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5 月 29 日消息，“湖北發(fā)布”官方公眾號今天（5 月 29 日）發(fā)布博文，報道稱長飛先進武漢基地首批碳化硅晶圓已正式投產(chǎn)，這是目前國內(nèi)規(guī)模最大的碳化硅半導(dǎo)體基地，可貢獻國產(chǎn)碳化硅晶圓產(chǎn)能的 30%，有望破解我國新能源產(chǎn)業(yè)缺芯困局。

援引博文介紹，碳化硅是新一代信息技術(shù)的基礎(chǔ)材料，被稱為新能源時代的“技術(shù)心臟”，是全球爭相搶占的科技制高點。

我國最大規(guī)模：長飛先進武漢基地首批碳化硅晶圓投產(chǎn)

作為武漢東湖科學(xué)城首個落地的百億級半導(dǎo)體項目，長飛先進基地從一片荒地起步，10 個月封頂、18 個月量產(chǎn)，吸引超 20 家配套企業(yè)落戶，覆蓋設(shè)備、材料、封測的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈，形成了國內(nèi)首個碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈集群。

長飛先進武漢基地總投資超 200 億元，一期項目聚焦第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，可年產(chǎn) 36 萬片 6 英寸碳化硅晶圓，產(chǎn)能躋身全球前列，達產(chǎn)后可滿足 144 萬輛新能源汽車的制造需求，推動我國第三代半導(dǎo)體實現(xiàn)從“跟跑”到“并跑”的關(guān)鍵跨越。

關(guān)鍵字：晶圓碳化硅引用地址：我國最大規(guī)模：長飛先進武漢基地首批碳化硅晶圓投產(chǎn)

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電動汽車或成為碳化硅器件最大的應(yīng)用市場

數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計到2027年，汽車市場導(dǎo)電型碳化硅功率器件規(guī)模達49.86億美元，占比79.2%，能源、工業(yè)和交通應(yīng)用市場占比分別降至7.3%，8.7%和3.0%。按照電學(xué)性能的不同，碳化硅材料制成的器件分為導(dǎo)電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件，兩種類型碳化硅器件的終端應(yīng)用領(lǐng)域不同。其中，導(dǎo)電型碳化硅功率器件是通過在低電阻率的導(dǎo)電型襯底上生長碳化硅外延層后進一步加工制成，包括造肖特基二極管、MOSFET、IGBT等，主要用于電動汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、充電等領(lǐng)域。 Yole數(shù)據(jù)顯示，2021年汽車市場導(dǎo)電型碳化硅功率器件規(guī)模達6.85億美元，占比62.8%，能源、工業(yè)和交通應(yīng)用市場占比分別

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意法半導(dǎo)體第四代碳化硅功率技術(shù)問世：為下一代電動汽車電驅(qū)逆變器量身定制

到 2025 年，750V 和 1200V兩個電壓等級的產(chǎn)品將實現(xiàn)量產(chǎn)，將碳化硅更小、更高效的優(yōu)勢從高端電動汽車擴展到中型和緊湊車型。到 2027 年，ST 計劃推出多項碳化硅技術(shù)創(chuàng)新，包括一項突破性創(chuàng)新。 2024年9月27日，中國– 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST；) 推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個方面成為新的市場標(biāo)桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時，意法半導(dǎo)體還針對電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術(shù)。公司計劃在 2027 年前推出更多先

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Power Integrations推出具有快速短路保護功能且適配62mm SiC和IGBT模塊的門極驅(qū)動器適合額定耐壓1200V和1700V應(yīng)用的通用型可擴展門極驅(qū)動器美國加利福尼亞州圣何塞，2023年12月12日訊 – 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations今日推出全新系列的即插即用型門極驅(qū)動器，新驅(qū)動器適配額定耐壓在1700V以內(nèi)的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊，具有增強的保護功能，可確保安全可靠的工作。 SCALE?-2 2SP0230T2x0雙通道門極驅(qū)動器可在不到2微秒的時間內(nèi)部署短路保護功能，保護緊湊型SiC MOSFET

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投20億增產(chǎn)，安森美欲到2027占據(jù)汽車SiC市場40%份額

據(jù)外媒報道，安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）的高管在5月16日表示，該公司正考慮投資20億美元提高碳化硅（SiC）芯片的產(chǎn)量。碳化硅芯片廣泛應(yīng)用于電動車，能夠增加車輛的續(xù)航里程。安森美高管還表示，該公司正考慮在美國、捷克共和國或韓國進行擴張，此前公司在這些國家都已設(shè)立工廠。圖片來源：安森美安森美是汽車行業(yè)的長期供應(yīng)商，不僅為電動汽車的傳動系統(tǒng)提供芯片，也為輔助駕駛系統(tǒng)的攝像頭和傳感器等產(chǎn)品提供芯片。該公司一半以上的芯片是在內(nèi)部生產(chǎn)的，并投資于高效節(jié)能碳化硅芯片的完整供應(yīng)鏈，在內(nèi)部生產(chǎn)原材料和成品芯片。安森美首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury在接受采訪時表示，該公司的碳

