸大概是10μm（10000nm），之后逐步縮小到了5μm、3μm、1μm、0.8μm、0.5μm、0.35μm、0.25μm、0.18μm、0.13μm、90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、16nm、10nm，發(fā)展至今，臺積電已經(jīng)開始量產(chǎn)7nm+（采用EUV的7nm）的芯片了，明年還將量產(chǎn)5nm的。在這個過程當中，制程共經(jīng)歷了20幾代變革，未來幾年，3nm、2nm芯片也將實現(xiàn)量產(chǎn)。從5μm到5nm，實現(xiàn)了1000倍的變化，大概經(jīng)歷了40多年的時間。

人的頭發(fā)橫截面直徑大概是80μm，以采用28nm制程工藝的SRAM為例，可以在頭發(fā)的橫截面上放20735個這個樣的SRAM單元，隨著微縮技術(shù)的發(fā)展，在直徑為80μm的橫截面上，可以容納越來越多的SRAM單元了。這主要是由光刻工藝及其技術(shù)演進實現(xiàn)的。

然而，隨著特征尺寸的不斷微縮，逐漸達到了半導體制造設(shè)備和制程工藝的極限，眼下，集成電路的晶體管數(shù)量，以及功耗和性能已經(jīng)很難像過去40年那樣，幾乎一直在順暢地呈現(xiàn)出線性的發(fā)展態(tài)勢（也就是按照摩爾定律演進），而且，不但工藝難度越來越大，成本也高得嚇人，能夠提供10nm及更先進制程工藝芯片制造的廠商只剩下臺積電、三星和英特爾這三家。

在這三家中，真正引領(lǐng)摩爾定律向前演進的還是英特爾和臺積電這兩強，這兩家公司一直是摩爾定律的支持者，臺積電更是認為，半導體制程工藝可以按照摩爾定律，演進到0.1nm。而在這兩強當中，臺積電后來居上，在最近5年左右的時間里，在半導體制程工藝上一直壓英特爾一頭，不過，臺積電成立于1987年，而英特爾成立于1968年，且摩爾定律就是由英特爾創(chuàng)始人之一的戈登·摩爾（Gordon Moore）于1965年提出來的。

因此，真正伴隨芯片制造和摩爾定律從誕生，到發(fā)展壯大，再到如今的緩慢前行，就是英特爾了，通過該公司的芯片發(fā)展歷程，以及制程節(jié)點的演進和晶體管數(shù)量的提升，可以對半導體工藝和摩爾定律的發(fā)展有一個直觀和系統(tǒng)的認識。

從第一款商用處理器到10nm芯片

1965年4月，《電子學》雜志（Electronics Magazine）第114頁發(fā)表了戈登·摩爾（時任仙童半導體公司工程師）撰寫的文章〈讓集成電路填滿更多的組件〉，文中預言半導體芯片上集成的晶體管和電阻數(shù)量將每年增加一倍，這也就是摩爾定律的雛形。

1975年，摩爾在IEEE國際電子組件大會上提交了一篇論文，根據(jù)當時的實際情況對摩爾定律進行了修正，把“每年增加一倍”改為“每兩年增加一倍”，而普遍流行的說法是“每18個月增加一倍”。但1997年9月，摩爾在接受一次采訪時聲明，他從來沒有說過“每18個月增加一倍”。

1968年，也就是摩爾提出摩爾定律最初版本后三年，他與朋友聯(lián)合創(chuàng)立了英特爾公司，該公司最初是以設(shè)計和生產(chǎn)存儲器為主，后來根據(jù)應(yīng)用和市場發(fā)展趨勢，逐步將業(yè)務(wù)重心轉(zhuǎn)移到了處理器上。

1971年，英特爾發(fā)布了世界第一塊商用微處理器4004，當時采用的是10μm制程工藝，使得該芯片上集成了2250個晶體管。

1979年，該公司又推出了處理器8086，采用了3μm制程工藝，使得該芯片上集成了29000個晶體管，較10μm工藝有了10幾倍的提升，這也是摩爾定律演進的首次價值體現(xiàn)。

1982年，英特爾推出了80286，采用1.5μm制程，晶體管數(shù)量達到了134000個。

1985年，該公司推出了著名的386系列處理器，將制程工藝節(jié)點提升到了1μm，這使得晶體管數(shù)量又猛增到275000個，與3μm相比，又提升了近10倍。

1989年，英特爾推出了486系列處理器，采用0.8μm制程，使得晶體管數(shù)量達到120萬個。

1993年，該公司推出了首款奔騰處理器，采用0.8μm制程，晶體管數(shù)量則提升到了310萬個。

1995年，推出了奔騰Pro，將制程工藝節(jié)點演進到了0.6μm~0.35μm，從而使得晶體管數(shù)量達到了550萬個。

2000年，該公司又推出了奔騰4系列處理器，采用了0.18μm制程，晶體管數(shù)量達到4200萬個。

2006年，推出了酷睿系列處理器，采用了65nm制程，晶體管數(shù)量突破了1億，達到1.51億個。

2010年，英特爾又推出了酷睿i7-980x，采用了32nm制程，晶體管數(shù)量突破了10億，達到11.7億個.

