三星在2017年的營收已經超越英特爾，成為全球最大的半導體廠，也結束了英特爾25年來的半導體龍頭地位。 英特爾應該采取哪些策略重新奪回冠軍寶座？
英特爾(Intel)在首度失去從1992年以來的半導體營收龍頭地位后，應該采取哪些新策略來縮小其與三星電子(Samsung Electronics)之間的差距或甚至超越，成為該公司目前亟需面對的課題。
根據兩家公司的年度財報顯示，2017年，三星的半導體部門整體營收為691億美元，超越英特爾的628億美元。 受惠于內存價格高漲，三星得以首度擠下自1992年以來穩居晶圓銷售龍頭寶座的英特爾。
由于平面DRAM面對因摩爾定律(Moore’s Law)即將終結導致的微縮限制，成本縮減日益趨緩，使得平面DRAM最終將難以滿足市場需求。 此外，位成長也縮小至23年來的新低點。 因此，我們很難期待短期內能看到內存價格下滑。
英特爾與三星的半導體營收、營運利潤比較
然而，三星的營收是否會在2018年持續成長？ 根據DRAMeXchange，2017年的DRAM營收成長了76%，預計2018年將再成長30%以上。 如果我們假設在2018年的DRAM營收成長將為三星的半導體部門帶來至少20%的營收增加，而英特爾的營收也像在2017年一樣穩定成長7%，那么英特爾在半導體領域的主導地位終將成為歷史。
正如DRAMeXchange的預測，如果2018年DRAM銷售成長超過30%，那么三星半導體營收將持續快速成長。
那么，英特爾的下一步應該怎么走？ 作為追隨者，英特爾必須急起直追，采取新的策略來縮小差距或超越三星。
英特爾可以考慮盡可能地擴大其代工業務，使其不受任何代工策略或商業模式的限制。 英特爾的代工廠必須為各種類型的客戶敞開大門，為其提供具競爭力的服務成本和各種IP。 由于英特爾一向擁有最好的技術，因此英特爾的代工廠可望在短時間內發展成為盈利業務。
另一項建議是英特爾與三星在內存市場直接展開競爭。 英特爾長久以來經營DRAM業務，而且仍然擁有強大的嵌入式DRAM技術。 想想3D DRAM的情況：由于DRAM廠商尚未開發出3D DRAM技術，因此它將成為改變游戲規則的變革技術。 DRAM供貨商采用傳統的平面DRAM技術已經寫下創紀錄的營收和利潤，然而，目前傳統的平面DRAM開始面臨微縮限制了。 如果3D DRAM出現，肯定會為DRAM業務帶來新的典范。 因此，以3D DRAM在DRAM領域直接展開競爭，將會是與三星競爭的最有效方式。
盡管英特爾的非揮發性內存解決方案事業群(NSG)已經擁有創新的3D XPoint技術，但為了差異化其NFG業務有別于競爭對手，英特爾NSG還需要顛覆性的技術。 如下圖所示，在三星和英特爾的NAND閃存市占率之間存在著一大截差距。 事實上，英特爾在NAND領域的規模并不大。 盡管英特爾擁有競爭的NAND技術，但如果能從外部來源發掘新興技術并為NSG部門導入更多創新，這對于英特爾來說是十分有利的。 3D XPoint擁有巨大的潛力，但可能還需要多一點時間，才能使其具有成本競爭力。 因此，研發費用和營運收入必須取得平衡。 當其他NAND供貨商創造利潤新紀錄時，英特爾的NSG也需要盈利。
英特爾非揮發性解決方案事業務(NSG)在2017年的收益和NAND閃存市占率
許多人可能未曾預料到三星會在如此短的時間內超越英特爾。 諷刺的是，由于平面DRAM的供應有限，摩爾定律的終結為三星帶來了巨大的商機。 因此，內存成為賣方市場。
盡管中國的手機制造商抱怨內存價格居高不下，中國政府正考慮DRAM固定價格的可能性，但看來內存價格高漲似乎是無法阻擋的了。 如果真的像DRAMeXchange的預測，2018年的DRAM營收成長超過30%，那么三星將更進一步拉開與英特爾的距離。 傳統上，英特爾和三星之間的業務很少重迭。 但為了重新奪回冠軍寶座，英特爾有必要與三星直接競爭內存和晶圓代工市場。 英特爾勢必得盡快采取新策略。
編譯：Susan Hong
(參考原文：Intel Needs New Strategies, ASAP，by Sang-Yun Lee, founder and CEO of BeSang Inc.)
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