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意法半導(dǎo)體與采埃孚簽署碳化硅器件長期供應(yīng)協(xié)議

? 世界排名前列的碳化硅技術(shù)供應(yīng)商意法半導(dǎo)體將提供可靠保障，助力采埃孚完成價值超過 300 億歐元的電驅(qū)動訂單 ? 意法半導(dǎo)體的碳化硅器件將被集成到采埃孚2025 年量產(chǎn)的模塊化逆變器平臺中 ? 意法半導(dǎo)體在復(fù)雜系統(tǒng)方面的研發(fā)經(jīng)驗完全符合采埃孚的要求，能夠按照客戶的需求量產(chǎn)高質(zhì)量的碳化硅器件中國，2023 年 4 月 20 日—— 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST；)宣布與采埃孚科技集團公司(ZF)簽署碳化硅器件長期供應(yīng)協(xié)議。從 2025 年起，采埃孚將從意法半導(dǎo)體采購碳化硅器件。根據(jù)這份長期采購合同條款，意法半導(dǎo)體將為采埃孚

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SiC MOSFET柵-源電壓測量：探頭的連接方法

本文的關(guān)鍵要點 ?探頭的連接方法會給波形測量結(jié)果帶來很大影響。 ?如果延長線較長，在柵極引腳和源極引腳與測量夾具之間形成的環(huán)路會導(dǎo)致觀察到的波形與真正的波形完全不同，因此，連接時要確保這個環(huán)路最小。 SiC MOSFET柵-源電壓測量：探頭的連接方法如“一般測量方法”中所提到的，探頭的連接方法對測量到的波形影響很大。為了確認(rèn)這一點，下面我們將對常見的探頭連接方法所造成的測量波形差異進行比較。 (a) 將探頭直接與DUT引腳連接 (b) 剝離絞合線絕緣層，用線芯連接探頭 (c) 給長絞線分別插入100Ω的阻尼電阻并連接探頭 (d) 給短絞線分別插入100Ω的阻尼電阻并連接探頭 (a)是將電壓探頭的頭部直接與DUT引腳連接。

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碳化硅風(fēng)向標(biāo)，特斯拉說了不算

北京時間3月2日凌晨，特斯拉在其投資者日的演講中，談到最牽動半導(dǎo)體廠商的一句話，來自特斯拉動力總成工程負(fù)責(zé)人——科林坎貝爾，他提到在下一個動力系統(tǒng) 中，碳化硅晶體管作為價格昂貴的關(guān)鍵部件，特斯拉新的解決方案可以在不影響汽車性能或效率的情況下減少 75% 的使用量。一石激起千層浪，作為碳化硅襯底的龍頭廠商，美股上市公司W(wǎng)olfspeed股價下跌6.98%，國產(chǎn)廠商天岳先進當(dāng)日股價達到了10.13%的跌幅，功率器件廠商意法半導(dǎo)體股價低開高走，最終收跌2.43個百分點，而近兩年全盤下注碳化硅的安森美所受影響略小，股價下跌1.89%。而就在上個月，英飛凌才宣布將在德國德累斯頓投資50億歐元建廠，劍指模擬/混合

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以碳化硅技術(shù)牽引逆變器延展電動車行駛里程

目前影響著車輛運輸和半導(dǎo)體技術(shù)的未來有兩大因素。業(yè)界正在采用令人振奮的新方法，即以潔凈的能源驅(qū)動我們的汽車，同時重新設(shè)計支撐電動車（EV）子系統(tǒng)的半導(dǎo)體材料，大幅提升功效比，進而增加電動車的行駛里程。政府監(jiān)管機構(gòu)持續(xù)要求汽車OEM減少其車系的整體二氧化碳排放量，對于違規(guī)行為給予嚴(yán)厲的處罰，同時開始沿著道路和停車區(qū)域增設(shè) 電動車充電基礎(chǔ)設(shè)施。但是，盡管取得了這些進展，主流消費者仍然對電動車的行駛里程存有疑慮，使電動車的推廣受到阻力。更復(fù)雜的是，大尺寸的電動車電池雖然可以增加其行駛里程，緩解消費者關(guān)于行駛里程的焦慮，但它會使電動車的價格上漲—電池成本在整車成本中的占比超過25%。幸運的是，同時期的半導(dǎo)體技術(shù)革命催生了新

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