原標(biāo)題：UnitedSiC的1200V碳化硅FET能夠?yàn)镮GBT、硅和碳化硅MOSFET用戶提供業(yè)界最高性能的升級(jí)途徑
UJ3C1200系列是一種直接更換的解決方案，無需改變柵極驅(qū)動(dòng)電壓
2018年5月24日，美國(guó)新澤西州普林斯頓 --- 功率因數(shù)校正（PFC）、主動(dòng)前端整流器、LLC轉(zhuǎn)換器和相移全橋轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在可以通過使用來自UnitedSiC的新型UJ3C1200系列碳化硅（SiC ）結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）共源共柵（cascodes）來升級(jí)現(xiàn)有系統(tǒng)的性能。這些器件的電壓額定值為1200 V，導(dǎo)通電阻為80和40mΩ，能夠?yàn)樵S多現(xiàn)有的IGBT、硅和碳化硅MOSFET部件提供“直接更換”替代解決方案，而無需改變柵極驅(qū)動(dòng)電路。這簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)升級(jí)，并為現(xiàn)有零部件提供了可替代采購(gòu)來源。
對(duì)于功率因數(shù)校正、主動(dòng)前端整流器、LLC轉(zhuǎn)換器和相移全橋轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用，需要更高的效率和/或功率密度，所涉及的終端應(yīng)用包括車載電動(dòng)汽車（EV）充電器、叉車電池充電、光伏逆變器以及焊接等。
UJ3C1200系列基于UnitedSiC的第三代SiC晶體管技術(shù)，將一個(gè)碳化硅 JFET與定制設(shè)計(jì)的硅MOSFET集成在一起，憑借SiC JFET的速度、效率和高溫額定值，實(shí)現(xiàn)通常關(guān)運(yùn)行、高性能體二極管和MOSFET簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)的完美組合。因此，現(xiàn)有系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)性能提升，降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，提高熱性能，并集成有柵極ESD保護(hù)。在新設(shè)計(jì)中，UnitedSiC UJ3C1200系列可提供實(shí)質(zhì)性的系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)，能夠提高開關(guān)頻率和效率，并可減小磁性元件和電容器等被動(dòng)元件的尺寸和成本。
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