2015年，推出了酷睿i7-4960x處理器，采用了22nm制程，使得晶體管數(shù)量提升到了18.6億個。

發(fā)展到最近兩三年，英特爾處理器則以14nm為主要制程。

從2007年開始，英特爾在制程方面，進入了著名的“Tick-Tock”節(jié)奏，“Tick”代表制程工藝提升，而“Tock”代表工藝不變，芯片核心架構(gòu)升級。一個“Tick-Tock”代表完整的芯片發(fā)展周期，耗時兩年。

按照Tick-tock節(jié)奏，英特爾可以跟上摩爾定律的演進，大約每24個月可以讓晶體管數(shù)量翻一番。2015年，該公司宣布采用“架構(gòu)、制程、優(yōu)化” (APO，Architecture Process Optimization)的三步走戰(zhàn)略。這意味著每36個月，晶體管數(shù)量才會翻一番。

自2015年至今，英特爾已在14nm制程節(jié)點處停留約4年時間，從Skylake（14nm）、Kaby Lake（14nm+）、CoffeeLake（14nm++），一直在更新14nm制程。其10nm原計劃于2016年推出，但經(jīng)歷了多次推遲，直到今年才實現(xiàn)量產(chǎn)。

臺積電后來居上

與英特爾類似，臺積電跟隨摩爾定律的腳步一刻也沒有停歇，而且，臺積電憑借晶圓代工業(yè)務(wù)后來居上，贏得了智能手機時代蘋果、高通、華為海思等大客戶。臺積電于2015下半年量產(chǎn) 16nm FinFET工藝，這與英特爾的14nm量產(chǎn)時間基本同步。此后4年，英特爾反復升級14nm節(jié)點，10nm經(jīng)歷多次跳票。而臺積電則于2017年量產(chǎn)10nm工藝，并于2018年率先推出7nm工藝，從而在緊跟摩爾定律步伐方面，開始領(lǐng)先于英特爾。而英特爾10nm制程一再推遲，后段采用多重四圖案曝光（SAQP）良率較低可能是主要原因。

7nm方面，EUV是未來更先進制程不可或缺的工具，英特爾采用EUV雙重曝光技術(shù)已有提前布局，仍有望按原定計劃量產(chǎn)，由于英特爾7nm節(jié)點不再面臨SAQP四重曝光技術(shù)難題，而是EUV雙重曝光，有望按原計劃，于2020年量產(chǎn)。

而從晶體管密度、柵極間距、柵極長度等指標來看，英特爾的14nm、10nm節(jié)點則要優(yōu)于臺積電，2014年，英特爾發(fā)布的14nm節(jié)點，每平方毫米3750萬個晶體管，臺積電16nm節(jié)點約為每平方毫米2900萬個晶體管。英特爾14nm節(jié)點柵極長度24nm，優(yōu)于臺積電的33nm。10nm方面，英特爾的晶體管密度為每平方毫米1.008億個，臺積電10nm節(jié)點晶體管密度為每平方毫米4810萬個。

目前來看，臺積電略占上風，未來發(fā)展，關(guān)鍵要看英特爾10nm量產(chǎn)進度。就目前已發(fā)布的技術(shù)信息來看，英特爾持續(xù)更新的14nm與臺積電的10nm處于同一量級，臺積電已量產(chǎn)的7nm制程顯著優(yōu)于英特爾14nm的。可見，臺積電在量產(chǎn)時間上略占上風，而實際技術(shù)儲備差別不大。

結(jié)語

英特爾與臺積電是摩爾定律演進的主要推動力量，而前者開創(chuàng)了該定律，并為其發(fā)展打下了基礎(chǔ)，后者則后來居上，在商業(yè)模式占優(yōu)、且敢于重金投入的情況下，帶動了產(chǎn)業(yè)發(fā)展。但目前來看，摩爾定律顯然遇到了極大的挑戰(zhàn)，或者說進入了窘境，作為其堅定支持者的英特爾和臺積電，也正在想著各種辦法延續(xù)這一定律。

關(guān)鍵字：英特爾臺積電引用地址：英特爾vs臺積電，納米級別的戰(zhàn)斗

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【EAGLE】一些常用的技巧、心得。本帖最后由 huayuliang 于 2014-11-8 18:38 編輯算是正式開始了吧，不過俺只能想到（用到）哪里寫到哪里，結(jié)果就如之前描述的——很亂。。。其實所謂的技巧，只是基本命令的使用，不過是和實際應(yīng)用相關(guān)的一些可能你沒有想過的用法而已···· ...… 查看全部問答∨	請教高手，.system generator 如何自己設(shè)計模塊？如：模數(shù)模塊請教高手，.system generator 如何自己設(shè)計模塊？如：模數(shù)模塊\0\0\0eeworldpostqq… 查看全部問答∨

