今天,浙江大學公眾號發布消息稱,浙大團隊研制新型存儲器,面積只有目前電路器件的幾十分之一。文中表示,浙江大學信息與電子工程學院和硅材料國家重點實驗室,研發出了一種低成本、低功耗的新型存儲器。課題組利用鍺獨特的表面性質,在鍺表面生長憶阻器材料,形成一種新的器件,研究人員稱之為“記憶二極管”。
官方稱,這項基于可工業化生產的半導體集成電路制造工藝的工作,或將大幅提高數據交換速度,為降低網絡芯片制造成本提供解決方案。
同時,這種新型存儲器可為數據“打上”標簽,為未來物聯網社會增添更多想象。
項目負責人趙毅說:“我們團隊研發的這個新器件,將原來需要一個電路才能做到的工藝,用一個器件就能實現其功能。使用面積縮小幾十分之一。”
具體研究結果將在6月份的國際超大規模集成電路峰會(2018 Symposia on VLSI Technology and Circuits)上發表,我們拭目以待。
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史海拾趣
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