對于pcb布局規(guī)則入門，請給一個學習大綱學習 PCB 布局規(guī)則是理解如何設(shè)計 PCB 板的重要一環(huán)。以下是一個學習 PCB 布局規(guī)則的大綱：1. 了解基本概念學習 PCB 布局規(guī)則的基本概念，包括信號完整性、電磁兼容性、電磁干擾等。理解布局規(guī)則對 PCB 性能和可靠性的影響。2. 掌握布局規(guī)則學習常 ...… 查看全部問答∨	對于pcb布線入門，請給一個學習大綱當您準備學習 PCB 布線時，以下是一個學習大綱，可幫助您系統(tǒng)地掌握這一領(lǐng)域的基礎(chǔ)知識和技能：第一階段：基礎(chǔ)知識學習理解 PCB 布線的基本概念：了解 PCB 布線的定義、作用和重要性。熟悉 PCB 設(shè)計軟件：學習使用常見的 PCB 設(shè)計軟件，如 Altium D ...… 查看全部問答∨
我想keil 51單片機入門，應(yīng)該怎么做呢？要入門 Keil 51 單片機開發(fā)，你可以按照以下步驟進行：學習 8051 單片機基礎(chǔ)知識：了解 8051 單片機的基本原理、結(jié)構(gòu)、指令集、IO口、定時器/計數(shù)器、中斷控制器等基礎(chǔ)知識?？梢酝ㄟ^書籍、在線教程或者視頻課程學習。安裝 Keil IDE：下載并安裝 ...… 查看全部問答∨	計算機視覺深度學習怎么入門作為電子領(lǐng)域資深人士，您可能已經(jīng)具備了一定的數(shù)學和編程基礎(chǔ)，這將有助于您快速入門計算機視覺深度學習。以下是一些步驟和建議，幫助您開始學習計算機視覺深度學習：學習基本概念：了解計算機視覺的基本概念，包括圖像處理、特征提取、對象檢測、 ...… 查看全部問答∨
對于本科深度學習入門，請給一個學習大綱學習本科深度學習的入門大綱可以分為以下幾個階段：第一階段：基礎(chǔ)知識和數(shù)學基礎(chǔ)線性代數(shù)和微積分：復習線性代數(shù)和微積分的基本概念，包括向量、矩陣、導數(shù)、偏導數(shù)等。概率論和統(tǒng)計學：學習概率論和統(tǒng)計學的基本概念，包括概率分布、期望、方差、 ...… 查看全部問答∨	對于smt電子元件基礎(chǔ)知識入門，請給一個學習大綱以下是SMT電子元件基礎(chǔ)知識入門的學習大綱：第一階段：電子元件基礎(chǔ)電子元件分類：學習電子元件的分類，包括被動元件（電阻、電容、電感）、主動元件（二極管、晶體管、集成電路）等。元件符號和規(guī)格：掌握常見電子元件的符號表示方法，了解元件的 ...… 查看全部問答∨
smt技術(shù)員入門資料怎么找作為一名電子工程師，尋找SMT技術(shù)員入門資料可以通過以下幾種途徑：網(wǎng)絡(luò)搜索：使用搜索引擎，例如Google、百度等，在線搜索相關(guān)的SMT技術(shù)員入門資料。你可以搜索關(guān)鍵詞如“SMT技術(shù)員入門指南”、“SMT技術(shù)員培訓資料”等，來尋找相關(guān)的網(wǎng)頁、論壇、 ...… 查看全部問答∨	單片機應(yīng)用如何入門要入門單片機應(yīng)用，首先需要掌握一些基本的電子知識和編程技能。以下是一些步驟和建議：學習基礎(chǔ)知識：了解電子元件和電路的基本原理，包括電阻、電容、電感等基本元件的作用和特性。了解數(shù)字電子學，包括布爾代數(shù)、邏輯門、數(shù)字信號處理等內(nèi)容。熟 ...… 查看全部問答∨
對于k60單片機入門，請給一個學習大綱以下是一個適合入門學習K60單片機的學習大綱：學習基本知識了解K60單片機的基本結(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用領(lǐng)域。熟悉K60單片機的架構(gòu)和內(nèi)部組成，包括CPU核心、存儲器、外設(shè)等。掌握開發(fā)環(huán)境安裝并配置K60單片機的開發(fā)環(huán)境，如Keil MDK、IAR Embedded Workbe ...… 查看全部問答∨	對于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)損失函數(shù)入門，請給一個學習大綱非常好的電子資料，總結(jié)很詳細，有參考價值，謝謝分享！ … 查看全部問答∨

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2019年10月12日 | 英特爾vs臺積電，納米級別的戰(zhàn)斗

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